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31.
808 nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器 总被引:2,自引:2,他引:2
采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器件电阻降低.对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器.器件综合特性测试结果为:腔长900μm器件的阈值电流密度典型值为400 A/cm2,内损耗低至1.0 cm-1;连续工作条件下,150μm条宽器件输出功率达到6 W,最大斜率效率为1.25 W/A.器件激射波长为807.5 nm,平行和垂直结的发散角分别为3.0°和34.8°.20~70℃范围内特征温度达到133 K.结果表明,分别限制非对称波导结构是降低内损耗,提高大功率半导体激光器特性的有效措施. 相似文献
32.
33.
大功率宽条分布反馈激光器研究 总被引:4,自引:1,他引:4
大功率半导体激光器一般用作抽运源,但其抽运的离子吸收峰带宽一般都比较小。为提高大功率半导体激光器对固体或光纤激光器等的抽运效率,就要降低半导体激光器的输出波长随注入电流和热沉温度的漂移系数。分析了光栅深度和光栅填充因子对激光器输出波长锁定效果的影响,实验验证确定出合适的光栅参数,依据优化条件得出合适的激光器腔长,制备出锁定效果良好的宽条分布反馈激光器。该激光器的单管腔长2.4mm,发光条宽100μm,连续最大输出功率400mW,热沉温度为15℃时的输出波长为954nm,输出波长随注入电流的漂移系数为0.67nm/A,输出波长的温漂系数为0.046nm/K。 相似文献
34.
为研究基于碳化硅(SiC)陶瓷封装的高功率半导体激光器的散热性能,将其与常用的氮化铝(AlN)陶瓷进行对比,使用基于结构函数法的热阻仪分别测量SiC和AlN封装F-mount器件的热阻值,得到SiC器件的总热阻约为3.0℃·W~(-1),AlN的约为3.4℃·W~(-1),SiC器件的实测热阻值比AlN器件低14.7%,实验结果表明SiC过渡热沉具有较好的散热性能。实验进一步测试了两种过渡热沉封装器件的输出性能,在16A连续电流注入时,915nm波段的SiC器件单管输出功率为15.9 W,AlN为15 W,测试结果显示SiC封装的器件具有更高的功率输出水平。 相似文献
35.
半导体分布反馈( DFB)激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构。利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构的光场分布和能带图。通过优化湿法腐蚀所用腐蚀液各组分比例、腐蚀温度、腐蚀时间等条件,得到了理想的湿法腐蚀工艺参数。扫描电子显微镜表征显示,光栅周期为120 nm,光栅深度约为85 nm,占空比约为47%,光栅边缘线条平直,表面平滑,周期均匀。创新型的引入湿法腐蚀工艺和腐蚀牺牲层使光栅表面的洁净度得到保证,提高了二次外延质量的同时,也为进一步制作DFB激光器高性能芯片奠定了良好的基础。 相似文献
36.
基于FPGA的出租车计价系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
设计出租车计价系统,运用自顶向下的设计思想,以芯片CycloneⅡEP2C8T144C8为设计核心,采用QuartusⅡ仿真软件,对设计电路的各模块及整个系统进行了EDA仿真验证。结果表明,该计价系统具有计时、计费、计程和动态显示的功能,符合设计要求,修改VHDL语言源程序,可完成更多的出租车计价系统的扩展功能。 相似文献
37.
建立并优化了高效液相色谱手性固定相分离富马酸比索洛尔对映体的方法。使用直链淀粉手性固定相(Chiralpak AD-H柱)在正相条件下拆分了富马酸比索洛尔对映体,考察了达到最佳分离效果时,流动相中极性调节剂的组分、流动相中三乙胺的体积分数以及柱温对富马酸比索洛尔对映体拆分影响。流动相为正己烷/乙醇/三乙胺(90/10/0.1,V/V/V),流速1.0 mL/min,紫外检测波长270 nm,柱温30℃时,两种异构体能达到较好的基线分离,并且不对称合成的(S)-富马酸比索洛尔和(R)-富马酸比索洛尔两种异构体产品,对映体过量(e.e.)均高于99.0%,在此色谱条件下的色谱图峰形良好。方法可广泛用于跟踪手性比索洛尔富马酸盐的合成过程分析和质量控制。 相似文献
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39.
国内外博物馆自从20世纪60年代就开始使用学习单作为导览工具,近年来我国科技馆等相关领域也开始关注学习单的研究与实践。由于一般学习单是由图文所组成,而文字部分又常以"问题"的方式呈现,所以,一个好的问题就显得格外重要。本文将试述学习单中"问题"的内涵、作用和类型,以及如何进行问题的设计等。 相似文献
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