Synthesis, Characterization and Two-Photon Absorption Properties of a Novel Pyridinium Salt

A novel pyridinium salt, 2,4-bis[p-(N,N-dimethylamino)styryll-N-metlayl pyridinium iodide (BMSPI) was synthesized and characterized by TG, ^1H NMR spectroscopy and elemental analysis, and the reaction process was studied by using ES-MS. When BMSPI was pumped by a pulsed 1064 nm, 50 ps laser beam, it manifests highly efficient TPA (Two-Photon Absorption) and up-conversion superradiance. The up-conversion efficiency was 6.0% at the pump energy of 4-6 mJ and the lifetime of two-photon fluorescence was measured as 59 ps.     

呲咯电化学聚合的现场ESR波谱和Raman光谱研究

本文采用ESR波谱和Raman光谱方法现场(in situ)研究吡咯在水溶液中的电化学聚合过程。ESR结果显示,形成的聚吡咯(PP)膜的氧化态结构(PP++)对吡咯的氧化聚合具有电催化活性;由此可解释吡咯在PP膜上更易聚合的实验事实。利用表面增强共振Raman散射(SERRS)效应,可研究PP膜在金电极上的形成和增厚过程的结构。光照下吡咯的电化学聚合电位显著降低(约300mV),此光催化作用可望在制备新型有机器件等方面获得应用。     

金属基底上吡咯光电化学聚合的研究

近年来,国内外对聚吡咯已进行广泛的研究,主要内容包括:电化学聚合,机理与结构表征,电化学氧化还原性质,聚吡咯的化学修饰。最近报导了半导体上吡咯的光电化学聚合。我们在低于吡咯电聚合电位下观察到聚吡咯的Raman讯号。本文研究在中性溶液中金属基底上吡咯的光电化学聚合,以及光源波长、强度和介质等因素的影响。     

电化学聚对苯膜的现场ESR及其性能研究

本文用现场电化学-ESR联合测试的技术, 对电化学聚对萃膜在浓H_2SO_4中的性质进行了研究, 结果表明: 聚对苯膜具有高的电导率和相对低的自旋磁化率, 极化子与偶极化子为主要导电者, 并在一定的电位下相互转化, 自旋粒子有很大的离域性。膜中链与链之间可能存在部分的氧桥结构, 而引起体系结构的某些变化, 使聚对苯膜的电导提高以及掺杂容易进行。掺杂量受电位控制, 浓H_2SO_4中的HSO_4~-嵌入/脱嵌的电化学可逆性很好, 最大掺杂量可相当于每5个苯环单元氧化出一个正电荷, 可望将电化学聚对苯用作稳定的二次电池电极材料。     

邻氨基酚电聚合膜的研究

在酸性溶液中, 邻氨基酚(OAP)可电聚合成均匀的活性聚邻氮基酚膜(POAP), 膜有致密结构和“张开”结构。POAP膜的主要结构形式为: 与Ni~(2+)络合后, 形成POAP—Ni~(2+)膜, 其主要结构形式为:     

8,10-二炔廿五碳酸LB膜的周期结构

合成了8,10-二炔廿五碳酸,在玻璃片、石英片和镀金片上沉积了它的LB膜,X-射线衍射研究了LB膜的周期结构和聚合对它的影响。在2θ=1°—15°范围内观察到了多达7个布拉格衍射峰。由此计算了等同周期和分子在基片上的倾斜角。用分子模型计算了衍射峰强度,得到了与实验结果相符合的衍射峰强度奇偶起伏现象。     

基于FrFT的欠采样LFM信号分离与参数估计

基于分数阶傅里叶变换，本文提出了一种欠采样条件下的宽带与窄带线性调频信号分离与参数估计方法。该方法先由延迟相乘和牛顿迭代算法估计信号的调频斜率，然后在分数阶傅立叶变换域进行滤波，实现信号分离。最后对欠采样信号解频率模糊，估计信号的初始频率。仿真表明了该方法分离宽带与窄带线性调频信号的可行性与分离后信号参数估计的有效性。     

分级分段印制插头工艺的研发与应用

介绍了一种采用特殊的设计方法制作分级分段印制插头的工艺生产的印制插头完全没有引线残留的踪迹,对分级分段印制插头的品质做到了有效的控制,可靠性实达到品质要求,通过了实际生产应用的验证,建立了工艺规范和品质管制计划,为批量生产奠定了坚实基础。     

温度对小角度对称倾斜晶界位错运动影响的晶体相场模拟

采用晶体相场法模拟了纳米尺度下小角度对称倾斜晶界的结构和位错运动,针对弛豫过程和附加外应力过程,观察了晶界上位错运动的位置变化和体系自由能变化,分析了温度对小角度对称倾斜晶界的结构和晶界上位错运动的影响规律.研究表明,弛豫过程中体系温度越低,体系自由能下降速率越大,原子规则排列速率增加,体系自由能达到稳定状态所需的时间越短,晶界达到稳定状态时位错对排列愈发整齐,呈现直线规则排列.外应力作用下,温度越低,晶体位错对首次相遇时间越长,晶体形成单个晶粒时间越长,位错对首次相遇到晶体内位错对完全消失过程时间越长;随着温度的降低,体系自由能出现多段上升下降,位错对反应也愈加复杂,趋向于逐对抵消.