基于DSP Builder的MSK调制器的优化设计

先是对最小移频键控(MSK)和直接频率合成(DDS)的基本原理进行了理论分析;然后,介绍了基于DDS的MSK调制方法,在此基础上对MSK调制器模型中的查找表(LUT)进行压了缩优化设计,节约了资源并降低了成本开销;最后,在Matlab/Simuilnk平台上结合Altera公司提供的DSP Builder工具对该设计进行建模、仿真,成功验证了该设计的可行性并下载到FPGA芯片进行了硬件实现.     

高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响

对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷（FPDs）进行了研究.利用高温快速退火工艺（RTA） ，将重掺锑硅片在N₂，Ar，H₂三种不同气氛下进行热处理，对退 火前后FPDs的密度变化进行了研究，分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热 稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系，分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火 工艺下的消除机制，认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子，影响了硅片中间隙氧的浓度分布， 进而影响了原生微缺陷的形成及热行为. 关键词： 重掺锑硅单晶 快速退火（RTA） 流动图形缺陷（FPDs） 空洞缺陷     

直拉硅单晶中的流动图形缺陷

用Secco腐蚀液对直径150mm p型(100)直拉硅单晶片进行择优腐蚀后,得到了流动图形缺陷(FPDs),并通过原子力显微镜(AFM)对其微观结构进行观察.实验发现,在FPDs缺陷的尖端存在有几百纳米的由(111)面构成的八面体空洞,这与Takeno等人的实验结果相反,他们认为FPD的端部是间隙型的位错环;实验还发现,FPD端部的空洞随腐蚀时间延长会逐渐变为圆形的浅坑直至最后消失.     

五网合一室内分布系统隔离度分析

本文论述了五网合一室内分布系统各系统之间产生的杂散干扰、互调干扰和阻塞干扰,计算了各系统之间干扰电平大小以及各系统最大允许外来干扰电平。并根据分析演算结果,得出了多系统合路需要达到的隔离度。     

基于块特征的H.264压缩域对象分割

针对H.264压缩域,提出一种改进的运动对象分割方法。首先提取运动矢量场,对该矢量场进行矢量中值滤波,然后基于块进行前向矢量累积获得更加显著的矢量场,最后采用改进的K均值和EM的混合分层聚类方法,基于宏块层、块层两次聚类将运动对象分割出来。实验表明,该方法通过分层聚类,进一步提高了分割效率,能实现满足实时要求的较精确分割。     

黏弹性聚合物驱驱替动态与不同注入参数分析

基于质量守恒定律,建立三相五组分考虑聚合物弹性增黏、降低残余油和稠油黏弹性效应的聚合物驱数学模型,并采用IMPES方法进行求解.计算分析表明,黏弹性聚合物驱可降低残余油饱和度,增加驱油体系黏度,提高原油采收率;采收率随注入浓度增大先迅速增加后趋于稳定,最优值为2 000 mg·L^-1;随注入速度先增加后降低,存在最优值;随聚合物段塞增大先迅速增加后缓慢增加并趋于稳定,最佳注入量约为0.6 PV;随原油松弛时间增加呈线性增加.     

气相色谱/三重四极杆串联质谱法测定牛奶及奶粉中213种农药多残留

在系统优化固相萃取吸附剂填料类型、洗脱溶剂种类及体积的基础上,建立了牛奶和奶粉中213种农药残留的气相色谱-三重四极杆串联质谱(GC-MS/MS)方法。试样用乙腈均质提取,采用石墨化炭黑/氨基柱(ENVI-Carb/NH₂)净化后,用GC-MS/MS多反应离子监测(MRM)模式进行检测,外标法定量。结果表明,197种农药在10~1000 μ g/L,16种农药在50~1000 μ g/L范围内线性关系良好,相关系数均大于0.99,方法的检出限(S/N=3)为0.03~7.59 μ g/kg,定量限(S/N=10)为0.10~21.94 μ g/kg,平均添加回收率为66.9%~120.1%,相对标准偏差(RSD)为1.23%~17.6%。该方法样品处理简单快速,相比其他多残留分析方法净化效果好,灵敏度和选择性高,适用于日常检测工作。     

注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究

离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径。本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了片状缺陷的结构特征,分析了片状缺陷尺寸和间距在纵深方向的变化。实验发现,沿着平行于正表面的(111)片状缺陷是注氢硅中的重要缺陷。片状缺陷的实质是四层晶面的应变,造成晶格膨胀约O．084nm。实验还发现片状缺陷的尺寸和间距随深度变化,在损伤带顶部和中间小,而在损伤带底部附近明显增大。     

采用薄SiGe虚拟衬底制备应变Ge材料

This paper describes a method using both reduced pressure chemical vapor deposition （RPCVD） and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition （UHVCVD） to grow a thin compressively strained Ge film. As the first step, low temperature RPCVD was used to grow a fully relaxed SiGe virtual substrate layer at 500 ℃ with a thickness of 135 nm, surface roughness of 0.3 nm, and Ge content of 77%. Then, low temperature UHVCVD was used to grow a high quality strained pure Ge film on the SiGe virtual substrate at 300 ℃ with a thickness of 9 nm, surface roughness of 0.4 nm, and threading dislocation density of - 10^5 cm^-2. Finally, a very thin strained Si layer of 1.5-2 nm thickness was grown on the Ge layer at 550 ℃ for the purpose of passivation and protection. The whole epitaxial layer thickness is less than 150 nm. Due to the low growth temperature, the two-dimensional layer-by-layer growth mode dominates during the epitaxial process, which is a key factor for the growth of high quality strained Ge films.     

分形低渗透缝洞型油藏非线性渗流规律

引入分形理论,建立考虑低速非达西效应的分形三重介质缝洞型油藏数学模型,通过Laplace变换及Stehfest数值反演方法求出井底压力,借助Matlab编程绘制压力动态曲线,划分渗流阶段,分析渗流规律,进行非线性参数敏感性分析.最后结合实际算例,验证模型的正确性.结果表明：分形三重介质油藏渗流过程分为早期纯井储,过渡流,缝洞窜流,拟径向流,基质与溶洞、裂缝窜流及总体径向流6个渗流阶段;低速非达西效应对渗流的影响随时间的推移逐渐增大;启动压力梯度越大,总径向流阶段压力动态曲线上翘幅度越大;分形系数影响整个渗流过程,随着分形系数的增大,裂缝迂曲程度随之增大,致使渗流阻力增加,引起压力动态曲线整体上移幅度增大.