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871.
872.
制出了稀土硫氧化物薄膜,这种薄膜本征阴极射线发光效率与同样的粉末状材料相等。这些薄膜可承受电子束装置的最大功率密度7W/mm~2,而不致烧伤或强度达到饱和。用12—KV阴极射线激发铽(Tb)激活的硫氧化镧薄膜,测得最高亮度,4×10~4呎朗伯是受到激发设备条件的限制的、做出了以Eu,Tb,和Tm激活的一种硫氧化镧多层薄膜,其发光颜色随电压而变化。 相似文献
873.
在较高频率下,场效应晶体管的栅噪声随频率的上升迅速增加。这种影响可以归结为导电沟道的热噪声,是由沟道和栅间的电容耦合引起的。这种噪声可以分别由栅和漏的噪声电流发生器 i_g 和 i_d 表示;发展了一种对于中高频计算 i_g~2、i_d~2和(?)的近似方法。i_g 和 i_d 的相关系数是个虚数,且在饱和条件下其值约为0.40j。i_g~2可以由噪声电阻 R_n 和栅一源电容 C_g,表示。已经证明,相关系数仅微弱地影响噪声系数 F,而(F_(min)-1)在宽频范围内随ωC_(g3)R_n 变化。 相似文献
874.
运用加速步进应力和恒定的应力与时间关系的试验技术证实了器件在使用状态的可靠性预测模型。该模型是从小信号二极管、小信号及功率晶体管、硅可控整流器和金属氧化物变阻器上获得的。每种器件都遵循可靠性预测的阿列尼乌斯模型。己证明本技术可用来确定:(1)小信号二极管在极高的加速试验状态与现场工作状态之间的加速因子;(2)高应力水平和使用状态之间的加速因子或倍增因子,该使用状态能用来预测小信号二极管在超时间工作时的性能。讨论了潮湿对器件可靠性的影响。功率器件在工作时比周围环境有较低的相对湿度(RH)。这种低的相对湿度对潮湿的激活机构起了抑制作用。叙述了用来淘汰有早期制作型缺陷的晶体管的高可靠筛选技术。这种筛选对于改进电子系统的可靠性是有效的和经济的。综合考虑若干项影响可靠性的加速因子技术,已在二极管上得到证实。同样的技术也适用于多数的器件可靠性预测。但加速因子不能外推到超过器件最大额定值的应力水平,在这种应力下将会产生新的失效模式,它不遵从原有的失效率与应力之间的关系。本论文中给出的失效率直线范围都终止于这些阈值极限。 相似文献
875.
在某些情况下,在一线性介质和一非线性(克尔效应)介质的界面上,反射系数随光强的变化会表现出滞后效应。我们用~1ns 的红宝石激光脉冲入射到玻璃-CS_2界面上进行了实验,首次对这种滞后效应作了实验验证。本文介绍了这一实验结果。 相似文献
876.
现在,SAW谐振器已经在1.5千兆赫附近工作。现在已经能生产频率比过去的高一个数量级的,稳定的基模振荡器和高Q滤波器。这些SAW器件,可以使现代通讯和雷达系统的分系统或组件变得比较小,简单,并降低功耗。在本文中将讨论工作于0.5—1.5千兆赫之间的SAW谐振器的基本结构,制作技术和特性及其应用。 最简单的声表面波(SAW)谐振器,等价于已广泛使用于振荡器和窄带滤波器的声体模式晶体谐振器。一个SAW谐振器,由表面上有两个分布式反射器和一个或几个电-声叉指换能器的压电晶片构成。反射器应构成一个能够约束表面波的谐振腔,而叉指换能器应能使能量进入并离开谐振腔。图1是一个SAW 相似文献
877.
求特殊问题的最优时间表要寻找一个有效方法来构造最优时间表,一般说来似乎永远做不到,但在时间表问题中,却存在几个使人感兴趣的特殊情况,使得求最优时间表是可能的。在本节中,我们要来讨论其中两种情况,同时为了有助于理解为什么这些途径能行得通,我们要简单谈一谈隐藏 相似文献
878.
一、引言本文描述的是一种设备,它克服了在高频无线电线路上提供高质量保密语言所面临的困难,并适于在其它恶劣的线路上工作,比如可在低于正常数据传输最低标准的电话信道上工作。此外,利用积木式原理来改装设备,便能得到安全传送数据业务的多种装置。二、高频无线电线路上的话音保密问题众所周知,为了获得最高的保密质量,必得把明文消息变为数字形式,尔后经过处理,以产生准随机的比特流(以同一种数据率)用于传输。数据率的选择,取决于明文消息的质量允许降低的程度。对于语言来说,通常使用的最低速率 相似文献
879.
早已为人们熟知的ZnS:Cu一类粉末层交流电致发光(“EL”)用于信息显示,虽其成本较低,到目前为止还是没有得到成功。 通过现行一些方法的新的组合,我们已经消除了它的一些障碍,使EL变成可与发光二极管相匹敌,特别是在多象元、大面积显示或者是需要兰色、绿色、白色或带颜色的那些场合。 以前的电致发光层主要缺点是迅速老化,这一点已经由Lehmann的“超长寿”处理 相似文献
880.
Eu~(3 )的发光是人们所熟悉的。主要地从~5D_0能级起源,跃迁到~7F_J簇。在Eu~(3 )的发射光谱中,一般地是~5D_0-~7F_2或~5D_0-~7F_1谱线占优势。如果Eu~(3 )离子占有一个位置,该位置的对称允许是线性晶体场项,则~5D_0-~7F_0跃迁仅仅具有可以测量的强度。本工作涉及在AMgF_3(A=K,Rb,Cs)晶格中~5D_0能级的位置。这种位置是由在这些晶格中具有适当强度的~5D_0-~7F_0发光跃迁得来的。 相似文献