MoO2微米空心球的水热合成及合成机理研究

Micrometer-sized MoO2 hollow spheres were synthesized hydrothermally with ammonium heptamolybdate tetrahydrate as molybdenum source, Cetyltrimethylammonium bromide as structure-directing agent and C2H5OH as reducing agent, respectively. The products were investigated by X-ray diffraction, thermo- gravimetry and differential thermal analysis, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. A morphology transition of "blocks-solid spheres-hollow spheres" during the growth process was observed and the possible mechanism for the formation of MoO2 samples was proposed to be through a microscale Kirkendall effect.     

线缆生产设备专用铝合金导轮研制及应用

针对3种不同工艺制备的Φ290×28卧式收线机导轮的材料成分、力学性能和组织性能的测试、生产周期、生产成本及导轮的应用情况等分析,发现定制的6061铝合金材料主要化学成分为1.12%Mg、0.71%Si、0.11%Cu、1.25%Zn及96.34%Al,1.25%Zn使铝合金冲压成形性能有较大改善。精密锻造工艺制备的导轮硬度为124HV,抗拉强度为325MPa,延伸率为14.25%,应变达到14.8%时材料才发生断裂,组织结构均匀致密,无疏松多孔缺陷。与利用铝棒进行机械切削加工和铸造成型切削制备导轮的两种工艺相比,导轮的硬度、抗拉强度、韧性、组织性能大幅度提升,导轮机械综合力学性能好,外观美观光洁度好,动平衡性好,整体质量好,而且生产成本下降50%以上,使用寿命长。可见,利用模具精密锻造铝轮胚体快速成型,经T6热处理和表面强化制备导轮工艺为最佳导轮生产工艺。     

基层应急广播建设有效发挥作用的思考

本文通过分析商洛市应急广播体系建设过程和现状以及实际使用中存在的问题,提出如何在经济欠发达地区使基层应急广播真正发挥“战时应急、平时服务、资源共享、分级管理”作用的有效举措。     

基于声门闭合瞬间检测的时延算法研究

阐述了基于声门闭合瞬间检测的时延估计方法基本原理,研究了基于希尔伯特变换的线性预测残留误差时延估计法提取时延的方法,并与最大似然广义互相关方法进行了性能分析和比较,结果表明线性预测残留误差的均方偏差最小,抗混响能力强,运算量适中,便于实时实现。     

高压母线停运过程中产生电磁谐振的原因与预防

分析在高压220kV母线停运过程中,产生电磁谐振的原因,并结合实例,阐述了如何在设备上及运行人员的操作方法上进行防范的解决措施。     

ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响

采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH₄Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。     

5G移动通信技术基站选址方案的研究

5G的基站选址作为5G的命脉,其选址原则与传统的基站选择原则大不相同,存在一系列的问题和挑战。针对5G基站选址存在的问题,结合5G移动通信技术本身的结构和频谱等特性,对传统的站址选取原则进行改进,解决5G基站建设过程中存在的选址难度大和受信号干扰等问题,形成适合于5G移动通信技术的基站选址方案,有望改善目前的5G基站境况。     

1200 V碳化硅功率MOSFET低温特性的实验表征及分析

碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。     

抗IgG-Fc蛋白ssDNA适配体的筛选与鉴定

传统的抗IgG-Fc单克隆抗体制作过程繁琐、耗时长且批间差异大,极大的限制了其应用。因此寻找一种抗IgG-Fc单克隆抗体的替代元件是十分必要的。本研究基于微孔板指数富集的配体系统进化技术（微孔板-selex）,设计了针对抗IgG-Fc蛋白ssDNA适配体的筛选方案。交替包被5种IgG单克隆抗体于酶标孔作为筛选靶分子,将从靶分子上洗脱的核酸适配体作为模板进行PCR扩增,生物素-链霉亲和素ELISA测定第3,7,13,14,16,18轮筛选获得ssDNA文库与内酰胺酶单克隆抗体的结合能力,并将第19轮筛选获得的ssDNA文库进行TA克隆验证、高通量测序。经过19轮筛选,得到69796条抗IgG-Fc蛋白的适配体,选取出现频率最高的ap-1（178次）、ap-2（129次）、ap-3（58次）体外合成并在其5,端标记生物素,经ELISA鉴定3条适配体分别与5种IgG单克隆抗体有着较强的结合能力,并与3%BSA几乎不结合。Ap-1结合能力最强,被认为是本次筛选得到最佳抗IgG-Fc蛋白核酸适配体。实验结果表明本文筛选获得抗IgG-Fc蛋白的核酸适配体,具有成为抗IgG单克隆抗体替代元件的潜力。     

L-B膜内银超微粒子的电化学制备及表征

在8～14层硬脂酸银L-B膜内,用电化学还原法制备了纳米尺度的银超微粒子,实验表明,银超微粒子的形成是观察多层L-B膜高分辨STM图象的必要条件,利用STM技术不仅观察到8层L-B膜的六方排列的硬脂酸脂链结构,还直接观察到2～3nm直径的球形银超微粒子结构;首次报道L-B膜亲水层原子尺度的网状STM图象,该图象显示了脂链六方的(2×1)结构,是羧基之间由氢键自组织的结果;银超微粒子有很强的表面增强Raman散射效应,由此测得了两层L-B膜在1100～1200cm ~1范围的Raman光谱,为从分子水平认识两层L-B膜的有序性提供了实验基础。