压电陶瓷复合体

在发现新效应和新材料的初期,材料的进展往往是缓慢的.但是当其重要性被确认以后,人们便会积极地研究适应新应用的材料,材料科学就会出现如图1所示的跃进.从发现的新材料中选择出最佳材料,通过实际应用之后逐步趋于成熟,至此材料科学的进步就达到了饱和.     

外延CVD设备

CVD设备 欲使器件具有高可靠性,则须实现器件的高性能与高密度化,若干年来,这项技术研究已达到了白热化的程度,而且这种白热状态今后仍将保持下去。特别是,由于微细加工技术的进步,半导体器件制造技术必将产生实质性的重大飞跃。如图1所示,对于器件的动向     

刻槽剥离砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管

砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(以下缩写成 GaAs SB FET)在微波领域中与硅双极晶体管相比显示出更多的优良特性,在微波通信设备的微波放大器和振荡器中,从小信号低噪声和大功率放大二个方面进行着研究,现在已接近实用阶段。要想提高 SBFET 的性能,有必要把器件结构的最佳设计技术、含有缓冲层的亚微米外延生长技术、源和漏的欧姆电极形成技术,与缩短栅长相关的微细图形制造技术等许多技术加以有机结合起来。     

电沉积光致抗蚀剂法的技术动向

在国内,电沉积光致抗蚀剂法的实用化已经有八年多时间。在实用化的最初阶段,正是印制板业界取得惊人发展的时期,业界对新技术的期待和旺盛的投资欲望促使其生产线的应用得到飞速的增长。当时采用的理由是,与干膜法相比在精细化方面有着很大的优势。但是,随着经济的不景气,在为了生存而进行的激烈的竞争中,不只在精细化方面,还要看电沉积光致抗蚀剂法在提高竞争力方面能起到什么作用。     

低功耗64×64 CMOS快照模式焦平面读出电路新结构

介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路的低功耗新结构-OESCA(Odd-Even SnapshotCharge Amplifier)结构该结构像素电路非常简单,仅用三个NMOS管;采用两个低功耗设计的电荷放大器做列读出电路,分别用于奇偶行的读出,不但可有效消除列线寄生电容的影响,而且列读出电路的功耗可降低1 5%,因此OESCA新结构特别适于要求低功耗设计的大规模、小像素阵列焦平面读出电路采用OESCA结构和1.2μm双硅双铝标准CMOS工艺设计了一个64×64规模焦平面读出电路实验芯片,其像素尺寸为50μm×50μm,读出电路的电荷处理能力达10.37pC.详细介绍了该读出电路的体系结构、像素电路、探测器模型和工作时序,并给出了精确的SPICE仿真结果和试验芯片的测试结果.     

具有时间延迟积分（TDI）功能的288×4红外焦平面读出电路

提出了一种具有TDI功能的288×4扫描型红外焦平面读出电路。分析了TDI的工作原理及电路实现,给出了本类电路TDI功能的测试方法。实现了支持积分同时读出（IWR）的相关双采样（CDS）及其可测性设计。提出了一种大规模扫描型焦平面读出电路的低功耗设计方案。本文的设计结果经过了流片验证。     

基于差异图构造与融合的SAR图像变化检测方法

针对合成孔径雷达(SAR)图像固有的相干斑点噪声而影响变化检测精度和准确性等问题,提出了一种基于差异图构造与融合的SAR图像变化检测方法。该方法通过L-SRAD混合滤波对SAR图像进行预处理,使用基于边缘预检测的小波融合算法实现对数双曲余弦比值差异图D_CLR和邻域比值差异图D_NR的融合,结合FCM算法和CWNN卷积神经网络对所得融合差异图进行变化检测。其中FCM算法将融合差异图预分类为三个聚类,选择合适的预分类结果作为训练样本训练CWNN模型,最后使用CWNN模型对预分类结果进行二次分类,得到最终的变化检测图。在Bern数据集上进行了对比实验,实验结果证明该方法具有较强的变化检测能力,变化检测准确率达到99.67%。     

IP核的复用设计

作为SOC技术的关键,可复用的IP核成为设计者迎接这个挑战的有力武器。IP核的复用技术已经制订了一系列的工业标准和数据格式,相信它必将成为2000年初芯片设计工业的强大动力。     

iPhone设计揭密

iPhone为人们带来了以前手机和PDA未能实现的新体验。操作方面采用了模仿物理运动的界面和大型多触点显示屏，增强了使用乐趣。但是也存在主要功能缺乏、使用不便等缺点，因此也许还不能真正给人爽心悦目的体验。     

Android手机平台战略的雄心——Google打开潘多拉盒子手机开发面临巨大转变

种种迹象表明Google公司开始涉足手机市场。该公司于2007年11月宣布面向手机市场推出免费的Android开发平台,采用该平台的手机也将于2008年下半年上市。Google公司计划从中国台湾HTC（High Tech Computer）公司、LG电子、摩托罗拉和三星这四家公司入手,开辟市场,然后目标直指行业标准。