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201.
对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射谱和光致发光谱与普通平面Si片上生长的GaAs层的基本相同,证实嵌入式生长可以得到与通常平面生长基本相同的质量。仔细的分析表明随着微区尺寸的减小GaAs层的无序程度有少许增长。  相似文献   
202.
本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路,外廷生长工艺过程计算机控制  相似文献   
203.
本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。  相似文献   
204.
·开发厂商:P.H.O.E.N.I.X(马来西亚) ·代理发行:末定 ·发售日期:未知 ·期待值:★★★★☆ 如今的网络游戏真所谓是层出不穷,当你在—个接一个涌现出来的游戏中邀游时,会发现其中也不乏一些精品佳作。在占据大陆市场的网络游戏主流里,除了欧美的龙与地下城风格外,中国武侠类的网络游戏也不少。随着“金庸”、“古龙”都出了群侠传网络版以后,《轩辕剑》也来了网络版,甚至连《仙剑奇侠传》、《剑侠情缘》都即将推出网络版。在这武侠百花齐放之时,香港漫画家马荣成笔下的《风云》也在谋划着网络版,这次开发的却是马来西亚的P.H.O.E.N.I.X,现在让我们来看看它有哪些特点可以吸引国内的众多玩家。  相似文献   
205.
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱(DLTS)。结果发现,其深能级都处于禁带深处,其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测得的谱线进行了计算和分析,并联系多孔挂的表面状态作了分析和讨论。  相似文献   
206.
利用大电流剥离方法制备了多孔硅薄膜层,测定了其吸收光谱。结果发现其吸收边对应于可见光区域,同单晶硅吸收光谱相比,其吸收边发生了蓝移,并且吸收强烈。这说明多孔硅的能带结构较硅发生了改变,表现为一种新的能带结构特征。  相似文献   
207.
利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.7 × 10~(11)cm~(-2).在低温强磁场下,观察到异质结电子系统的二维SdH振荡特性和量子化Hall效应.  相似文献   
208.
用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34%,激射波长在8590~8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.  相似文献   
209.
基于统计分析方法的同步移相干涉图位置配准   总被引:2,自引:0,他引:2  
使用同步移相干涉仪重建波前相位时,需要对移相干涉图进行准确的位置配准和目标区域确定以保证重建精度和相位解缠绕算法的成功实施。提出一种基于统计分析方法的圆形域同步移相干涉图位置配准技术,对一组包含不同相位分布的干涉图按照对应像素位置进行方差分布函数计算;利用最大组间方差法完成阈值分割,从而分离出干涉图像的背景与目标区域,通过梯度运算检测出目标区域的轮廓;利用改进Hough变换算法估计出各个轮廓的绝对位置和半径参数。数值仿真结果表明,当轮廓半径大于64pixel时,该方法的配准精度可以达到0.5pixel。通过建立自参考同步移相干涉仪对该方法的可靠性与实用性进行实验验证。  相似文献   
210.
合成了一种新的荧光试剂[1,2-苯并-3,4-二氢咔唑-9-乙基肼基甲酸酯(以下简写作BCEC)]并在酒中脂肪醛高效液相色谱(HPLC)分离及测定中作为柱前衍生试剂.衍生反应在乙腈溶剂中,用三氯乙酸作催化剂并在60 ℃条件下进行,并能在10 min后获得稳定的荧光产物.用Zorbax Eclipse XDB C8(4.6 mm×150 mm,5 μm)作色谱柱,并以不同浓度的乙腈-水溶液作流动相进行梯度淋洗.采用荧光检测,检测的激发波长为333 nm,发射波长为390 nm.采用在线质谱检测对10种脂肪醛进行定性鉴定,醛的物质的量在0.166 5~83.3 fmol之间与其色谱峰面积呈线性关系,相关系数均优于0.999 9 ,被测各醛的检出限(S/N=3)在3.75~16.65 fmol之间.  相似文献   
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