具有锥瓣形光波导的2-甲基4-硝基苯胺对Nd:YAG激光产生二次谐波

在最近几年,合成了具有极大的光学非线性的有机化合物。它们的非线性至少能与一般的非线性材料如磷酸二氢钾(KDP)或LiNbO_3相比或更大。本文研究中,采用2-甲基4-硝基苯胺(MNA)的薄晶片进行二次谐波产生的实验,MNA是用汽相生长法制备,它的非线性很大,SHG张量的最大分量d_(11)=2.5×10~(-10)m/V,品质因数比LiNbO_3大2000倍,在控温油槽(温度精度±0.1℃)内进行汽相生长。在密封玻璃管中,温度达到120℃,十天内生长出晶体。制出的MNA晶体是类似薄片的透射     

矩形波导窄边斜缝的谐振电导

本文介绍了一种确定矩形波导窄边斜缝的导纳和谐振电导的方法。利用平面波角谱和模电流的不连续性导出了缝隙导纳的表达式。当缝在宽壁上切入深度假定为零时,本方法获得的谐振电导解与史蒂文森所获得的完全一致。本文还比较了缝在宽面切入深度为3.5毫米时其谐振电导随着倾角变化的理论和实验结果。     

A Remark on a Paper of Banerjee, Lardy and Lutoborski

The paper that may be worthy of remark is entitled "Asymptotic Expansions of Integrals of Certain Rapidly Oscillating Functions" and appeared in Mathema tics of Computation, Vol. 49, No. 179(1987), 243—249.What we would like to mention is that the main result of the paper, namely an asymptotic expansion formula with a remainder estimate (cf.§3), is actually a special consequence     

用于雷达和卫星的匹配滤波器

表面波器件、电荷转移器件和大规模数字集成元件使得一些复杂而有效的匹配滤波器得以实现。本文中,G.N.鲁宾逊用一些例子说明了匹配滤波器的不同形式和用途。     

Dickson Polynomials Over Finite Fields

In this paper we will study Dickson polynomials of the first and second kinds over finite fields. For these polynomials we will discuss some known properties, point out some similarities and differences between the two kinds, and most importantly, indicate a number of open problems concerning these polynomials.     

ON THE UNIQUENESS OF THE WEAK SOLUTIONS OF A QUASILINEAR HYPERBOLIC SYSTEM WITH A SINGULAR SOURCE TERM

This paper is a continuation of the authors'previous paper[1].In this paper the authorsprove,assuming additional conditions on the initial data,some results about the existence anduniqueness of the entropy weak solutions of the Cauchy problem for the singular hyperbolicsystem a_t+(au)_x_2au/x=0,u_t+1/2(a~2+u~2)_x=0,x>0,t≥0.     

关于弹簧质量修正的演示

一个质量为ｍ的物体悬挂于质量为 Ｍ、倔强系数为 Ｋ的螺旋弹簧下端，其振动频率与一个质量为 ｍ＝ｍ＋ｐＭ的物体悬挂于具有相同倔强系数的无质量的弹簧下端时的振动频率相同．系数ｐ的范围从１／３（当ｍ》Ｍ时）变化到π２／４＝０．４１（当ｍ《Ｍ时）．用一条竖直钢带加上许多等间距的横臂构成的波的演示装置是一个等效系统．如果最下面的横臂用一个其上可以装上不同的砝码的横杆代替，则与质量比率ｍ／Ｍ相对应的系数Ｐ可以在一个相当大的范围内变化．     

超大规模集成电路中任意形状掩模边缘附近的离子分布

离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。     

催化剂薄层内甲烷水蒸气重整反应强化管内对流换热的数值模拟

本文以竖直圆管内壁催化剂薄层内发生甲烷水蒸气重整反应强化对流换热作为研究对象,对其进行了数值模拟．结果发现,催化剂薄层内的吸热化学反应可以有效地强化对流换热,降低流体和壁面温度,从而对壁面起到保护作用;极限热流密度的大小与流体的入口温度有关,存在最佳入口温度使极限热流密度最大．     

混合信号芯片设计处理关键的转折阶段

通过简单地剪切和粘贴知识产权(IP)内核可以加快无工厂半导体公司的系统级芯片(SOC)设计。 过去十年中,涌现出大量的为系统制造商提供专用芯片(ASIC)的小型IC设计公司。这些被称为无工厂企业(因为他们将IC制造过程转交给商业芯片制造工厂),需要的启动资金较少,而且如果市场接受他们的产品的话,能够获得丰厚的回报。在大量设计工具的支持下,这些无工厂设计企业在历史悠久的大型芯片制造商,如IBM、Intel、Motorola和德州仪器公司所主导的市场中赢得了一席之地。