晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染.     

低压低耗共源-共栅BiCMOS电荷放大器

提出了一种低压、低耗、高响应速度和低噪声的BiCMOS电荷放大器.该放大器采用BiCMOS共源-共栅输入放大级,在实现高增益的同时大大减小了噪声,并在电路中运用电流镜解决了集成高阻值电阻的问题,从而降低了集成难度和电源电压等级.测试结果表明,放大器功耗降为230μW/ch,电源电压降低0.7V左右,等效噪声电荷(ENC)小于600电子电荷.     

电子束曝光技术及其应用综述

综述了几种目前已得到应用和正在发展中的电子束曝光技术,包括基于扫描电镜(SEM)电子束、高斯电子束、成型电子束和投影电子束曝光技术等,并分析比较了这些技术各自的特点、应用及发展前景.     

系统芯片设计中的可复用IP技术

可复用IP技术是系统芯片(SOC)设计业的关键技术之一,IP复用能够提高SOC的设计效率,缩短生产周期.鉴于此,论述了IP的基本概念与分类、IP模块的设计和基于IP复用技术的SOC设计过程,并讨论了IP设计与应用中的一些要点,如IP模块的接口、IP的产权保护和IP的选用等.     

原位合成纳米SiO2增强阴离子聚酯型上浆剂及其对碳纤维复合材料层间剪切强度的影响

采用溶胶-凝胶法, 在侧链带有羧基的线性不饱和聚酯中加入正硅酸乙酯(TEOS), 使TEOS在酸性条件下发生水解反应, 原位合成纳米SiO₂增强阴离子型聚酯乳液(SEAPE). 利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)仪、 激光粒度分析仪和冷冻扫描电子显微镜(Cryo-SEM)对SEAPE进行分析与表征. 将SEAPE与聚乙二醇单油酸酯润滑剂、 非离子型表面活性剂FC-4430及抗氧剂1010进行复配, 原位制备纳米SiO₂增强阴离子型聚酯乳液上浆剂(SEAPEs), 用扫描电子显微镜(SEM)、 视频动态接触角测量仪、 X射线能谱(EDS)仪和纤维强力仪对SEAPEs上浆后碳纤维的表面形貌、 表面能、 碳纤维(CF)表面元素及碳纤维增强不饱和聚酯(UPR)复合材料(CF/UPR)的层间剪切强度(ILSS)进行测试与表征. 结果表明, 当TEOS添加质量分数为5%时, SEAPEs上浆后的碳纤维有效增强了其与UPR的结合强度, CF/UPR复合材料的ILSS达到40.03 MPa, 与市售环氧树脂型上浆剂上浆后碳纤维增强UPR复合材料相比, ILSS提高90.1%. SEAPEs中原位生成的纳米SiO₂分散均匀, 乳液储存稳定, 上浆后SiO₂均匀吸附在碳纤维表面, 增加碳纤维表面能, 改善碳纤维与树脂间的浸润性, 可有效提高碳纤维增强不饱和聚酯树脂复合材料的ILSS.     

AVS媒体播放器设计与实现

系统介绍了AVS媒体播放器的开发运行环境、总体架构设计以及具体实现流程。该播放器基于开放式的DirectShow体系结构进行开发,能够全面支持多种文件封装格式和网络传输条件下的AVS媒体播放,具有很强的适应性和可扩展性。     

用于10Gb/s光接收机的BiCMOS放大电路

设计了一种用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级光接收机中的BiCMOS放大电路,包括NMOS共栅-共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器;各个放大器中都引入了负反馈;并精选了元器件参数,采取了提速措施,以保证放大电路在低功耗下工作在10Gb/s或更高速率上.实验结果表明,所设计的放大电路在10Gb/s速率上,主放大器输入动态范围为42dB(3.2～500mV),50Ω负载电阻上的输出限幅约为250mV,小信号输入时的最高工作速率达到12Gb/s,放大电路可采用1.8～5.6V电源供电,平均功耗约为230mW,从而满足了光纤通信系统中的高性能要求.     

整函数的一个插补問題

<正> 1.本文中,我們研究一类整函数的插补問題,其形式,一方面与考虑过的插补問題相似,另一方面又与所謂Abel-插补問題相似.我們将它表述如下: 設{λ_n}为平面上元素互异的序列,并以模不減的次序排好,|λ_n|↑∞,滿足     

无线射频识别中间件技术

无线射频识别（RFID）技术及其应用,近年来在国内外的发展方兴未艾。中间件是构建以及部署RFID系统时所必须的功能组件,被称为RFID系统的“神经中枢”。中间件实现标签数据的处理和上报,内部处理流程由清点规则的状态跃迁机制实现。作为一个软件系统,中间件的架构应用了面向对象的思想、参考了设计模式的成功经验。融合网络设备管理功能、支持多标签标准、支持多厂家阅读器等将是中间件的技术发展方向。     

两种改进结构型BiCMOS模拟开关

为了改善其速度和电流驱动性能,设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路.设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分设置CMOS器件.优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的措施.通过仿真和硬件电路实验验证了开关电路性能,结果表明设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2.6 V≤VDD≤3.6 V的范围内,综合性能指标--延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了25.5 pJ,输出级的驱动电流可达1.39 mA以上,因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中.