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本文在弱闪烁条件下,利用广泛适用于星际闪烁、行星际闪烁和电离层闪烁的薄相屏理论,以行星际闪烁为算例,对薄相屏闪烁进行了数值分析。结果表明:垂直于介质运动方向上的不规则结构的大小对闪烁有着重要的影响,直接表现在频谱的变化趋势和振荡幅度的不同。尤其是当小于Fresnel尺度时,数值计算表明此时没有闪烁发生。 相似文献
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本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展. 相似文献
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Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容- 相似文献
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日本三洋电机公司为了增加生产快闪EZPROM,在生产分公司约投资150亿日元,使目前400万个的生产能力扩大二倍。由于数字摄像机等新型设备的需要增加,生产能力的成倍增加是必要的。新增新泻三洋电子的H条生产线。1997年的半导体设备投资为630亿日元。三洋投资150亿日元生产快闪 相似文献