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21.
1 Introduction ExpressMailService (EMS )wasopenedupbyChinaPostintheearly 80stomeettheneedsofeco nomicdevelopment.It sthemostcompetitiveoneofthepostservices.There recivilaviation ,Chinarail wayandotherprivateexpressdeliverycompaniesdomesticallyandUPS ,TNT ,DHLandTEDEXcompetingwithEMSintheinternationalmarket.OneofthemostpowerfulcompeteweaponofthesecompaniesisthelowerpricethanEMS[1 ] .BecauseofthefiercecompetitionEMSdeclinedfromthemo nopolistindomesticandinternationalmarketoftheear…  相似文献   
22.
采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小,开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世,它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况,以改善大功率变换器的性能.  相似文献   
23.
ONAPAIROFNONISOMETRICISOSPECTRALDOMAINSWITHFRACTALBOUNDARIESANDTHEWEYLBERRYCONJECTURESLEEMAN,B.D.CHENHUAManuscriptrec...  相似文献   
24.
ASTRASSENLAWOFTHEITERATEDLOGARITHMFORPROCESSESWITHINDEPENDENTINCREMENTWangJiagangAbstractLetX={X(t),t0}beaproceswithindep...  相似文献   
25.
The singularly perturbed boundary value problem for nonlinear higher order ordinary differential equation involving two small parameters has been considered. Under appropriate assumptions, for the three cases:ε/μ2→0(μ→0),μ2/ε→0 (ε→0) andε=μ2, the uniformly valid asymptotic solution is obtained by using the expansion method of two small parameters and the theory of differential inequality.  相似文献   
26.
This paper studies the nonautonomous nonlinear system of difference equationsΔx(n)=A(n)x(n)+f(n,x(n)),n∈Z,(*) where x(n)∈R~N,A(n)=(a_(ij)(n))N×N is an N×N matrix,with a-(ij)∈C(R,R) for i,j= 1,2,3,...,N,and f=(f_1,f_2,...,f_N)~T∈C(R×R~N,R~N),satisfying A(t+ω)=A(t),f(t+ω,z)=f(t,z) for any t∈R,(t,z)∈R×R~N andωis a positive integer.Sufficient conditions for the existence ofω-periodic solutions to equations (*) are obtained.  相似文献   
27.
一种精微的3D钨光电晶体点阵(TPCL)已经由Sandia国家实验室开发出来,并且试验证明了可以将白炽灯泡浪费的大多数红外能量(热能)转换为可见光的频率。该方法使用标准的MEMS改进技术,并且TPCL技术可以将目前灯泡的发光效率从5%提高到60%以上。  相似文献   
28.
本文报道了用I-I'法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.  相似文献   
29.
The concepts of quasi-Chebyshev and weakly-Chebyshev and σ-Chebyshev were defined [3 - 7], andas a counterpart to best approximation in normed linear spaces, best coapprozimation was introduced by Franchetti and Furi^[1]. In this research, we shall define τ-Chebyshev subspaces and τ-cochebyshev subspaces of a Banach space, in which the property τ is compact or weakly-compact, respectively. A set of necessary and sufficient theorems under which a subspace is τ-Chebyshev is defined.  相似文献   
30.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.  相似文献   
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