芹菜、草莓基质对甲胺磷等4种有机磷农药测定的影响

研究芹菜、草莓基质对甲胺磷、乙酰甲胺磷、氧化乐果、毒死蜱4种有机磷农药检测的影响。利用样品基质溶液配制标准样品,对比草莓、芹菜样品、丙酮溶液中4种农药的保留时间、峰形、峰面积。结果发现DB–5MS色谱柱上,丙酮溶液、芹菜基质、草莓基质中甲胺磷、乙酰甲胺磷、氧化乐果色谱峰出峰时间不完全重合,保留时间最大漂移0.1 min。丙酮溶剂、芹菜基质较草莓基质中的甲胺磷、乙酰甲胺磷、氧化乐果更容易出现峰拖尾现象,且芹菜基质溶液中相同浓度的甲胺磷、乙酰甲胺磷峰面积分别约是草莓基质溶液中的75%,90%。毒死蜱的保留时间、峰形、响应面积在草莓基质、芹菜基质、丙酮溶液中基本一样。     

大黄酚和牛血清蛋白相互作用的电化学/光谱性质研究

在pH=4.0的Britton-Robinson(B-R)缓冲体系中,应用循环伏安法、示差脉冲伏安法和紫外光谱法对大黄酚与牛血清白蛋白(BSA)相互作用的电化学/光谱性质进行研究.结果表明,二者结合生成了一种非电活性的超分子化合物.BSA的存在导致大黄酚氧化还原峰电流降低,峰电位基本不变,峰电流的下降值同所加入的BSA浓度在一定范围内呈线性关系.线性范围为5.0×10-6~1.0×10-7mol/L,检出限为3×10-7mol/L.     

有机硼酸锂盐及亚硫酸酯类功能电解质材料

随着锂离子电池对高安全性、高容量、高功率等性能的技术需求,新型功能电解质材料的研究开发成为锂离子电池新材料领域研发工作的重点.本文对面向锂离子电池应用的功能电解质材料锂盐和添加剂的最新研究进展作了较为全面的阐述,其中重点介绍了本研究团队近年来在面向改善锂离子电池安全性能、提高其温度适应性、增强电解质与电极材料相容特性等...     

离子液体萃取阿魏酸和咖啡酸的性能研究

以1-甲基-3-丁基咪唑六氟磷酸盐([C4mim][PF6])和1-甲基-3-己基咪唑六氟磷酸盐([C6mim][PF6])离子液体为萃取剂,采用紫外分光光度法研究了溶液pH值、温度、相比率及盐的种类和浓度对其萃取阿魏酸和咖啡酸效率的影响,考察了被萃取物的回收及离子液体的循环使用,探讨了两种离子液体替代传统有机溶剂阿魏酸和咖啡酸的可能性。实验结果表明:萃取温度和无机盐的种类及浓度对FA和CA萃取效率的影响较小;水相pH值对萃取效率有较大的影响,萃取FA适宜pH应小于3.67,萃取CA适宜pH应小于3.71;被萃取物浓度增大,萃取效率降低,而相体积比增大其萃取效率升高;两种离子液体对FA和CA的萃取效率[C4mim][PF6]大于[C6mim][PF6],同种离子液体对FA的萃取效率大于CA;在萃取相中的FA和CA可定量回收,且被萃取物中离子液体的残留[C6mim][PF6]小于[C4mim][PF6],离子液体可循环使用。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

聚乙二醇—硫酸铵—茜素S体系中萃取光度法测定铁

研究了在聚乙二醇-硫酸铵-茜素S体系中非有机溶剂萃取光度法测定铁。在pH 5.0的乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,铁与茜素S形成紫红色配合物,被萃取到高聚物相。其配合物的最大吸收波长位于580nm,摩尔吸光系数为4.02×10~4,Fe(Ⅲ)浓度在0～1.5μg·ml~(-1)范围内符合比耳定律,方法用于发样和自来水中的微量铁测定,结果满意。     

苏云金芽胞杆菌的分离与鉴定及高毒力菌株的筛选

从湖北、湖南等省的土壤中分离得到14株苏云金芽胞杆菌菌株.血清型分析表明,苏云金芽胞杆菌分离株分别属于30个血清型中的3个血清型,另有两个与所用标准菌株的抗血清无凝集反应的菌株.观察和测定了苏云金芽胞杆菌分离株的形态和毒力,并用十二烷基磺酸钠-聚丙烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)分析了菌株的晶体蛋白成分,筛选到2株高效杀鳞翅目害虫的苏云金芽胞杆菌;并用特异性引物PCR检测了这些菌株的杀虫基因.     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。