基于ZigBee的煤矿监控系统的设计

针对恶劣的煤矿生产环境和事故救援的需求,提出了一种基于ZigBee的安全监控系统。该监控系统主要以CC2530和NRF24LE1为核心,集矿井人员定位和瓦斯检测于一体。该系统性能稳定,技术可靠,设计简单实用。能够满足当前矿山检测和监控需要。     

宽带KrF激光泵浦SBS的研究

 理论和实验研究了宽带（15GHz）KrF激光泵浦的受激布里渊散射（SBS）在SF₆介质中的转换效率和脉宽压缩比的规律。介质在1.6MPa、透镜焦距为15cm和30cm时，测得SBS最大反射率分别为40%和45%，当泵浦能量大于60mJ时SBS反射率开始趋于平坦；介质在0.85MPa、透镜焦距在30cm时，SBS脉宽压缩比随泵浦能量的上升而下降，最大压缩比为5。建立了宽带多模KrF激光泵浦的SBS理论模型，假设宽带KrF激光光谱谱线由若干窄带谱线组成，这些窄带谱线之间在产生SBS过程中有一定程度的耦合。给出了理论模型结果，并与实验结果进行了比较。     

Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit

A 320×240 pixel organic-light-emitfing-diode-on-silicon （OLEDoS） driving circuit is implemented using the standard 0.5μm CMOS process of CSMC. It gives 16 gray scales with integrated 4 bit D/A converters. A three- transistor voltage-programmed OLED pixel driver is proposed, which can realize the very small current driving required for the OLEDoS microdisplay. Both the D/A converter and the pixel driver are implemented with pMOS devices. The pass-transistor and capacitance in the OLED pixel driver can be used to sample the output of the D/A converter. An additional pMOS is added to OLED pixel driver, which is used to control the D/A converter operating only when one row is on. This can reduce the circuit＇s power consumption. This driving circuit can work properly in a frame frequency of 50 Hz, and the final layout of this circuit is given. The pixel area is 28.4 × 28.4μm^2 and the display area is 10.7 × 8.0 mm^2 （the diagonal is about 13 mm）. The measured pixel gray scale voltage shows that the function of the driver circuit is correct, and the power consumption of the chip is about 350 mW.     

硬脂酸凝胶法制备的BaTiO3超微粉和陶瓷

用硬脂酸凝胶法制备了BaTiO_3超微粉.并通过XRD、介电和热释电等方法研究了这种超微粉以及由其制备的陶瓷的结构和其它物性.发现它们的性质与常规的BaTiO_3陶瓷极为不同.只有一个铁电一顺电相变、而且铁电相的结构为准立方结构.它可能是由于这种超微粉表面包裹一层偏离BaTiO_3化学配比的非铁电材料,使BaTiO_3微晶机械受夹,不能自由产生铁电畸变所致.     

超微粒CO3O4的合成与表征

本文用胶溶法合成了纳米级超微粒Co_3O_4,初步探讨了合成Co_3O_4超微粒的最佳实验条件,对产品的结构性能测试表明,所得超微粒子Co_3O_4粒度均匀,平均粒度为4.0nm.200℃热处理时,产品为无定形,在许多有机溶剂中具有良好的分散性和透明性;400℃热处理得到立方Co_3O_4纳米晶体,平均粒度为6.0nm,热稳定性好。     

B(OCH3)3电子结构的Hel紫外光电子能谱研究

人们知道，Hel紫外光电子能借（PES）提供研究分子轨道能量、能级次序、成键类型以及由光电子峰强度所反映的电离轨道特性等信息是其他手段没有的，因而PES技术已广泛地用于众多化合物分子电子结构的研究中．有机础化合物由于它们高的反应活性作为合成试剂而信受人们重视［‘－     

PC机与DSP之间的并行通讯技术

对PC机在EPP模式下与C6000系列DSP的HPI口之间进行的并行通讯进行了研究,提出了用EPP协议和CPLD实现DSP与计算机并口的双向高速数据传输的方法并给出了技术解决方案。通过HPI口PC机可实现直接访问DSP的存储空间(包括映射的片内外设),并实现对DSP存储空间的读、写功能,同时在高级语言下完成了对DSP应用系统的在线监控。该电路设计已成功应用于信号处理系统并可以应用到利用并口进行通讯的其他课题中。     

GE海水淡化项目有望落地渤海湾

中国人均淡水资源只有全球的1／4，亚洲的1／3，海水淡化的需求很大。海水淡化会是一个很好的新型产业，但在全球刚刚起步。目前，中国已建成的装置容量非常小。     

微波晶体管散射矩阵的数值计算

提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法 ,该方法采用数值分析技术 ,把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解 ,得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的变化关系 ,根据电压电流值求出器件的散射矩阵 .在设计微波单片集成电路 (MMIC)时 ,可以同时对器件和输入输出匹配电路进行设计 ,缩短了研制周期 .另外计算了 SOI MOSFET微波器件的散射矩阵 .结果表明 ,该方法与传统的参数提取方法相比 ,两者的结果基本一致 .     

双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进

双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压.改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除了多晶硅残留现象,减少了工艺步骤,提高了成品率;对于厚度大于70 nm或者100 nm的厚栅氧器件,除了以上的改进措施,还增加了一步光刻工艺,分别单独形成高压和低压器件的源漏区域.通过这些方法,解决了多晶残留问题,得到了性能更好的LDMOS器件,大大提高了成品率.