Unix环境下专家系统工具HEST的研制──常规推理机的设计与实现

多种知识表示和多推理机机制是专家系统的一个新的研究方向。本文介绍Ｕｎｉｘ环境下专家系统工具ＨＥＳＴ研制中常规推理机的设计与实现，即基于一定方式结合的框架与规则知识表示的框架推理机和规则推理机设计思想及实现方法。     

短波SFH／MFSK系统频率监测方案的研究

本文研究了采用伪误码率探测的估算方法，对短波ＳＦＨ／ＭＦＳＫ系统进行频率监测方案的有效性和可行性。给出了理论证明、相应的设计参数和具体的实现原理图，为短波慢跳频系统实现实时频率监测提供了依据     

四面体有内切球吗？

求函数周期尤其是求两个函数和（差）的周期（本文所提的周期均指最小正周期），是高中数学的难点，有些书刊资料介绍了一种最小公倍数法，即先求出两个函数各自的周期，然后求它们的最小公倍数即为两个函数和（或差）的周期．对此学习者有很多疑惑，如结论是否恒成立？两个函数可否不是三角函数？可否推广到多个函数和（差）？本文作如下探究．     

单片机莫尔条纹细分技术

介绍一种软件莫尔条纹细分方法,该方法利用单片机采集数据和数据处理手段细分莫尔条纹信号。该方法测量电路简单,对莫尔条纹信号要求低,细分数高,实时性好,可用于静态、动态测量。     

焦点三角形的面积公式

1 椭圆的焦点三角形的面积公式 椭圆x~2/a~2 y~2/b~2=1(a>b>0)的左右焦点分别为F_1、F_2,点P为椭圆上任意一点,△F_1PF_2称为椭圆的焦点三角形。 为行文方便,设|PF_1|=r_1,|PF_2|=r_2,∠F_1PF_2=γ     

含有1,4,7-三苄基-1,4,7-三氮杂环壬烷的两个双核铜配合物的合成、表征及其与DNA的相互作用

合成了2个含有1,4,7-三苄基-1,4,7-三氮杂环壬烷（Bn₃tacn）的双核铜配合物：[Cu₂（Bn₃tacn）₂（m-bdc）（CH₃CN）₃（H₂O）₂]ClO₄（1）和[Cu₂（Bn₃tacn）₂（OH）₂]（ClO₄）₂（2）。配合物1由间苯二甲酸采取单双齿方式桥连Cu（Ⅱ）离子,配合物2由OH桥连。配合物1和2晶体均属于单斜晶系,分别为P2₁/c空间群和C2/c空间群。分别对2个配合物进行了红外光谱、紫外-可见光谱和元素分析表征。研究了配合物1与DNA的相互作用,对配合物2进行了循环伏安测试。     

SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理

基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20～80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失。SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小。利用计算机辅助设计工具(TCAD)开展SiC MOSFET的单粒子效应仿真,结果表明,重离子从源极入射器件时,具有更短的SEB发生时间和更低的SEB阈值电压。栅-源拐角和衬底-外延层交界处为SiC MOSFET的SEB敏感区域,强电场强度和高电流密度的同时存在导致敏感区域产生过高的晶格温度。SiC MOSFET在栅压偏置(U_GS=3 V,U_DS=0 V)下开展钴源总剂量效应实验,相比于漏压偏置(U_GS=0 V,U_DS=300 V)和零压偏置(U_GS=U_DS=0...     

氧化锆氧传感器特性及偏移研究

根据以氧化锆型陶瓷为基础的车用氧传感器工作原理，利用能斯特方程，分别对电压型和电流型输出的两种氧传感器信号进行推导，将其转化为数学模型，为性能仿真研究与其关联因素提供理论基础。阐述导致两种氧传感器输出偏移的几种因素，并给出偏移量的参考评价，为氧传感器信号分析测定提供理论依据。