InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相比提高了５０％．     

从混合离子中分离Fe,Al,Cd

从混合离子中分离Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｄ邓凡政＊石影李霞陈岩（淮北煤炭师范学院化学系淮北２３５０００）关键词聚乙二醇，萃取剂，分离，金属离子１９９６－０４－２３收稿，１９９６－０７－０１修回利用水溶性高聚物聚乙二醇在无机盐存在下可以分成两相的性质［１］，选择...     

气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究

用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法研究了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的低温（≤５００℃）生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗．在恒定的乙硅烷流量（４ｓｃｍ）Ｇｅ源炉温度（１２００℃）下，合金中的Ｇｅ组分ｘ随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度（５００℃）和乙硅烷流量（４ｓｃｍ）保持恒定时，合金中的Ｇｅ组分ｘ最初随Ｇｅ源炉温度的升高而增大，当Ｇｅ源炉温度升高到一定值以上时，ｘ值不再随Ｇｅ源炉温度的升高而增大，而趋向于饱和在０．４５附近．基于乙硅烷及Ｈ原子在Ｓｉ原子和Ｇｅ原子表面上不同的吸附和脱附过程     

家庭网络存储系统技术及发展分析

家庭网络存储系统的核心技术是基于NAS(网络附加存储设备,Network Attached Storage)模式或SAN(存储区域网络,Storage Area Network)模式.首先对NAS和SAN存储模式进行了简要介绍,对家庭存储的特点以及发展中存在的问题进行了探讨.     

基于高密度有机基板工艺的Ka波段天线设计与制造

与传统集成技术相比,有机基板的多层结构不仅可以集成相控阵天线、叠层微带天线等多款天线,其在布线密度、芯片内埋、封装一体化方面也展现出较大优势。介绍了基于高密度有机基板工艺的Ka波段叠层微带天线设计与制造过程,并通过测试验证了其反射特性。使用有机基板集成天线,有利于实现无线通信系统的小型化,其在通信和雷达探测领域有较大的应用潜力。     

Mn掺杂TiO_2(101)提高锂空电池阴极催化活性的第一性原理研究

本文基于密度泛函理论对TiO_2(101)和Mn_xTi_(1-x)O_2(101)作为锂空电池阴极催化材料进行了研究,发现其表面能够生成两种不同结构的Li_2O_2,进一步地研究了其中最稳定的生成结构并通过计算锂空电池首次充放电过程中的过电势来评价催化性能.结果表明,Mn掺杂进入Ti O_2(101)对充放电的过电势均有降低作用,深入分析发现掺杂Mn对TiO_2促进阴极催化反应的本质因素源于掺杂原子Mn的d态轨道的分布以及其平均能量.掺杂原子的d态轨道在费米能级处的峰态诱导了附近O的p态轨道,二者共同作用在Mn_xTi_(1-x)O_2(101)的总态密度的费米能级处形成多个新峰,改变了催化剂的导电方式.此外,由于掺杂原子Mn的d态轨道的平均能量高于Ti原子,使得O的p态轨道受到更多的激发,促使在Mn掺杂原子附近的氧空位形成能降低,为放电过程阴极催化反应的氧还原提供了更多的活性位点并且有利于氧气的吸附与还原.     

影莅驰在钓鱼台国宾馆举行新闻发布会

作为全球有线及宽带电视领域核心技术供应商之一和重要的交互电视增值业务系统供应商,影莅驰宽带电视（中国）有限公司于2008年3月11日成功登陆香港联合交易所主板,成为今年有线和宽带电视领域登陆资本市场的一只新股。     

多孔硅膜的俄歇和红外吸收谱

本文利用俄歇电子能谱和红外吸收谱仪，测试和分析了多孔硅样品的表面成份，并就它们对多孔硅发光可能产生的影响进行了讨论与分析。     

50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长

在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质量明显改善，可以观察到12级卫星峰，而在没有这个缓冲层的样品上只能观察到3个衍射卫星峰．透射电子显微镜上观察到产生的位错被限制在这个缓冲层中或弯曲进入了衬底而没有进入所需要的外延层。