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金属丝电爆炸是获取金属纳米级粉粒的有效途径,电爆炸的演绎过程直接影响金属粉颗粒的尺度范围。采用纳秒级脉冲激光对爆炸过程的瞬态进行观察,以激光干涉条纹为背景,依据电爆炸过程中,对条纹的扰动获取具有清晰边缘的爆炸区图像;再根据激光穿过爆炸云团的透过率计算出不同时刻粉尘体浓度的三维分布图。测量结果表明:通电后0.5 μs,金属丝直径由0.3 mm扩展为4.7 mm, 直到18 μs时扩展为28 mm,而粒子的最大浓度由3×1021/cm3减小为1.1×1020/cm3。整个扩展过程中,粒子浓度沿径向呈现多个环带的分布形态。 相似文献
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在激光系统中,镜面平整度很大程度上影响了输出激光的光束质量。为了定量地评价镜面瑕疵对激光光束质量的影响程度,提出描述镜面瑕疵与空间光束相关程度的参数τ和镜面瑕疵对远端光场的影响参数δ。经仿真计算,研究了不同镜面瑕疵对激光光束质量的影响程度,得出影响参数δ和相关度τ的变化规律,即影响参数δ和相关度τ的内在线性关系。对于任意TEM00模、TEM01模和TEM02模,此线性关系近似一致,具有普遍性。例如当瑕疵透过率为0时,对于3种模式的光场,δ随τ变化的线性曲线的斜率都近似等于1.8。 相似文献
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鉴于单向环形腔是目前获得较大功率单纵模激光最有效的方式之一,为使环形腔单向运行,需要在环形腔内插入对正反2个方向的光产生损耗差的光学元件。采用激光二极管泵浦Nd∶YAG晶体,用声光调制器作为光学二极管使环形腔单向运行,实现四镜矩形环形腔单纵模激光器。实验中谐振腔的稳定性由增益介质的热透镜保证,声光调制器给正反2个方向的光提供损耗差,这使得在竞争过程中有较大损耗的光不能运行从而获得单向输出。实验获得了连续功率1 W、光束质量因子M2为1.21 的1.06 m单纵模激光。 相似文献
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理论分析了激活介质热效应对端面泵浦固体激光器激光振荡模式分布的影响,并以光纤耦合半导体激光器端面泵浦Nd∶YAG激光器实验研究了激活介质热效应对激光振荡模式的影响。实验结果表明:由于热效应,基模的模体积随泵浦功率的增加而变大,基模在模式竞争中占优;在泵浦光轴线偏离几何腔轴时,基模光斑中心位置朝泵浦光轴线所在位置移动,偏离量与泵浦光轴线的偏离量近似成线性关系。利用实验结果指导腔调节,可使泵浦光轴线与几何腔轴精确重合,获得了椭圆率为0.98、M2因子为1.01的基模输出。 相似文献
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二极管端面抽运固体激光器中,圆棒晶体采用金属热沉夹持并散热,晶体侧面受到的压力呈非轴对称分布.建立了此状态下晶体棒与热沉间无热界面物质、采用厚度为平均间隙厚度和远大于平均间隙厚度的热界面物质三种情况下接触热导模型.针对前两种模型,采用截断高斯模型和塑性形变模型,讨论了接触热导与装配压力、等效均方根粗糙度的关系.建立了晶体棒与热沉的接触散热模型,对高斯型热耗分布,采用有限元法得到了无热界面物质和采用铟箔作为热界面物质时晶体棒温度的空间分布.结果表明:无热界面物质时,晶体棒与热沉间接触热导随圆心角变化较大,其
关键词:
激光二极管端面抽运固体激光器
热效应
有限元法
接触热导 相似文献
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Following the previous work, in this paper, the antireflective films thicknesses, refractive indexes and reflectance spectra of different color categories of the polycrystalline silicon cells are tested and compared. It is found that the color difference of polycrystalline silicon cells is mainly caused by the antireflective film. Then the matrix transfer method is used to simulate the reflection spectra according to the actual tested parameters of the samples, and the effectiveness of the simulation is verified. Finally, according to the distribution of the spectral solar irradiance, the total solar absorption of the polycrystalline silicon cells with different antireflective film thicknesses is simulated. The optimal value of the antireflective film thickness of the polycrystalline silicon cell is calculated. This study has important guiding significance for photovoltaic (PV) enterprises to realize the optimal production of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process in production. 相似文献