三元化合物ZnCrS2电子结构和半金属铁磁性的第一性原理研究

以闪锌矿相的ZnS 2×2×1超原胞为基础,通过将其中的Zn用Cr按1∶1配比进行了a和b两种不同位置的替换构造出了三元化合物ZnCrS₂ 理论模型,然后采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势(PWPP)方法分别计算了两种不同模型ZnCrS₂的电子结构和磁学性质. 结果表明,两种模型的ZnCrS₂的铁磁态都比反铁磁态更稳定,均是半金属铁磁体(半金属能隙分别为0.9631 eV和0.7556 eV), 其中a位替换不但具有较大的半金属 关键词： 2')" href="#">ZnCrS₂ 电子结构 半金属铁磁性 第一性原理     

适用于全光开关的[(C3H7)4N][Au(C3S5)2]三阶非线性光学性质研究

合成了一种金属有机配合物[(C3H7)4N][Au(C3S5)2].配制了浓度为1×10-3 mol/L的[(C3H7)4N][Au(C3S5)2]/乙腈溶液,并用旋涂法制备了掺杂浓度质量比为1%的[(C3H7)4N][Au(C3S5)2]/PMMA复合薄膜.运用Z扫描方法,分别研究了样品溶液和薄膜在波长为1064nm...     

新型半金属材料-Cr掺杂纳孔结构AlN的第一性原理研究

采用基于密度泛函的第一性原理,研究纳孔结构AlN的稳定性及Cr掺杂纳孔结构AlN的能带结构、态密度、磁矩等性质.结果表明,纳孔结构AlN具有高于岩盐矿结构AlN的稳定性,并在一定压强条件下可实现纤锌矿AlN到纳孔结构AlN的转变;Cr掺杂纳孔结构AlN后,能带结构和态密度均显示半金属性特征;Al23CrN24和Al22Cr2N24的磁矩分别为3+B、6+B,进一步说明Cr掺杂纳孔结构AlN晶体是半金属铁磁体.     

等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．     

辐射型漏泄同轴电缆电压驻波比影响因素分析

对辐射型漏泄同轴电缆电压驻波比影响的因素进行了分析,通过仿真及实际测试对分析元素进行了验证,探讨了在实际生产过程中对辐射型同轴电缆的电压驻波比的影响.     

空间外差光谱仪干涉图非均匀性校正研究

空间外差光谱仪在研制加工过程中,由于加工误差及胶合误差会使CCD接收到的干涉图存在光强分布不均匀现象,降低了变换光谱的准确性。基于对空间外差光谱仪干涉图光强非均匀性的产生机制与特点分析基础上,提出了一种干涉图非均匀性校正方法,该方法通过对实际干涉图进行单调分解、分段归一化及重新组合过程求解出光强分布函数,然后将变换光谱与光强分布函数倒数的傅里叶变换结果进行卷积来获得非均匀性校正后的光谱,最后将校正光谱进行逆傅里叶变换从而实现干涉图的非均匀性校正。将此方法应用于空间外差试验仪的近红外实测单色光干涉图的非均匀性校正,结果显示,该方法可以有效改善干涉图光强分布的非均匀性,抑制变换光谱的边频信号,通过与仿真的理想光谱对比,1 571和1 572 nm光谱校正前后噪声的减小率分别达到40.7%和24%,提高了光谱信噪比和准确性。     

氮化镓异质结高能电子辐照的电子背散射衍射研究

利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质结,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐照剂量的增加而增大,对应的表层应变或畸变减小。扫描电镜能谱(SEM/EDS)分析发现氧原子在外延层心部发生富集,表明高能电子辐照在GaN外延层内引入晶格损伤。表层应变状态的改变与杂质扩散和辐照点缺陷的引入直接相关,其中晶格损伤是影响表面应变状态的主要因素。     

XRD对ZnO 薄膜生长条件和退火工艺的优化

利用等离子体MOCVD设备在(001)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析,优化了薄膜的生长条件,长出了半高宽仅为0.15°的单一取向的高质量ZnO薄膜,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力,而生长结束后一次退火却引入了压应力。     

Molecular dynamics simulation of thermodynamical properties of copper clusters

The melting and freezing processes of Cu_N (N=180, 256, 360, 408, 500, 628 and 736) nanoclusters are simulated by using micro-canonical molecular dynamics simulation technique. The potential energies and the heat capacities as a function of temperature are obtained. The results reveal that the melting and freezing points increase almost linearly with the atom number in the cluster increasing. All copper nanoclusters have negative heat capacity around the melting and freezing points, and hysteresis effect in the melting/freezing transition is derived in Cu_N nanoclusters for the first time.     

Different temperature dependence of carrier transport properties between AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN and AlxGa1-xN/GaN heterostructures

The temperature dependence of carrier transport properties of AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN and AlxGa1-xN/GaN heterostructures has been investigated.It is shown that the Hall mobility in Al0.25Ga0.75N/In0.03Ga0.97N/GaN heterostructures is higher than that in Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures at temperatures above 500 K,even the mobility in the former is much lower than that in the latter at 300 K.More importantly,the electron sheet density in Al0.25Ga0.75N/In0.03Ga0.97N/GaN heterostructures decreases slightly,whereas the electron sheet density in Al0.25Ga0.75N/GaN heterostructures gradually increases with increasing temperature above 500 K.It is believed that an electron depletion layer is formed due to the negative polarization charges at the InyGa1-yN/GaN heterointerface induced by the compressive strain in the InyGa1-yN channel,which e-ectively suppresses the parallel conductivity originating from the thermal excitation in the underlying GaN layer at high temperatures.