成灰温度对准东煤灰理化特性影响的实验研究

将3种新疆准东煤和4种对比煤种在不同温度下制灰,研究了成灰温度对灰理化特性的影响,并分析了准东煤的积灰结渣特性。研究表明:灰分量、灰成分、灰熔融性、灰挥发特性均与成灰温度密切相关,成灰温度过高会导致碱金属挥发,过低则灰中含有可燃成分。过高或过低的成灰温度均不能准确反映准东煤灰的理化特性,655℃成灰温度比较适合准东煤.提出了采用ST与碱金属含量相结合的结渣判定方法,提高了准东煤结渣判别的准确性.     

FLUX CREEP, FLUX PINNING AND CRITICAL CURRENT DENSITY OF Y-, Gd-, AND Tl-BASED SUPERCONDUCTIVE THIN FILMS

Magnetic hysteresis loops have been measured for YBa₂Cu₃O_6+x, GdBa₂Cu₃O_6+x and Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O_10-y films at different temperatures with a vibrating sample magnetometer. Based on Bean model, magnetic critical current density J_cm has been derived approximately. The field and temperature dependence of J_cm for all samples can be written as: J_cm= J_c0(T)×f(B,T), Where f(B,T) = 1 - Aln(B/B₀(T)), which is similar to the transport critical density strongly affected by flux creep: J_ct = J_c0(B,t)(1 - (k_BT/U₀)ln(BΩd/E_c)). The extraordinary similarity suggests that J_cm is determined not only by flux pinning but also by flux creep. In the first formula, f(B,T) may be correlated with the effect of flux creep on J_cm, and J_c0(T) is determined by flux pinning. J_c0(T) is independent of magnetic field and is proportional to (T_c - T). Similar results have also been found for other samples. It may be the common characteristic of high-T_c superconductors. Magnetic relaxation of YBa₂Cu₃O_6+x and GdBa₂Cu₃O_6+x films has been measured at LN₂ temperature. Using the equation of Hagen et al., effective activation energy U₀ has been deduced, which is about 0.3eV, one order bigger than the value obtained by A = k_BT/U₀. U₀ is almost independent of the field in the field range selected.     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

ITO表面处理对OLED性能的影响

根据实验,分析了表面处理对OLED性能的影响.对OLED的ITO阳极进行表面处理将改变ITO膜的表面化学组成及表面形态,这将直接影响ITO膜表面的功函数,从而影响ITO向有机层的空穴注入;同时还将间接影响有机层的成膜过程及其分子组织形态及ITO膜表面有机层之间的结合.     

4H-SiC纳米薄膜的晶化研究

采用新电极结构的PECVD技术，在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下，在SiO2玻璃表面形成双等离子流，增加了SiO2表面SiC的成核几率，增强成核作用，形成纳米晶。采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等键时，由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用，产生自组织生长，发生晶化。Raman光谱和透射电子衍射（EM）的测试结果表明，纳米晶SiC是4H-SiC多型结构。实验结果指出，SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核，并且其晶化存在一个功率密度阈值；当低于这一功率密度阈值时，晶化消失；当超过这一阈值时，纳米晶含量随功率密度的提高而增加，晶粒尺寸加大。电子显微照片表明晶粒尺寸为10-28nm，形状为微柱体。随着晶化作用的加强，电导率增加，导电机理是渗流作用所致。     

微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究

为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 ,低温 (<6 0 0°C)、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加热技术应用于金属诱导 a- Si薄膜横向晶化工艺中 ,成功实现了低温快速制备多晶硅薄膜。通过薄膜电阻率的测试 ,分析了多晶硅薄膜的电学特性。     

氧分压对磁控溅射β-Ga2O3薄膜结构及光学特性的影响

通过磁控溅射沉积以及高温热退火处理,在5.08 cm(2 inch)c-plane蓝宝石异质衬底上制备出单晶β-Ga2O3薄膜,研究了溅射气氛中氧分压对β-Ga2O3薄膜的晶体结构以及光学特性的影响.通过调控氧分压,获得了具有{-2 01}晶面族X射线衍射峰的β-Ga2O3薄膜,其最大晶粒尺寸达到138 nm,在300～800 nm波段透射率大于80％,最大光学带隙达5.12 eV.最优的薄膜表面粗糙度达0.401 nm,800 nm波长处折射率为1.94.实验结果表明,降低氧分压有利于溅射粒子动能增大、数量增多,从而提升β-Ga2O3薄膜结晶质量、增加薄膜透射率和光学带隙;适当提高氧分压则有利于改善薄膜表面平整度,并提高致密度.     

基于多传感器的空气质量监测系统设计

针对传统空气质量监测系统监测指标少、评估算法不完善等缺点，设计了基于多传感器的空气质量监测系统， 采用多传感器与定位模块获取监测区域的气压、位置等信息，并利用通信模块将信息发送至手机软件，结合聚类、层析方法对空气质量进行分析，给出了系统在不同环境下的测试结果，结果表明，该系统可获取各项表征空气质量的指标，并可对空气质量进行综合评定，相比于现有的系统，该系统在控制方式、空气质量评估性能等方面具有一定的优势。     

基于DVB协议的硬盘播出系统设计与实现

简述了硬盘播出系统的功能需求,介绍了一种基于DVB协议的硬盘播出系统的设计方法,并提出了每个功能模块的具体实现方案.     

基于SST89C54/58的单片机仿真器的设计

介绍美国SST公司的51系列单片机SsT89C54／58的程序存储器的结构特点以及基于SST89C54／58的KEILC51单片机仿真器的设计。