有机硼酸锂盐及亚硫酸酯类功能电解质材料

随着锂离子电池对高安全性、高容量、高功率等性能的技术需求,新型功能电解质材料的研究开发成为锂离子电池新材料领域研发工作的重点.本文对面向锂离子电池应用的功能电解质材料锂盐和添加剂的最新研究进展作了较为全面的阐述,其中重点介绍了本研究团队近年来在面向改善锂离子电池安全性能、提高其温度适应性、增强电解质与电极材料相容特性等...     

大黄酚和牛血清蛋白相互作用的电化学/光谱性质研究

在pH=4.0的Britton-Robinson(B-R)缓冲体系中,应用循环伏安法、示差脉冲伏安法和紫外光谱法对大黄酚与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的电化学/光谱性质进行研究.结果表明,二者结合生成了一种非电活性的超分子化合物.BSA的存在导致大黄酚氧化还原峰电流降低,峰电位基本不变,峰电流的下降值同所加入的BSA浓度在一定范围内呈线性关系.线性范围为5.0×10-6~1.0×10-7mol/L,检出限为3×10-7mol/L.     

析相光度法测定铜（Ⅱ）的研究

本文研究了Ｃｕ（Ⅱ）－ＰＥＧ（聚乙二醇－２０００）－Ｚｉｎｃｏｎ（锌试剂）－（ＮＨ４）２ＳＯ４体系的析相光度法并应用于测定Ｃｕ（Ⅱ）。最宜酸度为ｐＨ５．５～８．５（ＫＨ２ＰＯ４－Ｋ２ＨＰＯ４）缓冲溶液）其络合物的最大吸收位于６１０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为４．０×１０＾４Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，Ｃｕ（Ⅱ）浓度在０～１．５ｍｇ／Ｌ范围内服从比尔定律，铜与Ｚｉｎｃｏｎ形式组成为１：２的稳定的蓝色络     

1-氯-4-甲基亚磺酰基丁烷的合成

以1-溴-3-氯丙烷和二甲亚砜为原料,四氢呋喃为溶齐,在氢化钠的作用下成功合成了1-氯-4-甲基亚磺酰基丁烷,其工艺条件为:氢化钠与1-溴-3-氯丙烷的物质的量之比为1:1.3,反应温度为-40 ℃,反应时间1 h,产率为63.5%.经红外、核磁共振表征确定了该化合物的结构.     

瞬态C-V法测量AlGaAs:Si中DX中心的电离能(英文)

The thermal ionization energy ET of DX centers in AlxGa1-xAs and its dependence with the value of x and the pressure are very important for estab- lishing the model of DX centers. The conventional DLTS and Hall methods used to DX center measurement have some ambiguities in theoretical analysis and experiments and the values of ET determined are different with those methods. The new constant temperature transient C-V measurement is based on the fact that at low temperature both electron capture and emission rates of DX centers are very slow. During the transient C-V measurement, change; of bias voltages and capacitance measurements are completed in a time duration much shorter than the electron capture and emission time constants, therefore the electrons occupied on the DX centers are considered to be frozen. The density of DX centers, the distribution profile of electrons on DX centers in the depletion region of a Schottky diode at a constant reverse bias, and the density of free electrons in conduction band in the bulk and their temperature dependence have been measured.     

高速摄影在火炮动态测试中的应用

小口经速射火炮精度的提高,已愈来愈受到世界许多国家的重视,因为这是提高射击效果的有效途经之一。但提高火炮精度是不容易的。 由于火炮射击状态是瞬时变化的,所以只有用高速摄影法,才能直接观察到已经消逝的运动状态和定量测取所需的多种数据,从而发现火炮存在的影响射击精度的关键问题,以利于采取适当措施,提高精度。     

AlGaAs:Si中与DX中心有关的光生电子陷阱特性研究(英文)

A new electron trap state SD was found by DLTS measurement under light illumination in Si doped A.lxGa1-xAs. This new trap energy level ESD is shallower than the DX center energy in the gap and the concentration of SD is comparable to that of DX centers. The emission activation energy Ec=0.20±0.05eV and capture activation energy Ec= 0.17±0.05eV. The SD DLTS peak has never been detected previously because under dark and thermal equilibrium condition most of the electrons occupy the deeper DX states and most of SD states are empty. However, when the sample is illuminated by light, electrons are excited to the conduction band and then re-captured by SD since the deeper DX states have a slower electron capture rate, thus a new DLTS peak corresponding to SD appears. Constant temperature capacitance transient C-t and transient C-V measurements were also used to further confirm the existence of SD states.     

GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主．     

分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层．