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51.
研究了WO3对Rubrene/C70有机太阳能电池 (OSCs)性能的 改善,制备了结构为ITO/WO3/Rubrene/C70/BCP/Al的OSCs,其中WO3插入在I TO和Rubrene中间作为阳极修饰层。通过优化WO3的厚度,研究了WO3对OSCs性能的改善及其作用机理。实验发现,器件的短路电流Jsc、开路电压Voc、 填充因子(FF)、光电转换效率(PCE)和串联电阻Rs等性能参数随WO3厚度的变化呈规律性变化;当 WO3厚度小于80 nm时,器件PCE随着厚度的增加不断增大;当W O 3厚大于80 nm时,器件PCE随着厚度的 增加不断减小;当WO3厚度为80 nm 时,器件PCE达到最高为1.03%, 相应的J sc、Voc、FF分别为2.81mA·cm-2、 0.83V、43.85%,Rs为45.3Ω·cm2,对比没有WO3修饰层, 器件的Jsc、Voc、FF和PCE分别提高了31%、137%、17%,Rs降低了33%。 相似文献
52.
53.
本文通过分析商洛市应急广播体系建设过程和现状以及实际使用中存在的问题,提出如何在经济欠发达地区使基层应急广播真正发挥“战时应急、平时服务、资源共享、分级管理”作用的有效举措。 相似文献
54.
(接上一期) 6.电子企业质量管理信息系统(QIS)框架 按照对产品全质量生命周期进行管理和适应企业已实施的ISO9000管理体系的思路,QIS系统应从产品实现策划、设计、采购、生产、服务、测量和持续改进的全过程进行质量管理和控制.其系统原理图如图6-1: 相似文献
55.
56.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献
57.
针对PLC项目中的某些参数调节问题,研究了带按键旋转编码开关的工作原理及使用方法。基于西门子S7-1200系列PLC设计了实验,包括硬件配置、接线图及程序设计。通过研究带按键旋转编码开关的工作原理,并对其输出信号进行了分析。根据元件输出特性对PLC进行编程,完成了对开关旋转方向的判别及信号提取。经实验验证,该设计能够实现对参数增减的灵活调节功能,带按键旋转编码开关具有可靠性高、操作便捷、控制精准、调节范围广等特点,将其应用到基于PLC的晶体生长炉控制系统中,使得对晶体生长控制系统的操作更加便捷。 相似文献
58.
59.
为了提高再生放大器输出激光脉冲的对比度,需要同时提高激光脉冲纳秒尺度的对比度和皮秒尺度的对比度。利用普克尔盒对主脉冲和预脉冲时间滤波的方法,设计了普克尔盒的双通预脉冲清洁装置,通过该装置使再生放大器输出激光纳秒尺度的预脉冲对比度提高了5个数量级;利用频谱整形方法,通过在放大器腔内适当位置插入频谱整形滤波片使得主脉冲前400 ps处的放大自发辐射对比度提高了1个数量级。最终,在双通预脉冲清洁与腔内频谱滤波共同作用下,再生放大器输出激光纳秒尺度的预脉冲对比度从4.3×10-4提高到了6.6×10-10,放大自发辐射对比度(主脉冲前400 ps)从5.0×10-8提高到了5.0×10-9。 相似文献
60.