气流混合对生长GaN：Si膜性能影响的研究

用金必有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN:Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析，研究了气流混合时间不同对GaN:Si膜性质的影响。结果表明：合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN:Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早，气流混合时间长，GaN:Si膜的黄带与发射强度之比较大，X射线双晶衍射半高宽；Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚，尽管可减少预反应，但气流混合不均匀，致使GaN:Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长、获得了光电及结晶性能良好的CaN:Si单晶膜。     

解析几何中的四类对称变换

[复习说明 ]由于平面解析几何中所研究的许多图形是对称图形 ,于是相关的对称变换问题经常在全国高考试卷与各地模拟试卷中出现 ,它是高考复习的一个热点专题 .本专题复习的重点是两点关于直线成轴对称问题 ;难点是两曲 (直 )线关于直线成轴对称问题 .[内容提要 ]1 .点 P(x,y)关于点 M(a,b)成中心对称的点是 P′(2 a - x,2 b - y) .2 .两点 P(x1,y1)、Q(x2 ,y2 )关于直线 Ax+By +C=0 (AB≠ 0 )成轴对称的充要条件是　 A .x1+x22 +B .y1+y22 +C =0 ,且 (- AB) .y1- y2x1- x2=- 1 .特例　点 P(x,y)依次关于直线 x =a,y =b,y =x,y =- x…     

运算放大器一种新的分析方法

从入射阻抗ＺＡ和反馈阻抗ＺＢ的概念出发，借助网络的Ｙ参数导出可供计算机编程的电压增益（ＡＶ）的一般表达式，并引入实例进行理论分析．结果表明：这种方法不仅适用于分析单环和多环反馈型运算放大器电路，同时对设计多种新功能的运算放大器电路是十分有效的     

多径衰落短波信道中SFH／MFSK通信系统的性能

分析研究了慢跳频／Ｍ进制频率键控（ＳＦＨ／ＭＦＳＫ）通信系统在存在瑞利（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）衰落和莱斯（Ｒｉｃｉａｎ）衰落的多径延时短波信道上的性能，导出了其准确的比特差错率的表达式，表明多径干扰数及其强度对系统性能的影响．同时给出了它们的数值结果和性能曲线．     

稀土冠醚类配合物的研究——ⅩⅩ.三价及二价稀土硫氰酸盐与辛二酰双(4′-苯并-15-冠-5)配合物的合成和性质

在乙腈和二氯甲烷混合溶液中合成了三价稀土元素(La,Nd,Eu,Dy,Er,Yb)硫氰酸盐与辛二酰双(4′-苯并-15-冠-5)的六个新配合物。并在氩气氛中,以四氢呋喃为溶剂,锂-萘为还原剂,制得了二价铕硫氰酸盐与辛二酰双(4′-苯并-15-冠-5)的固体配合物。通过元素分析、红外光谱、差热热重分析、荧光光谱、穆斯堡尔谱、电子自旋共振谱、还原性实验等研究了双冠醚与稀土离子的配位作用,并讨论了三价和二价稀土配合物在物理及化学性质上的差别。     

短波FH／MFSK编码系统中部分频带单音阻塞的性能

研究了带反馈链路的选择式频率分集的短波信道ＦＨ／ＭＦＳＫ编码系统，在具有加性白高斯噪声（ＡＷＧＮ）的瑞利衰落信道中，存在部分频带单音阻塞时的性能，并给出了采用ＲＳ码、双－ｋ码、重发码时，无编码与有编码系统的码符差错率与比特能量噪声比的关系曲线．     

力矩定理的向量形式在平面和空间的升维类比

物理学上的力矩定理的向量形式是——如果点O是线段AB内的任意点，那么