采用双折射晶体实现大功率半导体列阵激光器偏振复合

根据大功率半导体列阵激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,利用双折射晶体YVO4进行两只大功率半导体列阵激光器的偏振合束研究.利用按照理论计算值生长的双折射晶体和特殊设计的光路系统实现功率复用效率66%,经过耦合镜聚焦后得到光斑大小为1.25 mm×0.12 mm,功率密度为2.74×104 W/cm2.     

基于多项式的弯折偶极子射频识别标签天线阻抗预测研究

在解决射频识别(RFID)标签天线设计中阻抗计算速度慢的问题的过程中,针对其中较为复杂的阻抗耦合情况,该文提出一种基于多项式的弯折偶极子RFID标签天线阻抗预测方法.首先使用基于天线尺寸的阻抗变换与线性化假设建立模型假设;然后在具体的天线结构中收集数据并进行相关性分析与回归拟合验证假设正确性;最后实验验证使用该方法进行的阻抗预测相对于计算机仿真的准确性、高效性与普适性.试验结果表明,使用该方法替代计算机进行弯折偶极子RFID标签天线阻抗计算时,其预测阻抗相对于计算机仿真结果在保持较高预测准确率的同时极大地缩短了阻抗计算时间,同时该方法在中国应用频段上针对不同弯折次数的弯折偶极子RFID标签天线仍然适用.     

An asymmetric broad waveguide structure for a 0.98-μm high-conversion-efficiency diode laser

A novel asymmetric broad waveguide diode laser structure was designed for high power conversion efficiency（PCE）.The internal quantum efficiency,the series resistance,and the thermal resistance were theoretically optimized.The series resistance and the thermal resistance were greatly decreased by optimizing the thickness of the P-waveguide and the P-cladding layers.The internal quantum efficiency was increased by introducing a novel strain-compensated GaAs0.9P0.1/InGaAs quantum well.Experimentally,a single 1-cm bar with 20% fill factor and 900 μm cavity length was mounted P-side down on a microchannel-cooled heatsink,and a peak PCE of 60% is obtained at 26.3-W continuous wave output power.The results prove that this novel asymmetric waveguide structure design is an efficient approach to improve the PCE.     

808 nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作

半导体分布反馈（ DFB）激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构。利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构的光场分布和能带图。通过优化湿法腐蚀所用腐蚀液各组分比例、腐蚀温度、腐蚀时间等条件,得到了理想的湿法腐蚀工艺参数。扫描电子显微镜表征显示,光栅周期为120 nm,光栅深度约为85 nm,占空比约为47%,光栅边缘线条平直,表面平滑,周期均匀。创新型的引入湿法腐蚀工艺和腐蚀牺牲层使光栅表面的洁净度得到保证,提高了二次外延质量的同时,也为进一步制作DFB激光器高性能芯片奠定了良好的基础。     

0.98µm非对称宽波导高效率半导体激光二极管

本文设计了一种新型的非对称宽波导半导体激光二极管结构,通过优化P型波导层以及限制层厚度,器件的内损耗、串联电阻以及热阻得到大大的降低,同时采用GaAs0.9P0.1/InGaAs应变补偿量子阱结构代替GaAs/InGaAs结构,提高了半导体激光器的内量子效率。采用上述措施,半导体激光二极管的电光转换效率得到了很大的提高,当电流为30A时,20％占空比1cm巴条的激光二极管的点关转换效率达到峰值,为60％。实验结果表明：这种波导层厚度不一致的非对称波导结构是提高半导体激光器效率的有效措施     

1550nm高功率基横模半导体激光器及温度特性

通过引入渐变Al组分和脊型波导的设计,制备了1550 nm高功率AlGaInAs/InP基横模半导体激光器,室温连续工作模式下器件的斜率效率达到0.35 mW/mA,在500 mA的工作电流下,输出功率为138 mW,垂直和水平方向的远场发散角分别为32.9°和11.1°,证明器件具有良好的基横模输出特性。同时,建立高阶模截止条件温度模型,研究了器件在不同温度下功率-电流（P-I）曲线中kink效应与远场发散角steering效应的产生原因,阐述了温度对基横模和高阶模增益的影响机制。通过比较不同腔长器件发生kink效应的电流大小,证明长腔长结构可以有效防止kink效应的发生。     

不同空间调制方式的性能对比

在MIMO系统下,介绍了空间调制SM的原理以及由此发展而来的空移键控SSK和广义空移键控GSSK。给出了在不同频带利用率的情况下,三种调制方式的性能对比。通过仿真得出,GSSK的性能要优于SM和SSK;同时,GSSK和SSK的性能不会随着天线数目的增加而发生较大改变。     

纤维素手性固定相拆分阿替洛尔对映体

建立了阿替洛尔对映体的高效液相色谱分析方法。使用Chiralpak OD-H手性色谱柱,检测波长275nm。确定了最佳拆分条件:流动相为V(正己烷)∶V(异丙醇)∶V(三乙胺)=80∶20∶0.4;流速1.0 mL/min,柱温30℃。在该实验条件下,得到阿替洛尔对映体的出峰顺序为:先R体,后S体。所建立的方法简单准确,重复性好,可用于阿替洛尔的质量研究和控制。     

水产品中邻苯二甲酸酯类增塑剂存在状态研究及其双水相提取测定

利用荧光猝灭法与GC-MS研究了邻苯二甲酸酯类(PAEs)在以蛋白质为主要基质的水产品中的存在状态,探讨了蛋白质对PAEs萃取率的影响。结果表明,PAEs可通过氢键和范德华力与蛋白质牢固结合;体积分数为80%的异丙醇水溶液可引起蛋白质缓慢变性、使结合的PAEs充分离解,通过异丙醇-无机盐-水双水相体系实现PAEs的高效萃取。由于80%的异丙醇水溶液极性较强,与PAEs共同进入双水相上相的脂溶性杂质较少,萃取液净化步骤大大简化。在双水相上相中加入无水MgSO4、N-丙基乙二胺(PSA)去除水分与杂质后直接进样进行GC-MS检测。该方法用于水产品中五种PAEs的测定,回收率为81.9%～92.7%,相对标准偏差为1.2%～4.8%。     

渐变光扩展结构减小885nm高功率激光二极管发散角

为了减少激光二极管泵浦激光晶体过程中产生的热量,并提高与泵浦材料的光学耦合效率,理论设计并实验制备了低发散角的885 nm高功率激光二极管列阵.通过在限制层中引入渐变光扩展结构,结合对整体外延材料结构的优化设计,有效减小了激光器件的远场垂直发散角.采用A1GaInAs/AIGaAs量子阱适当增加材料的压应变,提高外延材...