1.78 μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器

采用低金属有机汽相外延(LP-MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8mW和7％;此外,激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5dB。     

渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器

采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9mW.     

Offset quantum-well method for tunable distributed Bragg reflector lasers and electro-absorption modulated distributed feedback lasers

Tunable distributed Bragg reflector (DBR) lasers are essential components for future optical fiber communi- cation systems[1]. A tunable laser can replace a large number of distributed feedback (DFB) lasers as sparing source in wavelength division multiplexing (WDM) sys- tems. Moreover they allow flexible switching and routing for distributed data in future network[2]. There are several methods for integrating gain sec- tion with DBR section, such as butt-joint method, bundle method, and …     

渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

采用超低压(22 mbar)选择区域生长(Selective Area Growth, SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well, MQW)材料. 在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm)，得到了46nm的光荧光(Photoluminescence, PL)波长偏移量，PL半高宽(Full-Width-at-Half- 关键词： 超低压 选择区域生长 渐变掩蔽图形     

从″来伊份″看特色连锁经营

在国际各大连锁经营机构进驻中国、抢占中国市场的今天,特色连锁经营成为中国民族企业争夺市场的一线生机,在江浙沪取得相当成功的″来伊份″就是其中一家。本文在对″来伊份″进行了详细调研和深入了解的基础上,从对″来伊份″的经营之道分析入手,结合国内外相关案例,总结了特色连锁经营各个发展阶段的成功要素,希望能给国内商家一些启示。     

使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器

采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式Bragg反射激光器.通过同时控制相位区和光栅区的注入电流,该激光器的波长可以准连续地调谐4.6nm.在整个调谐范围内,除了少数几个模式跳变点以外,激光器的单模特性保持良好,边模抑制比均达到了30dB以上.     

电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法

提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的 DFB激光器 ,报道了器件的制作过程和主要性能 ,初步结果为 :阈值电流 38m A ,激光器在 10 0 m A下出光功率 4 .5 m W左右 ,调制器消光比约 9d B(从+0 .5 V到 - 3.0 V) .对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果 (出光功率仅 1.5 m W) ,我们制作的器件的出光功率有了明显的提高 .     

宽带可调谐取样光栅DBR激光器

利用离子注入量子阱混杂技术,成功研制了三段取样光栅(SG)-DBR激光器.器件不连续调谐范围超过30nm,边模抑制比大于30dB.     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析.     

电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法

提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的DFB激光器,报道了器件的制作过程和主要性能,初步结果为:阈值电流38mA,激光器在100mA下出光功率4.5mW左右,调制器消光比约9dB(从+0.5V到-3.0V).对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果(出光功率仅1.5mW),我们制作的器件的出光功率有了明显的提高.