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本文报道了氧化铟锡（ITO）分别与金属和半导体的接触电阻率。采用电子束蒸发的手段制备高质量ITO材料。薄膜电阻率为2.32×10-4 Ω?cm,可见光范围透射率为92.8%,禁带宽度为3.804 eV。采用圆点型传输线模型的方法,对ITO/金属和ITO/n型GaAs之间的接触电阻进行了分析。测得ITO与Ni之间最低接触电阻率为2.81×10-6 Ω?cm2 ,ITO与n型砷化镓之间的接触电阻低至7×10-5 Ω?cm2,这是目前所报道的最好的结果。根据以上结果,我们可以确定将ITO应用在GaAs基太阳电池中来提升器件的性能。 相似文献
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针对我国航天地面测控设备现有自动化运行模式只适用于常规卫星任务而不适用于空间站任务的现状,提出了一种不改动设备现有软硬件的空间站任务自动化运行方案,设计了一种目标自适应的自动化运行软件流程。基于此流程,采用定时发送的任务队列技术,开发了一款自动化运行辅助软件,可使地面测控设备的自动化运行具备目标自适应功能,无论是在常规卫星任务还是空间站任务下均能实现自动化运行。针对空间站任务,在某测控设备上对该辅助软件进行了约两个月的自动化运行验证,结果表明该辅助软件可行、实用。经过多次迭代,目前自动化运行辅助软件运行稳定可靠,使用灵活方便。 相似文献
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空气等离子体的电子温度和密度对激光诱导空气击穿等离子体产生闪光过程的研究有着重要的意义,本文将纳秒Nd∶YAG脉冲激光(1064 nm)聚焦于大气中,诱导其产生等离子体闪光,并通过Avantes-ULS3648型9通道的光谱仪采集闪光光谱,通过光谱分析,研究了不同延迟时间下激光诱导击穿空气等离子体产生过程中的等离子体电子温度和电子密度的变化情况。根据同一元素不同峰值位发出的光谱,由相对强度比较法可以得出等离子体电子温度,由斯塔克展宽法可得到等离子体电子密度的变化,通过分析发现,等离子体电子温度和密度均随延迟时间的增大而下降。这些结果对研究强激光作用下空气击穿的气体动力理论机制有一定的科学意义。 相似文献
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研究了SOI器件中的kink效应,主要包括不同器件类型、不同体接触结构、沟道长度以及栅氧厚度对kink效应的影响。研究发现NMOS器件由于能够产生较多的电子空穴对,在输出特性曲线中呈现明显的kink效应,而PMOS器件由于空穴的电离率较低,碰撞电离产生的电子-空穴对远低于NMOS器件,它的kink效应不明显。对源体短接、H型栅和T型栅三种不同结构的NMOS器件进行研究,发现T型栅器件kink效应最明显。比较了不同沟道长度对kink效应的影响,发现沟道越短,kink效应越明显。比较了栅氧厚度对kink效应的影响,发现随着栅氧厚度减小,kink效应越明显,这主要是由于隧穿电流引起的。 相似文献
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