超顺磁纳米颗粒弛豫时间传感技术在生化分析中的研究进展

该文介绍了基于超顺磁纳米颗粒的弛豫时间(T2)传感技术及其在生化分析应用中的研究进展.在均匀磁场中,超顺磁纳米颗粒状态的变化(分散或聚集)会改变磁场的均匀度进而引起周围水分子质子弛豫时间的改变,即磁弛豫时间传感效应.磁颗粒经表面修饰后与给体/受体偶联形成磁传感探针,当与待测物发生特异性反应后,引起介质磁颗粒聚集状态改变...     

纳米Si/SiNx超晶格实现Nd∶YVO4激光被动调Q

采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。     

纳米硅镶嵌薄膜的光学性质及对1342nm激光的被动调Q

采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiN<,x>(ne-SiN<,x>)薄膜.通过对薄膜的小角度X射线衍射和吸收光谱测试,确定了硅晶粒尺寸和光学带隙.采用Z-扫描技术研究了薄膜的三阶非线性光学特性,结果表明薄膜的非线性吸收属于双光子吸收.把ne-Si/SiN<,x>薄膜作为可饱和吸收体插入LD...     

最大熵先验下正态分布模型的Bayes模糊假设检验

研究了正态分布总体在方差已知,总体均值为正的条件下,获得最大熵先验分布,并根据贝叶斯风险准则求得多重模糊假设检验问题的最优决策.最后用算例说明其有效性.     

1.5T核磁共振弛豫时间分析仪的研制及其潜在应用

介绍了国产1.5T核磁共振弛豫时间分析仪的基本组成、性能指标,研发过程中攻克的技术难题。该仪器主要由磁体部分、电子部分、软件部分组成,具有体积小、信噪比高、检测无损、使用和维护简便和造价低廉等优点。同时对该系统磁体频率和磁信号的稳定性进行了相关的测试,结果表明该系统稳定可靠。该仪器的磁场强度增加到1.5T,在同等外界条件和环境下,信噪比增加约为0.5T系统的10倍,检测灵敏度大幅度提高;该仪器为食品品质鉴定、食品安全检测、医学诊断、生物标志物的大规模筛选等生化分析提供一个全新的途径。     

半导体薄膜实现Nd:YVO4 1064 nm和1342 nm双波长激光被动调Q

采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064 nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd:YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd:YVO4激光器中,SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q,获得20 ns的1064 nm激光脉冲和19 ns的1342 nm激光脉冲输出。研究表明,薄膜对1064 nm和对1342 nm的双光子饱和吸收是双波长激光被动调Q的直接原因;激光器两个支腔输出损耗的差别和薄膜对两个波长的非线性吸收系数的相对值影响了双波长脉冲的宽度和时间间隔。     

纳米Si/SiNx超晶格实现Nd:YVO4激光被动调Q

采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。     

有限厚度板穿透裂纹前缘附近三维弹性应力场分析

通过三维有限元计算来研究有限宽度、有限厚度含有穿透裂纹板的裂纹前缘应力场，从中找出应力强度因子与板的厚度、裂纹长度之间的关系，同时还分析了裂尖的三维约束程度和三维约束区的大小。分析结果表明：应力强度因子沿厚度的分布是不均匀的，应力强度因子的最大值及其位置与厚度有关；有限厚度板中面应力强度因子(KI)m-p及最大应力强度因子(KI)max均大于平面应力或平面应变的应力强度因子。对有限厚度裂纹问题，按平面应力或平面应变来考虑是不安全的；板中面的应力强度因子(KI)m-p及最大应力强度因子(KI)max是厚度B／a的函数；板的中面离面约束系数Tx最大，自由面(z=B)Tx=0。沿厚度方向裂尖附近的离面约束系数Tx也是z／B和B／a的函数，随着厚度的增加离面约束系数Tx增大，离中面越近离面约束系数Tx越大。Tx随着x的增大急剧减小，三维约束影响区域大小大约为板厚的一半，且裂纹长度a／W对应力强度因子沿厚度变化规律及Tx影响区域大小影响较小。     

基于ARM+FPGA的可重构控制器设计及其在加载系统中的应用

文章提出了一种基于ARM＋FPGA结构的可重构控制器的设计方法．并采用此方法开发了用于加载系统的2通道电液伺服控制器。该控制器利用ARM资源丰富、运行速度快、计算精度高、编程灵活的特点．以及FPCA极其灵活的大规模高速逻辑运算处理能力和I／O资源丰富的特点，并以恰当的方式将两者结合起来．实现了控制算法的硬件化，实时性好，满足高性能、高可靠性的要求。     

半导体薄膜实现Nd∶YVO4 1064nm和1342nm双波长激光被动调Q

采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd∶YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd∶YVO4激光器中,SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q,获得20ns的1064nm激光脉冲和19ns的1342nm激光脉冲输出。研究表明,薄膜对1064nm和对1342nm的双光子饱和吸收是双波长激光被动调Q的直接原因;激光器两个支腔输出损耗的差别和薄膜对两个波长的非线性吸收系数的相对值影响了双波长脉冲的宽度和时间间隔。