原子力显微镜激光光路调整方法

ＣＳＰＭ 930ｂ型多功能扫描探针显微镜经常需要进行手动激光光路调整。该仪器使用说明书[1] 介绍的调整方法可操作性差、手续繁琐、过程冗长 ,且难以判断激光束是否准确照射到微悬臂针尖背面的镀金层上 ,往往造成误判而导致微悬臂针尖被撞断裂。而且 ,按照原有方法操作者需要长时间全神贯注观察激光斑 ,使用者眼睛极易疲劳甚至造成损伤。笔者使用该仪器过程中 ,对光路调整方法进行了大量试验 ,摸索出了一套操作方便 ,容易准确判断针尖位置的有效方法。现总结交流如下。调整方法ＣＳＰＭ 930ｂ扫描探针显微镜ＡＦＭ部分激光光路如图 1所示。…     

高隔离度双极化孔径耦合天线设计

采用多层贴片、垂直双H型孔径耦合结构设计了一种高隔离度双极化孔径耦合微带天线。主要通过实测分析不同贴片间距以及孔径大小对天线隔离度的影响,确定了最佳贴片间距和孔径尺寸。经AgilentES062A矢量网络分析仪实测,得出天线两个端口的回波损耗在2．4～2．5GHz能达到一16dB以下,在工作频段内双端口隔离度优于一31dB,与仿真结果吻合较好。该设计结构简单,成本低廉,易于制作,且可作为双极化基站阵列天线单元。     

利用MFM研究薄膜厚度对Co60Fe20B20薄膜磁畴结构的影响

本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm～400nm)对薄膜磁畴结构的影响.在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大.从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高.当薄膜厚度小于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大;当薄膜厚度大于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小;厚度在20nm附近时,畴壁尺寸达到一个最小值.     

X-射线荧光光谱测定甜瓜中矿质元素

报道了日本理学3080E3型X-射线荧光光谱仪在测定甜瓜样品常量和微量矿质元素中的应用。以国家植物标准参考物质(GBW)为校准标样,采用真空加热干燥法制备甜瓜样品,所得分析结果与ICP-AES对照相吻合。     

光替代谷氨酸氧化酶及荧光法测定谷氨酸

在弱碱性介质中,紫外光的照射引起谷氨酸的光化学反应,产生Ｈ２Ｏ２和ＮＨ３,与谷氨酸氧化酶存在下的酶促反应等效。利用氯化血红素（ｈｅｍｉｎ）作为过氧化酶的替代物,催化Ｈ２Ｏ２与对羟基苯乙酸（ＨＰＡ）的偶合荧光反应,建立了间接荧光法测定谷氨酸的方法。     

雷达数据处理的双系统设计

雷达数据处理在雷达系统中有着重要的作用。随着对雷达可靠性需求的日益提升,雷达数据处理双系统应运而生。雷达数据处理双系统有其独特之处和新的需求。本文指出其设计需求,详细探讨了其设计重点和实现方法。     

可释放一氧化氮的芯-壳结构静电纺丝支架的制备（摘要）

本文制备了可释放一氧化氮（NO）的小口径人工血管.首先合成了氮烯醇化的N,N′-二丁基-1,6-己二胺（DBHD/N2O2）作为NO供体,并将其混入生物可降解材料聚己内酯中（PCL）,利用静电纺丝技术构建管状血管支架.这种血管材料展现了良好的抗血小板粘附的性能,但是却存在着细胞毒性及NO的突释现象.为了解决这两方面问题,利用同轴电纺技术构建了以PCL或明胶为壳,混有DBHD/N2O2的PCL为芯的芯-壳结构纳米纤维多孔血管支架.这种芯-壳纤维结构能够缓慢释放NO,并且细胞相容性也得到了明显的改善.     

金属-氧化物-半导体结构电容-电压特性的扫描非线性介电显微镜表征

扫描非线性介电显微镜(SNDM)利用非线性介电效应检测电容的变化情况,分辨率达到亚纳米量级,精度达到10-22F,主要应用于材料微区的电性能研究,目前以这项技术进行的研究主要集中在铁电材料和半导体材料方面,相关的报道也较少.本研究用扫描非线性介电显微镜对集成电路中具有n型与p型掺杂的60μm×60 μm区域进行二维表征,得到定点非线性电容与电压的关系曲线,并由积分得到对应的电容电压特性曲线,认为界面陷阱的作用是金属-氧化物-半导体非线性电容-电压特性曲线突变的影响因素.     

小波分析在图像消噪中的应用研究

文章通过分析小波分解系数在不同方向高频子波系数的特性，比较几种小波系数的阈值选取，提出了一种小波局部阈值消噪方法，对图像进行有效降噪，并给出了局部阈值的设置。最后通过实验结果论证，该方法在图像降噪中是有效可行的。     

(111)取向(Pb,La)TiO3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO₂/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能，结果表明PLT薄膜为 (111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM) 分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴，电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式，带状畴的宽度为20—60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数ε_r为365、介电损耗tgδ为0.02，热释电系数γ为2.18×10^-8C·(cm²·K)^-1，可以满足制备非制冷红外探测器的需要. 关键词： PLT薄膜 电畴 PFM 极化