半导体器件金铝键合的寿命研究

金铝键合失效是MOSFET器件常见的失效模式之一,主要是由于金属间化合物的生成,影响了金铝键合的接触电性能,从而导致键合强度下降,接触电阻升高。针对这种失效模式,进行了三种不同高温条件下的加速寿命试验,并对这三种试验的器件进行金铝键合现象观察,对目前工艺水平下的金铝键合寿命进行了评估。     

功率RF LDMOS的关键参数研究

在功率RF LDMOS器件中，击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数，为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的. 文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案，以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展，为进一步的研究和探索提供参考.     

2,3,5-三甲基氢醌的合成研究进展

综述了2,3,5-三甲基氢醌的合成研究现状,重点介绍了其合成方法:均三甲酚法、苯酚法、偏三甲苯法、2,3,6-三甲基苯酚法、异佛尔酮氧化法及二乙基酮法,总结了各种合成方法的优缺点,并简要分析了其工艺开发的最新动态。参考文献47篇。     

激光诱导1,2—二氯乙烷链式反应生成氯乙烯...

用计算机模拟了紫外激光诱导1,2-二氯乙烷链式反应生成氯乙烯的动力学过程。给出终态产物和中间产物的时间演化以及各种参数对转变率及量子产率的影响。     

有机小分子催化的不对称胺化反应的研究进展

根据手性催化剂的类型并结合其反应机理,介绍了近几年来偶氮二羧酸酯参与的有机小分子催化的不对称胺化反应的研究进展.参考文献50篇.     

基于结构函数的功率MOSFET器件热阻研究

热阻是衡量功率MOSFET器件散热能力的重要参数,对其准确测试与分析具有重要意义。基于结构函数理论,同一功率MOSFET器件在不同条件下进行两次实验,通过积分结构函数分离点来确定器件热阻。该方法简单准确,可重复性好,实验测试结果为0.5 K/W,与有限元(FE)建模获得的0.44 K/W符合较好。对比两不同批次器件的微分结构函数,其中一种器件微分结构函数发生0.2 K/W偏移,超声波扫描(SAM)发现该器件焊料层存有空洞,该方法可用来判断器件内部工艺的好坏。     

The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2-Si3N4 films

Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor(VDMOS) devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films.     

微机控制的高重复率脉冲激光能量实时测试系统

一般的脉冲激光能量测试方法是用炭斗作为能量接收转换器、经检流计或数字电路读数,这种测量方式费时费力,无法实时地逐次测量离重复频率脉冲激光器能量并统计其涨落。为解决这一问题,作者研制了由微机控制的,可以自动记录高重复率激光脉冲与脉冲能量并统计其涨落的能量测试系统。本系统由快速激光脉冲能量探头,前置放大器、高速高精度峰值保持电路,A/D 转换,打印记录以及协调统一控制上述各部分工作的微型计算机 APPLE-Ⅱ组成,其框图如图1所示。     

用SPADNS直接光度法测定球墨铸铁中镁

利用2-(4-磺基苯偶氮)变色酸(SPADNS)测定玻璃等材料中的镁曾摘要报导过。我们对该试剂和镁形成络合物的条件进行了较为详细的研究。发现在pH值9.5～11.5,镁和SPADNS形成非常稳定的1:1的络合物,其最大吸收波长为570毫微米,而纯SPADNS在510毫微米有最大吸收。不同缓冲剂介质对络合物的吸光值有影响,在pH值10.5左右稀氨水介质中显色灵敏度最高,乙醇存在可显著提高有色络合物吸光度。Fe~(3+)、Al~(3+)干扰用三乙醇胺掩蔽,EGTA-Zn