低含量铀,钍的X射线荧光光谱法测定

目前仪器分析低含量铀、钍的最佳方法是中子活化,质谱以及激光荧光法。自75年以来,不少研究单位已开始使用X荧光光谱法分析地质样品中的低含量铀和钍。其优点是制样简单,分析速度快,而且除了铀、钍含量外,还可同时测定诸如铷、锶、铅和钾等元素的含量。但到目前为止,人们     

富勒烯四甲氧基衍生物的合成与表征

富勒烯四甲氧基衍生物的合成与表征甘良兵，周胜，姜剑峰，黄春辉（北京大学化学与分子工程学院，北京，１００８７１）武轶，吕木坚，潘景歧（北京微量化学研究所）（北京大学分析测试中心）关键词Ｃ＿６０衍生物，甲氧基，四氮杂环十二烷富勒烯化学是目前人们研究的热门...     

系列单取代烷氧基-2-羟丙基-β-环糊精的合成与表征

以环氧氯丙烷和脂肪醇为原料, 通过相转移催化法合成了乙基、正丙基、正丁基和正戊基缩水甘油醚(1～4), 并利用所合成的缩水甘油醚和β-环糊精为原料, 分别在弱碱水溶液(1.5%)和强碱水溶液(30%)中制备并用硅胶柱分离出单2位取代的乙氧基、丙氧基、丁氧基和戊氧基-2-羟丙基-β-环糊精(1a～4a)和单6位取代的丙氧基、丁氧基和戊氧基-2-羟丙基-β-环糊精(2b～4b), 利用薄层色谱、红外光谱、差热扫描量热分析、质谱和核磁共振等手段对所合成的产品进行了表征.     

稀土与含硫有机配体配合物的研究: I. 二乙氨基荒酸稀土配合 物Et~2NH~2 [RE9S~2CNEt~2)~4]的合成、表征与结构

在干燥氮气氛中,以乙醇为溶剂制备出稀土与二乙氨基荒酸二乙铵形成的十五个配合物,测定了它们的红外及紫外光谱、热谱和电导,确定该类配合物组成为Et~2NH~2[RE9S~2CNEt~2)~4](RE=La-Lu,Y;Pm除外)。镧配合物的X射线结构分析表明,在该配合物中四个二乙氨基荒酸根各通过两个硫原子与镧离子成键,从而形成八配位的十二面体阴离子,并与二乙铵阳离子形成离子缔合型的配合物分子。     

双目视觉中的角点检测算法研究

为了实现双目视觉中的特征提取与立体匹配,在研究现有角点检测算法的基础上,提出一种改进的Harris角点检测算法。该算法首先采用图像分块和邻近角点剔除的策略,实现了阈值的自适应调节,并保证角点分布的均匀和避免角点聚簇的产生。结合Forstner检测算法,将精度提高到亚像素级。编程计算结果验证了该方法的准确性和稳定性。     

基于像素与子块的背景建模级联算法

针对子块级背景建模方法无法保证所提取前景形状的精确性及像素级背景建模方法无法有效处理非平稳场景的问题,提出了一种背景建模分层模型,首先采用文中子块级建模算法得到较为粗糙的背景区域和前景区域,然后利用混合高斯模型对特定图像区域执行像素级的前景提纯或背景模型更新操作,2种不同层次的算法通过非对称前向反馈机制进行级联。实验结果表明,所提分层模型在能够有效处理非平稳场景的同时保证了所提取前景形状的精确性,且对光照突变不敏感,建模效果优于级联算法中任一独立算法,而处理时间小于2种独立算法处理时间之和,满足了实时处理要求。     

基于Welch算法的SAW传感器测量系统

声表面波(SAW)传感器性能卓越,能满足恶劣环境的测量需求。针对测量过程中干扰源淹没回波信号的问题,研究了Welch算法在复杂环境下对提升回波信号检测精度的估计方法,设计了基于SAW温度传感器的温度测量系统,验证了算法在功率谱估计中的性能。测量系统包括发射及接收链路,实现了激励源的发射、回波信号的接收与处理及温度解算等功能。搭建温升实验平台,在20℃~110℃的温度范围通过该系统对高精度数显加热台进行温度测试。测试结果表明,相较于加热台设定温度,实际温度测量误差控制在2.4%以下,系统可靠性高且具有较好的测量效果。     

一种基于2DPCA的人耳识别方法

针对人耳识别问题,提出一种二维主分量分析(2DPCA)的人耳识别方法,该方法不需要预先将图像转换为一维向量,而是基于图像矩阵,直接计算图像协方差矩阵的特征向量作为人耳特征提取,大大加快特征提取的速度,从根本上克服了传统PCA在进行图像特征提取时耗时过多的缺点。并通过BP神经网络进行分类识别。实验结果表明,应用2DPCA方法提取人耳图像特征,可以大大提高识别效果。     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.     

ZnO纳米棒在Si衬底上外延生长研究

运用热蒸发ZnO粉末法,以金做催化剂,分别在Si(100)和Si(111)两种基片上外延生长了ZnO纳米棒(样品分别标为1#和2#).通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析,结合ZnO与Si的晶格结构特征,从理论上得出了两个样品的晶格匹配关系.1#样品:[0001]ZnO∥[114]Si,[0001]ZnO∥[1-1-4]Si,[0001]ZnO∥[11-4]Si,[0001]ZnO∥[1-14]Si,失配度为1.54;;2#样品:[0001]ZnO∥[111]Si,[21-1-0]ZnO∥[11-0]Si,[1-21-0]ZnO∥[1-01]Si ,[1-1-20]ZnO∥[011-]Si,失配度为18.12;.研究表明Si衬底对ZnO纳米棒生长方向具有调控作用.