用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

利用减压化学气相沉积技术，制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge0.1/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底. 通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺，有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比，采用线性渐变组分后，应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm，位错密度约为5E4cm-2，表面应变硅层应变度约为0.45%.     

数值模拟自然对流对直拉单晶硅的影响

在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大。本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟,在低雷诺数时采用层流模型,高雷诺数时采用紊流模型,Gr的变化范围从3×106到3×1010,这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统。数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关,还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关。当Gr>108时,熔体内确实存在紊流现象,层流模型不再适合,随着Gr的增大,紊流现象加剧,轴心处的等温线变得更为陡峭,不利于晶体生长。     

降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺

利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.     

边坡监测信息可视化查询分析系统及其应用

大型边坡监测系统数据庞大,项目及测点繁多。传统的数据库管理系统很难直观地查询分析监测数据。作者用在Window 系统下面向对象的程序设计语言VisualBasic和面向对象的数据库管理开发系统Access 开发了具有可视化查询分析特征的监测信息分析管理系统。本文以五强溪水电站左岸船闸边坡为例,介绍了系统的设计和程序功能。     

三角代换在换元积分中的应用

本文想异于现在教科书上的解例,谈谈如何更简便地利用三角代换解决积分中第二类换元积分的方法。 在第二类换元积分中:     

移动互联网技术的发展趋势和热点业务

随着科学技术的不断发展,移动互联网技术也随之获得巨大的进步,已经成为信息传递的重要"桥梁",并且凭借其特有的工作模式以及简便的使用方法等优势慢慢在无线通信领域占据着不可或缺的重要地位.本文首先对移动互联网技术进行简要阐述,同时介绍目前我国移动互联网技术发展的现状以及演变的趋势,最后概括了移动互联网当前以及未来发展的热点业务,望以此为实际的工作提供参考以及借鉴的依据.     

金属纳米线阵列的光学非线性增强因子的分析和计算

以平行排列的无限长金属圆柱体为模型,基于金属颗粒与电磁场相互作用的平均场理论和非线性光学的基本理论,计算了局域场增强和表面等离子体共振引起金属纳米线阵列的光学非线性增强,通过理论计算得到了银纳米线阵列的局域场增强因子和有效三阶非线性极化率的增强因子,并分析了不同参量和非参量非线性光学效应总的场增强因子.     

有限队列M/G/1排队系统的解析模型

本文应用广义马尔柯夫更新过程研究了M|C|1|N混合制排队系统的随机特性,提出了一种求解系统稳态概率的算法,从而给出了系统稳态运行指标的计算公式。     

介质前后双重臭氧处理实现锗/氧化铪间界面钝化

The physical and electrical properties of a Ge/GeO₂/HfO₂/Al gate stack are investigated.A thin interfacial GeO₂ layer（ 1 nm） is formed between Ge and HfO₂ by dual ozone treatments,which passivates the Ge/high-k interface.Capacitors on p-type Ge substrates show very promising capacitance-voltage（C-V） characteristics by using in situ pre-gate ozone passivation and ozone ambient annealing after high-k deposition,indicating efficient passivation of the Ge/HfO₂ interface.It is shown that the mid-gap interface state density at the Ge/GeO₂ interface is 6.4×10¹¹ cm^-2·eV^-1.In addition,the gate leakage current density of the Ge/GeO₂/HfO₂/Al gate stack passivated by the dual ozone treatments is reduced by about three orders of magnitude compared to that of a Ge/HfO₂/Al gate stack without interface passivation.     

功率半导体器件辐射效应综述

功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射效应。然后,介绍了近年来一些新的研究成果和研究热点。最后,对第三代半导体功率器件中的辐射效应进行了简单介绍。