GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

布里兹曼法碲镉汞（Hg1—xCdxTe）晶体生长过程热场的数值分析

用控制容积法对布里兹曼碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律，可供从事该方面研究工作时参考。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

数据融合在C^3I系统中的应用

多传感器数据融合技术已在军事领域受到广泛重视，并逐步走向实际应用，本文简要介绍它的一般组成、特点以及在军事Ｃ＾３Ｉ系统应用中的主要功效。     

万兆瓦可调谐窄线宽新型钕玻璃激光装置

本文报道了万兆瓦可调谐窄线宽新型钕玻璃激光装置的特色、所涉及的若干物理问题、装置的总体光路排布和关键技术,以及装置的总体输出性能。     

数学知识应用竞赛命题浅议

数学知识应用竞赛命题浅议王尚志，李延林（首都师大数学系１０００３７）（北京数学会理事）北京市“方正杯”中学生数学知识应用竞赛初赛于１９９２年１１月举行．我们作为命题和阅卷工作的参加者，学到很多东西，也产生一些想法，抛砖引玉，与广大同行一起讨论，并请指...     

调幅立体声广播(续)

四、莫托罗拉C-QUAM制 1.C-QUAM制式的基本原理在调幅立体声广播的五种制式中,莫托罗拉制有三个明显的优点:一是优良的噪声特性,噪声电平几乎同单声道广播一样,仅增大1.5分贝;二是在大调幅时,能保持好的立体声特性,调幅度的最大限度跟调频调幅制、调相调幅制一样,都是-100％～125％范围内;三是以正交调幅制为基础,它具有与单声道接收机几乎同样的对天波效应的抗干扰性,它又能抑制中频滤波器或者失调而引起的边带不对称性。