稳态装置中的尘埃等离子体状态

介绍了用于研究尘埃等离子体中波的直流放电的尘埃等离子体装置,该装置能产生长约３０ｃｍ,直径约８．４ｃｍ的尘埃等离子体柱。在等离了体中加入尘埃后,朗缪尔探针的饱和电流明显降低。尘埃所带负电量与电机转速成正比,可达到等离子体负电量的４０％。     

超声波强化煤泥浮选脱硫研究

叙述了超声波在选矿工程中的应用,研究了超声波处理对矿浆颗粒性质变化、矿浆中溶解氧和矿浆ｐＨ值的影响,探索了超声强化浮选脱硫的可行性,提出超声处理矿浆作为一种手段,配合适当的浮选工艺与黄铁矿抑制方法,能达到浮脱硫的最佳效果。     

负离子束引出与加速系统的数值计算方法

高能量、大功率中性束注入是对大型受控核聚变装置进行等离子体加热和电流驱动的有效手段。因此势必要发展在高能量下仍具有较高中性转换效率的负离子－中性束注入器。     

表面增强机制中反常光吸收效应的理论研究

本文改进了银胶的制备方法 ,采用机械方法使银胶体系发生凝聚效应 ,其吸收峰位于435nm附近。当加入其他分子时 ,该吸收带没有明显移动 ,而在 435nm吸收带之外又出现了通常熟知的新的吸收带 ,其峰位随着加入其他分子的量的增加而向长波方向移动 ,本文的量子理论表明 ,435nm附近的吸收带是由银胶体系凝聚效应引起的 ,它应归属于银胶的凝聚特征峰。而在 435nm以外长波方向出现的吸收带 ,分析表明 ,它与银颗粒表面的化学吸附有关。     

RIBLL束流诊断

描述了兰州放射性离子次级束流线(RIBLL)上研制并安装使用的放射性束流(RIB)诊断装置的种类、结构、性能及在AIBLL上的位置和功能.重点叙述了以光纤为基础的几种诊断元件,它们探测效率高、响应时间快、制作容易、性能稳定.给出了RIB¹⁷N等高图,说明诊断装置辅助MBLL得到RIB的水平.     

低噪声通过特性的测量仿真研究

本文研究运用组合传感器和声压、振速联合信息处理技术进行低品声通过特性的测量。通过特性的背景噪声出非相干的各向同性白噪声和相干的交通干扰组成,交通干扰又分为平稳与非平稳两种,用平均声强器来抗非相干干扰;用交通干扰能量流中心方位抑制技术来抗平稳的相干干扰;对于非平稳的相干干扰而能量流中心方位抑制技术。仿真试验表明效果良好。     

交联壳聚糖在硒的形态分析中的应用研究

本文研究了交联壳聚糖对Ｓｅ（Ⅳ）和Ｓｅ（Ⅵ）的吸附行为,并吸附机理进行了探讨。结果表明：在ＰＨ＝４时,Ｓｅ（Ⅳ）捐附率达９５％,而对Ｓｅ（Ⅳ）几乎无吸附;吸附Ｓｅ（Ⅵ）后,用１ｍｏｌ／Ｌ盐酸定量解吸,建立了氢化物发生原子吸收测定环境中痕量Ｓｅ（Ⅳ）／Ｓｅ（Ⅵ）和有机硒的方法。本法的检出限为２０ｎｇ／Ｌ,回收率为９３－１０６％,变异系数为２．０－５．０％     

毛细管粘度计测casson流体流变特性方法研究

本文从casson流体在毛细圆管作定常层流时的可测量参数－－壁面切应力τw和流量Qc出发,定义表观粘度ηa和表观切变率γw,τw,ηat γa来描述casson流体在圆管内的定常层流,推导出壁面切应力和表观切变率满足的方程,得出此议程和casson方程的形式一样,表明可用毛细管粘度计间接得到casson流体的casson方程,分析其流变学特性。     

W波段TE02模式回旋行波管带宽输入耦合器设计

输入耦合器是回旋行波管的重要组成部分之一,其作用是将矩形波导TE₁₀模式的信号,通过模式变换结构转换为回旋放大器件中的模式,输入耦合器性能的优劣直接影响了回旋管整管的带宽等性能。通过对W波段TE₀₂模式回旋行波管的输入耦合器进行理论分析,指出影响主模传输损耗的一个因素是杂模的崛起使主模的传输系数降低,利用仿真软件进行仿真,通过优化耦合孔的尺寸,抑制杂模的产生,将损耗从3.9 dB降低到了0.8 dB。根据优化尺寸加工,实际测试,得到3.0 dB带宽7.9 GHz的输入耦合器,与设计符合较好。     

沉积温度对钛硅共掺杂类金刚石薄膜生长、结构和力学性能的影响

采用中频磁控溅射Ti80Si20复合靶在单晶硅表面制备了共掺杂的类金刚石薄膜.研究了沉积温度对薄膜生长速率、化学成分、结构、表面性质和力学性能的影响.结果表明:随沉积温度升高,薄膜生长速率降低,薄膜Ti和Si原子浓度增加,C原子浓度降低;在高温下沉积的薄膜具有低sp3C含量、低表面接触角、低内应力和高的硬度与弹性模量.基于亚表层注入生长模型分析了沉积温度对薄膜生长和键合结构的影响,从薄膜生长机制和微观结构解释了表面性质和力学性能的变化.