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61.
Using the tanh method and a variable separated ordinary difference equation method to solve the double sineGordon equation, we derive some new exact travelling wave solutions, especially a new type of noncontinuous solitary wave solutions. These noncontinuous solitary wave solutions are verified by using the conservation law theory.  相似文献   
62.
唐田田  王德华  黄凯云  王姗姗 《中国物理 B》2011,20(6):63205-063205
Based on the closed-orbit theory, the magnetic field effect in the photodetachment of negative ion in the electric field near a metal surface is studied for the first time. The results show that the magnetic field can produce a significant effect on the photodetachment of negative ion near a metal surface. Besides the closed orbits previously found by Du et al. for the H in the electric field near a metal surface (J. Phys. B 43 035002 (2010)), some additional closed orbits are produced due to the effect of magnetic field. For a given ion-surface distance and an electric field strength, the cross section depends sensitively on the magnetic field strength. As the magnetic field strength is very small, its influence can be neglected. With the increase of the magnetic field strength, the number of the closed orbits increases greatly and the oscillation in the cross section becomes much more complex. Therefore we can control the photodetachment cross section of the negative ion by changing the magnetic field strength. We hope that our results may guide future experimental studies for the photodetachment process of negative ion in the presence of external fields and surfaces.  相似文献   
63.
采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。  相似文献   
64.
本文以矩阵的秩为工具给出了三矩阵乘积 ABC 的 Moore-Penrose 逆满足逆序律(ABC)+=C+B+A+的充要条件,同时也给出了该结果的若干推论及应用.  相似文献   
65.
胡明亮  田东平 《中国物理 C》2006,30(11):1132-1136
研究了存在次近邻相互作用(耦合)时Heisenberg XX链的纠缠特性. 结果表明对近邻格点, 随着耦合常数J的变化, 次近邻相互作用的存在可能使其纠缠度增大或者减小; 而对次近邻格点, 引进次近邻相互作用却可以产生纠缠, 并且使其随着|J|的增大而增大. 近邻格点间纠缠存在的临界温度Tc随着J的增大而降低, 次近邻格点间纠缠存在的临界温度Tc随着|J|的增大而升高. 此外对纠缠W态的制备, 次近邻相互作用的存在还使得三量子位情形时W态产生的时刻改变, 而对于四量子位情形却没有影响.  相似文献   
66.
研究了SrAl12 O19:Pr3+和Y3Al5O12(YAG):Pr3+在20K,77K和300K的真空紫外(VUV)光谱,二者除了表现出Pr3+特有的发射性质外,还产生了一种特殊的发射现象,即自陷激子(STE)发射,并且其随着稀土离子浓度和温度的降低而增强.还着重讨论了自陷激子对Pr3+发光的影响.  相似文献   
67.
郑凡  田小建  李雪妍  吴斌 《中国物理 B》2008,17(5):1685-1690
A new Hash function based on the generalized Henon map is proposed. We have obtained a binary sequence with excellent pseudo-random characteristics through improving the sequence generated by the generalized Henon map, and use it to construct Hash function. First we divide the message into groups, and then carry out the Xor operation between the ASCII value of each group and the binary sequence, the result can be used as the initial values of the next loop. Repeat the procedure until all the groups have been processed, and the final binary sequence is the Hash value. In the scheme, the initial values of the generalized Henon map are used as the secret key and the messages are mapped to Hash values with a designated length. Simulation results show that the proposed scheme has strong diffusion and confusion capability, good collision resistance, large key space, extreme sensitivity to message and secret key, and it is easy to be realized and extended.  相似文献   
68.
用高温熔融法制备了Er~(3+)/Tm~(3+)共掺杂无铅铋硅酸盐玻璃.测试了玻璃的吸收光谱和荧光光谱,分析和表征了Er~(3+)、Tm~(3+)离子之间的能量传递机制和传递效率,结果表明:在800 nm和1 550 nm光源泵浦下,Er~(3+)的掺入能够增强Tm~(3+)离子1.8μm发光,相应的最大发射截面分别为6.7×10~(-21)cm~2和7.3×10~(-21)cm~2,荧光带宽达到250 nm.根据Dexter-Foster模型,得到Er~(3+):~4I_(13/2)能级到Tm~(3+):~3F_4能级的直接能量传递系数为16.8×10~(-40)cm~6/s,为1 550 nm泵浦下获得较强的1.8μm发光奠定了基础.  相似文献   
69.
应用国产DJS-6型电子计算机,采用ALGOL语言,设计了盐和卤水中多种微量元素同时光谱分析的数据处理过程,包括采用变换式将测得的谱线透过率值转换,以两阶法校准感光板乳剂,扣背景和计算含量,一次算出样品中铝、铂、金、铁、铅、锡、铬、锰、镓、镍、铋、钼、鉏、钛、镉、铜、银、锌、钴等十九种微量元素的含量、并以毫克/升或百分数的形式打印,数据处理速度快,准确可靠,精度高。  相似文献   
70.
KDP(磷酸二氘钾)晶体为贵重的人工晶体,其外形如图1所示。它具有透明度好、折射率均匀、电光系数大、机械强度高、能承受强光等特点,所以KDP晶体作为电光开关、电光调Q、倍频元件等都是很理想的材料。  相似文献   
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