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951.
激光熔覆镍基金属陶瓷涂层的组织性能研究 总被引:9,自引:8,他引:9
运用 5kWCO2 连续激光器在 16Mn钢表面激光熔覆镍基B4 C金属陶瓷层 (NB4 C)和镍基SiC金属陶瓷层(NSiC) ,研究了两种激光熔覆层的组织、结构、显微硬度及滑动磨损特性 ,并用激光熔覆镍基合金层 (Ni6 0 )进行了滑动磨损对比试验。结果表明 ,熔覆合金层显微组织由枝晶固溶体及其间细密的共晶组织组成 ,NB4 C熔覆层主要组成相为γ Ni,γ (Ni,Fe) ,(Cr,Fe) 7C3,CrB ,Ni3B ,Fe2 B ,Fe2 3(C ,B) 6 和B4 C等 ,NSiC熔覆层主要组成相为γ Ni,γ (Fe,Ni) ,(Cr,Fe) 7C3,Cr2 3C6 和 (Cr ,Si) 3Ni3Si等。三种激光熔覆层的显微硬度及耐滑动磨损性能由高到低的顺序为 :NB4 C→NSiC→Ni6 0。 相似文献
952.
1 IntroductionWhenarouterforwardsapacketinconvention alnetworks,itonlyusesfewsystemresources ,forexample,ituseslittlememoryresourcestotem porarilystorethispacketandfewCPUresourcestosearchforwardingrouteandprocessIPoptionpa rameters.Comparedtoconventional… 相似文献
953.
AHybridAlgorithmofBPNetworkandItsApplicationtoBlindEqualization¥LiangQilian;ZhouZheng;andLiuZemin(DepartmentofRadioEngineerin... 相似文献
954.
一、前言 1.目的本报告研究一种带驱动器的具有下列性能的实用宽频带集成电路K_a波段SPDT(单刀双掷)开关:设计指标力争指标频率26 .6一40GHz 功率容量2瓦连续波插入损耗2.6dB(最大)2.OdB 电压驻波比1.7(最大) 隔离度3OdB(最小)40dB 相似文献
955.
引言根据朴次茅斯的英国海军部水面武器研究机构完成的最新研究,本文提出了一种新颖的线性马达稳定控制系统的设想。一直在研究有可能将这种系统用于皇家海军的一种新型舰载警戒雷达,因为舰船自身在运动,雷达必须被“稳定”。就这点而言,“稳定”这个术语是 相似文献
956.
本文叙述一种用于单脉冲雷达的波纹多模馈源的性能。该馈源用四个方喇叭输出口来激励和模与差模。适当地选择参数能使辐射方向图具有低的交叉极化电平,因而可适应截获目标的极化特性。本文给出了波导不连续性问题的分析结果并讨论了波导模之间相位差的补偿方法。一些初步的实验结果同理论计算相符合。 相似文献
957.
本文概述了多碱光阴极方面的最新工艺进展情况,对多碱光阴极的制备过程、成份、能带模型、物理特性、工作特性以及多碱光阴极制备的自动化等作了讨论。报道了自动光阴极制备装置的设计、操作和性能,其基本操作是由计算机来完成的。在自动制备过程中,所有的控制和监视功能、判断和有关过程状态的操作以及光阴极的处理过程中的精确测量,都由计算机来完成。光阴极制备过程中的每一个参数都被存入计算机的内存中,而传感元件把各处理端测到的状态数据传送到计算机内,以便计算机按照程序确定的制备过程指数作精确的适时控制。文中还讨论了计算机程序的改进途径,并且用一个逻缉流程图示出程序的基本步骤。 相似文献
958.
959.
Ashutosh Kumar Singh Asish Bera Hafizur Rahaman Jimson Mathew Dhiraj K.Pradhan 《中国电子科技》2009,7(4):336-342
An error tolerant hardware efficient verylarge scale integration (VLSI) architecture for bitparallel systolic multiplication over dual base, which canbe pipelined, is presented. Since this architecture has thefeatures of regularity, modularity and unidirectionaldata flow, this structure is well suited to VLSIimplementations. The length of the largest delay pathand area of this architecture are less compared to the bitparallel systolic multiplication architectures reportedearlier. The architecture is implemented using Austria Micro System's 0.35 μm CMOS (complementary metaloxide semiconductor) technology. This architecture canalso operate over both the dual-base and polynomialbase. 相似文献
960.
In present work, a hetero-junction of n-silicon (n-Si) with copper phthalocyanine (CuPc) has been fabricated. The current-voltage characteristics were investigated to explain the rectification and conduction mechanism. The effect of temperature and humidity on electrical properties of n-Si/CuPc hetero-junction has also been investigated. The characteristics of the junction have been observed to be temperature and humidity dependent so it is suggested that this junction can be used as temperature and humidity sensor. 相似文献