解吸电晕束电离源质谱法快速检测食品包装材料中的双酚A

采用解吸电晕束电离源(DCBI)与质谱联用法测定食品包装材料中的双酚A。优化了萃取溶剂和离子源等参数。DCBI优化后,甲醇为萃取溶剂,检测模式为负离子模式,电离电压为!2 kV,离子传输管温度225℃,He气体流速1.0 L/min。当选用全扫描的模式时,单个样品测定时间小于30 s,对双酚A的检出限为0.1 mg/L,在1~100 mg/L浓度范围内线性良好,相关系数达到0.98,直接检测食品包装材料中的双酚A时,平均回收率为94%~125%,测定结果的相对标准偏差(RSD)小于17%。本方法分析速度快,灵敏度高,基体影响小,适用于大量样品快速检测。     

合金元素Nd对Pb-Ag阳极在H_2SO_4溶液中电化学行为的影响（英文）

采用循环伏安、线性扫描、电化学阻抗和环境扫描电镜对比研究了Pb-Ag和Pb-Ag-Nd阳极的阳极膜和析氧反应.结果表明,合金元素Nd促进了Pb/PbOn/PbSO4(1≤n2)膜层的生长.在高极化电位区间(高于1.20V(vs Hg/Hg2SO4/饱和K2SO4溶液)),Nd有利于低价铅的化合物(PbOn,PbSO4)向α-PbO2和β-PbO2转变.此外,环境扫描电镜形貌和线性扫描分析证明Pb-Ag-Nd表面生成的阳极膜较Pb-Ag的阳极膜更厚且更致密.因此,Pb-Ag-Nd阳极表面的阳极膜可以给合金基底提供更好的保护.另一方面,电化学阻抗测试揭示了两种阳极的析氧反应均受中间产物的形成和吸附控制.Nd可以降低阳极膜/电解液界面处中间产物的吸附阻抗且增加中间产物的覆盖率,从而提高析氧反应活性.综上所述,合金元素Nd可提高Pb-Ag阳极的耐腐蚀性,降低阳极电位进而起到节能降耗的作用.     

MBE生长的InAs薄膜Hall器件

利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件,具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓＨａｌｌ器件的１．５倍）,不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中,具有广阔的应用前景     

高质量GaN材料的GSMBE生长

在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）．     

光电开关和普克尔盒组合器件

随着锁模激光器的出现,对具有微微秒光脉冲的同步高速电子仪器的需求量大幅度地上升。激光核聚变的发展更加快了对快速光电器件的需要。 电光普克尔盒在高速变化的激光中具有广泛的应用,如在调Q激光器中作调Q开关、在锁模激光器中用做单脉冲选择器,也可做     

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si HBT外延材料     

GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱

通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.     

水湿储层水驱油微观驱替特征的网络模拟研究

应用逾渗理论,基于计算机随机建模方法,建立了水湿储层三维网络模型.模型的孔隙喉道半径采用截断式威布尔分布随机产生,通过与实际岩心相渗曲线的拟合,验证了模型的有效性.计算了形状因子、孔隙度、导流率等参数,为模拟过程提供基础数据.应用建立的网络模型,模拟了饱和油和水驱油两个驱替过程,分析了孔隙特性参数对相对渗透率及驱替效率的影响.结果表明:随着孔喉比的降低、配位数的增加、形状因子的增加(在一定范围内),水相渗透率降低,油相渗透率升高,残余油饱和度降低,驱替效率增大.与其他理想模型相比,模型可以更真实地研究油水两相流动特征.