三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响

采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量,光致发光法测试其光学特性.实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量.对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式.根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型.     

InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管

采用金属有机物气相外延方法,研制了InGaN/GaN单量子阱结构的绿光发光二极管.测量了其电致发光光谱,及发光强度与注入电流的关系.室温20mA的注入电流时,发光波长峰值为530nm,半高宽为30nm.注入电流小于40mA时,发光强度随注入电流单调递增.     

MOS场效应管的新的电流公式

本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代ＭＯＳ场效应管的电流－电压特性，避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设．所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域．计及了纵向电场引起的载流子迁移率下降及速度饱和效应，得到了适用于短沟道ＭＯＳ管的电流公式．     

宽带信号高分辨测向研究

本文针对用任意几何形状阵列对宽带信号进行高分辨抗多径测向的问题。简要评述了目前国内外的主要方法,指出它们的优缺点,并提出了宽带最佳加权子空间拟合算法。     

GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较

利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线.结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减.而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减.结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定.GaN光电阴极激活后cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性.     

Clos网的一种会议型连接方案

本文提出了一种Clos网的会议型连接方案。该方案假定在点对点Clos网引导后,会议网端口以模块为单位分配给不同会议,证明了在此条件下实现广义会议非重整无阻塞和会议独立选路需要最少的中间模块支持,即m3。同时指出本方案具有会议成员无阻塞特性和会议不相关特性,并具有灵活性、稳定性及时延方面的优点。     

MoO3纳米带修饰MCM-22催化甲烷无氧芳构化反应

利用天然气生产芳烃是一个有吸引力的课题，这个过程需要具有高性能活性位点的催化剂，以活化稳定的碳氢键．在甲烷直接转化方法中，将甲烷无氧脱氢芳构化(MDA)转化为高附加值芳烃(如苯、甲苯和萘)是甲烷增值的有效途径．本研究采用MoO₃纳米带作为Mo源，微孔分子筛MCM-22作为载体制备双功能Mo基催化剂，结果表明MoO₃纳米带高度分散在分子筛内部，与分子筛中Br?nsted酸中心结合形成有效活性中心，改善了甲烷无氧脱氢芳构化反应的催化活性，提高了催化剂的稳定性．在甲烷无氧脱氢芳构化反应测试中，当MoO₃纳米带的负载量质量分数为6%时，N-Mo-HMCM-22催化剂催化的甲烷转化率达到14.1%，苯产率可达8.2%．本研究为合成高性能、稳定的MDA催化剂提供了一种更为简易的策略．