溶质扩散法在三元晶体生长中之应用

本文对溶质扩散法在三元晶体生长中的应用进行了综述，并着重介绍了Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体生长取得的最新实验结果和理论上的处理，指出该理论模型以及生产高ｘ值的Ｃｄ１－ｚＺｎｘＴｅ晶体的实验仍处于初始阶段。     

HgCdTe外延用的CdZnTe衬底研制

阐述了ＣｄＺｎＴｅ衬底在红外焦平面阵列探测器研究中的重要性;概括了ＣｄＺｎＴｅ晶体生长的方法、原理和工艺步骤;分析了影响晶体质量（单晶面积、组分及均匀性、结晶完整性、光电特性）的因素,并提出了与质量相关的控制技术;介绍了ＣｄＺｎＴｅ衬底制备过程中,晶片处理的工艺和步骤（晶锭的定向切割、单晶划片、极性鉴别、磨抛、腐蚀）;报道了目前ＣｄＺｎＴｅ晶体的性能水平,晶片处理结果和ＣｄＺｎＴｅ的应用情况。     

相平衡形成母液法生长磅镉汞液相外延膜

根据相律探索出相平衡形成母液法生长磅镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单,外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法,成功地生长出ｘ＝０．２１－０．２３,表面光亮,结构完整的碲镉汞液相外延膜。     

Cd(1-y)ZnyTe晶体组分及均匀性的近红外光谱测试

阐述了Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体分、组分均匀性式的重要性及开展近红外光谱研究该晶体组分的必要性。采用日立３４０型光谱仪对ｙ在０－０．０６的Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体作了室温近红外透射光谱研究,得出了有关晶体组分ｙ和截止波长λｃｏ的关系方程：ｙ＝２８６．０８７＊１０＾－２－０．３３７２＊１０＾－２λｃｏ,测试误差△ｙ≤０．００３,通过该研究。为焦平面外延衬底材料Ｃｄ（１－ｙ）ＺｎｙＴｅ晶体组分及春均匀性测试提供了一种准确,快速、简便、不破坏样品的检测方法。     

Cd1-xZnxTe在高压下的电学性质、状态方程与相变

 在金刚石压砧装置上,采用电阻和电容测量方法研究了Cd_1-xZn_xTe（x=0.04）在室温下、17 GPa内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明,它在3.1 GPa左右和5 GPa左右发生了两次电子结构相变,而在3.1 GPa以上和5.7 GPa左右发生了两次晶体结构相变。同时,还在活塞-圆筒测量装置上研究了Cd_1-xZn_xTe（x=0.04）在室温下、4.5 GPa内的p-V关系。实验结果表明它在3.8 GPa左右发生了相变。本工作还给出了它在相变前后的状态方程,以及它的Grüneisen参数γ₀、体弹模量B₀ 与B₀ 的压力导数B₀′。     

昆明物理研究所红外焦平面技术发展现状

介绍了昆明物理研究所近几年在红外焦平面探测器组件技术方面的最新进展.随着探测器组件技术的全面突破,焦平面探测器组件批量生产线的建设是昆明光电子产业基地建设的核心内容.HgCdTe材料的提纯、CdZnTe衬底、HgCdTe材料LPE薄膜工艺、探测器芯片平面工艺、读出电路设计和制作、真空杜瓦封装、集成整体式斯特林制冷技术已全面成熟,LW288×4、MW320×256HgCdTe焦平面探测器组件形成批量生产,具备年产数千套探测器组件的生产能力.近期计划完成HgcdTe LW576×6,MW640×480、GaAs/A1GaAs QWlP320×256探测器组件研制.将进一步发展320×240/640×480热释电材料及微测热辐射计非制冷焦平面探测器,1K×1K规模焦平面探测器组件,双色及多色量子阱焦平面探测器组件,在红外焦平面探测器技术领域达到世界一流水平.     

MCT晶体退火压力─温度关系及其分析

采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。     

Hg1-xCdxTe在高压下的结构、状态方程与相变

 利用X射线粉末衍射方法,在室温高压下观察到了Hg_1-xCd_xTe（x=0.19）的相变。实验是在DAC高压装置上完成的,压力从0逐步加至10.1 GPa。在常温常压下Hg_1-xCd_xTe（x=0.19）具有闪锌矿结构。从实验结果看到,在压力为3 GPa和6.8～8.3 GPa之间有两个结构相变存在。初步认为,后一个相变与Hg_1-xCd_xTe（x=0.19）的金属化有密切关系。通过计算,得到了它在相变前的状态方程,并且与二元HgTe化合物在相变规律上进行了比较。