Pb(Ⅱ)离子印迹吸附剂的制备及固相萃取性能研究

采用表面印迹技术,结合溶胶凝胶过程,合成了巯基功能化的Pb(Ⅱ)离子印迹吸附剂,利用傅立叶变换红外光谱和N2吸附-脱附对其进行了表征,并用平衡吸附实验研究了其固相萃取性能.结果表明,该印迹吸附剂对Pb(Ⅱ)的结合能力和选择性明显高于非印迹吸附剂,并且具有较快的吸附速率,20 min即达到吸附平衡,最大的平衡吸附量达221 mg/g,在Cd(Ⅱ)存在下,相对选择性系数达到121.该法的检出限为0.23 μg/L,相对标准偏差为3.7%.将该印迹吸附剂用于实际水样的分离富集和测定,结果令人满意.     

两个耦合二能级原子与单模热场作用系统中的量子和经典关联

运用量子纠缠、量子关联与经典关联的概念及全量子理论方法,在一定条件下,研究了两个耦合二能级原子与热场相互作用系统中量子纠缠、量子失协、几何量子失协和经典关联的演化特性.分析和讨论了初始时刻两原子处于分离态时,原子与热辐射场耦合强度、热场平均光子数对系统中两原子间量子纠缠、量子关联和经典关联演化特性的影响.结果表明:在原...     

基于参考信号的无源互调故障定位技术

研究了一种基于参考信号的无源互调故障定位技术.该技术比传统无源互调测量技术多了一个参考信道,提供参考信号,解调互调信号相位响应,同时引入校准技术,在测量端口构建参考平面,通过频时转换得到相对于参考平面的时域响应,有效地进行故障排查.在此基础上,仿真故障定位实验验证了理论的正确性,设计并制造相位参考板,测试结果与实际值比较表明：电缆上两个故障位置实际值与测量值之差的绝对值均≤1m,实际相对误差分别约为5.1%、2.4%,证明了这种方法的正确性和可行性.该技术将克服传统故障定位的不足,更适应于恶劣的地域环境.     

添加Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉的微波烧结

采纳合理的保温结构，利用TE103单模腔微波烧结系统对添加6wt％Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉末的微波烧结行为、烧结样品的微观结构和力学性能进行了研究，SEM和TEM、HREM观察表明，烧结样品晶粒细小，微观结构均匀，力学性能测试表明在1600℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为470MPa，断裂韧性为5．0MPa·m－2，洛氏硬度为89．5；在1650℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为630MPa，断裂韧性为5．8MPa·m-2，洛氏硬度为91．6．     

小型化三耦合线Marchand巴伦的等效模型分析与验证

为了实现三耦合线Marchand巴伦的快速设计,缩小巴伦的尺寸,提出了一种简化的三耦合线Marchand 巴伦等效模型及小型化设计方法。该等效模型将复杂的三耦合线的S参数散射矩阵的计算问题简化为对两个并联的平行耦合线的S参数散射矩阵的计算。为了验证该模型和设计方法的有效性,采用0.1 μm 砷化镓pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺制作了一款75~110 GHz的单平衡混频芯片,最终应用于单平衡混频器的巴伦耦合线长度被缩减为中心频率1/4波长的44%。良好的混频器性能和紧凑的芯片面积证明了所提三耦合线巴伦的等效模型和设计方法能够为单片集成微波电路芯片的设计提供指导作用。     

NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀     

多结构元受控形态滤波器

基于受控形态学中的形态开-闭和闭-开运算,采用多结构元素,构造了一类多结构元受控形态滤波器.该滤波器具有平移不变性、递增性、对偶性和幂等性等重要性质.多结构元受控形态滤波器不仅可以有效地抑制图像噪声,而且较好地保持了图像的几何结构特征,通过与传统形态滤波器的对比实验,进一步验证了该滤波器的优越性能.     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层

<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然     

Ka波段微波集成电路单刀双掷开关的设计

一、前言 1.目的本报告研究一种带驱动器的具有下列性能的实用宽频带集成电路K_a波段SPDT(单刀双掷)开关:设计指标力争指标频率26 .6一40GHz 功率容量2瓦连续波插入损耗2.6dB(最大)2.OdB 电压驻波比1.7(最大) 隔离度3OdB(最小)40dB