用于5英寸硅片的掩模对准技术

在新兴的集成电路技术中技术革新搞得很快,而且经济效果也很显著。由于硅片尺寸的增大以及图形尺寸的微细化引起了集成度的不断提高,这就提出了降低器件成本的问题,当然这些革新成果必然为各厂家所注目。我们在本文中介绍一下:卡诺PLA—500FA型掩模对准仪,该仪器能很经济地制做2μ宽线条的器件。在这种仪器中,接近式、软接触式及接触式光刻可用一个开关来转换,而且可以根据图形所要求的分辨率来选择光刻形式。另外,由于仪器附有远紫     

二维各向同性均匀随机介质中平面波的传播及其局域性

讨论了二维各向同性均匀随机介质中平面波的传播及其局域性.假设二维随机介质具有各向同性窄带高斯谱,运用随机泛函理论给出了二维介质中随机平面驻波的解析近似解及其幅度和相位的定量统计特性.计算结果证实了波在随机介质中传播时的局域性.将二维介质中的平面波和柱面波的传播特性作了对比.数值结果模拟了二维随机介质场及平面驻波,并验证了本文结果的正确性. 关键词： 随机介质 随机泛函 平面波 局域性     

基于DSP和FPGA的电视观瞄系统设计

电视观瞄系统以FPGA为处理核心，实现红外数字视频信号的实时图像处理，DSP实现了部分的图像处理算法和FPGA的控制逻辑，并响应中断，实现数据通信和存储。[编者按]     

深亚微米下芯片电源网络的设计和验证

随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往。集成电路（IC）设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0．18um,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题。本文首先介绍电压降（IR-Drop）和电子迁移率（Electro-migration）现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片（ECC＆RSA）的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。     

高分辨率1英寸HARP摄象管

一、前言将非晶硒膜上施加高电场时发生的雪崩倍增现象应用于摄象管的光电变换膜 HARP 靶上,具有灵敏度高而且象质好的优良特性。笔者用这种 HARP 靶制过2/3英寸摄象管,此管的摄象机已在包括精彩的奥林匹克高清晰度电视中继在内的许多节目中得到使用。但是,我们可设想一下,今后,随着高清晰度电视广播走向正规化,需要更高性能的摄象机用摄象管。因此,本文报道具有灵敏度高、惰性低、更高分辨率的1英寸 HARP 摄象管的试制和评价。     

ULSI中的铜互连线RC延迟

随着ULSI向深亚微米特征尺寸发展，互连引线成为ULSI向更高性能发展的主要限制因素。由互连引线引起的串扰噪音及RC延迟限制了ULSI的频率性能的提高，同时考虑到电迁移和功率损耗，人们开始寻找新的互连材料；低电阻率的铜互连材料和低介电常数介质的结合可以有效地发送互连线的性能，主要讨论了互连延迟的重要性以及发送和计算延迟的方法。     

Jahn-Teller Distortions Cooperating with Magnetic Interaction in the Raman Spectra of La0.75Ca0.25MnO3 Thin Film

Remarkable changes (additional peaks, frequency shift, and peak width) of Raman spectra ofa La0.75 Ca0.25MnO3 thin film have been observed during the paramagnetic insulator-ferromagnetic metal transition. The vl band (230cm^-1) hardens by lattice contraction as a result of the rearrangement of Mn06 octahedra. The Jahn-Teller distortions seem to be responsible for the broadening of v2 band (485 cm^-1) above the magnetic transition temperature Tc. It is proposed that the 438cm-1 vibration mode activated in the magnetic ordering state is associated with the rearrangement of MnO6 octahedra. The softening of v3 band (610cm^-1) below TC can be ascribed to the magnetic interaction that brings into spin-phonon coupling terms.     

栅耦合型静电泄放保护结构设计

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题，而且节省了版图面积，提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明，该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法，能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值. 关键词： 静电泄放 栅耦合 金属氧化物半导体场效应管 压焊块电容     

深亚微米CMOS的功耗分析

一、历史回顾 在集成电路家族中,目前CMOS是绝对的望族,占到90%以上,数字集成电路几乎百分之百由CMOS工艺实现.CMOS以互补为特征,包括两方面含义:一是器件极性的互补,所用MOSFET包含N、P两种极性;另一是电路结构的互补,NMOS与相对应PMOS的串、并联接方式互补,这就产生了CMOS集成电路最佳的输出特性和极低的功率消耗.CMOS的输出电平可以达到电源电压VDD和地电平GND,这是TTL、甚至NMOS(即E/D MOS)不可比拟的;CMOS的输出驱动能力虽比不上TTL,但优于NMOS是不成问题的.     

石英晶体陀螺仪传感器为感测领域带来全新风貌

目前已被应用在为数众多的数位单眼相机中，并逐渐延伸至汽车导航系统及其他产品。随着封装技术的不断进步，芯片尺寸的持续缩减，拥有高度准确性、稳定性及其他特性陀螺仪传感器，更将逐步应用在更多元的产品应用当中。