具有跟踪性可扩流的吸引子的稳定性

本文证明了紧致流形上具有跟踪性可扩流的链回复吸引子均为若干基本集的并而且关于Hausdorff度量稳定。     

MCS-96仿真平台的软件开发

介绍了MCS－96单片机CPU运行平台的一种仿真方法，为MCS－96的汇编源程序进行动态测度搭建一个工作平台。     

利用第三代数字PABX组建专用数据通信网

本文以一个专用网为实例，介绍了利用第三代数字ＰＡＢＸ组建专用数据通信网的具体应用情况。     

双散热片结构光抽运垂直外腔面发射激光器的热特性分析

利用ANSYS有限元热分析软件对光抽运垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)内部的热场分布和热矢量分布进行了模拟,对比分析了两种散热结构的散热性能,讨论了抽运光斑的参量和金刚石散热片厚度对器件热特性的影响。模拟分析表明:在抽运功率密度较大时,与单面键合金刚石散热片结构相比,双金刚石散热片结构的OPS-VECSEL温升较低,引起的谐振波长差较小,热量向芯片上下两侧散失有利于器件的散热,并且随着抽运功率密度的增大,双散热片结构的散热优势就越明显;当上部金刚石散热片的厚度为500μm、下部金刚石散热片的厚度在300～500μm时可以实现很好的散热效果。     

Exact solutions of the Schrödinger equation for a class of hyperbolic potential well

We propose a new scheme to study the exact solutions of a class of hyperbolic potential well. We first apply different forms of function transformation and variable substitution to transform the Schrödinger equation into a confluent Heun differential equation and then construct a Wronskian determinant by finding two linearly dependent solutions for the same eigenstate. And then in terms of the energy spectrum equation which is obtained from the Wronskian determinant, we are able to graphically decide the quantum number with respect to each eigenstate and the total number of bound states for a given potential well. Such a procedure allows us to calculate the eigenvalues for different quantum states via Maple and then substitute them into the wave function to obtain the expected analytical eigenfunction expressed by the confluent Heun function. The linearly dependent relation between two eigenfunctions is also studied.     

2.0 μm 波段Sb基多量子阱材料的制备

采用分子束外延外延生长技术,优化InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱点材料的生长速率、生长温度和束流比等生长参数,获得了高质量的多量子阱材料。室温光荧光谱表明,材料的发光波长为2.0 m左右。该结果表明,通过优化生长条件和结构参数制备的量子阱材料,可以获得良好的结构质量和光学特性。所制备的器件室温条件下输出功率22 mW,阈值电流300 mA。     

基于改进K-SVD字典学习的超分辨率图像重构

 针对已有算法中字典训练的时间消耗巨大的问题,提出了一种改进的基于字典学习的超分辨率图像重构算法.本文将K-SVD字典算法和高低分辨率联合生成的思想结合起来,形成新的字典训练方法,并将由该算法生成的高低分辨率字典应用于基于稀疏表示的超分辨率重构.重构仿真实验证明算法不仅有效降低了字典训练所消耗的时间,而且能够改善重构高分辨图像的质量.     

大内径离轴光纤旋转连接器的设计与实现

为了实现旋转系统之间的光信号耦合,设计了一 种新型的大内径离轴光纤旋转连接器。 将光纤准直器 和红外直角棱镜按照一定的规则排布在法兰盘上,使光信号能在较大离轴偏移量下保持持续 传输状态。分 析了影响离轴光信号传输耦合效率的主要因素,通过优化热扩芯光纤(TECF)准直器和红外直 角棱镜进一步减小了 离轴光纤旋转连接器的耦合损耗。研制的离轴光纤旋转连接器法兰盘内径为60mm, 内外法兰盘上的TECF准直器分别为16个, 并行光收发器实现串行光信号的收发。实验结果表明,本文的离轴光纤旋转 连接器在60RPM的转速和1.25Gbit/s的光信号 传输速率下最大插入损 耗为21.73 dB,可以满足旋转系统之间稳定传输光信号的要求。     

利用原子淀积Al2O3对InP光学稳定性的研究

提出一种钝化InP表面的新方法湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度,并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光（PL）谱,对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明,通过对样品进行退火处理,可增强In-S键结合强度,进一步降低表面态密度。最后,利用原子力显微镜（AFM）对样品的表面形貌进行表征。     

MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究

采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。