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印制板是电子工业重要的电子部件之一 ,几乎所有电子设备 ,小到电子手表、计算器 ,大到电子计算机、通信电子设备、军用武器系统 ,只要有集成电路等电子元器件 ,为了对其安装和电气互连 ,都要使用印制板。开始是单面印制板 ,随着电路密度的提高 ,单面布线已布不下 ,发展到双面布线 ,为了使双面导线互相连接 ,研究成功了金属化孔连接技术[1] 。目前研究较多的是覆铜箔层压板的孔金属化工艺和镀层缺陷分析 ,对陶瓷基印制板孔金属化研究的报道较少 ,本论文对氧化铍陶瓷基片的金属化孔进行了显微研究和缺陷分析。陶瓷的金属化及其与金属的接合作… 相似文献
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针对机载GMTI雷达地面机动慢速多目标跟踪难题,提出了一种新颖的高精度机载GMTI雷达数据滤波跟踪方法。针对机载GMTI相控阵雷达的特点,引入一种新的机载GMTI雷达量测模型,采用Doppler伪量测形式减弱Doppler量测与目标状态之间的强非线性关系,并进行了量测误差转换;通过论述发现,采用运算速度较快的UKF滤波器进行非线性滤波估计,可以有效地降低由机体坐标系到地面站惯性坐标系的复杂变换引起的估计误差放大。实验证明,该方法可以有效地提高地面机动多目标的跟踪精度,满足实际雷达跟踪系统要求。 相似文献
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合成了5,10,15,20-四(对癸烷氧苯基)-β-硝基卟啉镍(1)以及5,10,15,20-四(对癸烷氧苯基)-6'-硝基喹喔啉[2,3.b]卟啉镍(2),并通过核磁共振氢谱、红外光谱、质谱、元素分析等分析方法表征了它们的结构.由于β-位的取代,不但使化合物1和2的最大吸收较5,10,15,20-四(对癸烷氧苯基)卟啉镍(3)发生了红移,而且化合物1和2的第一氧化电位均大于化合物3.利用差示扫描量热法(DSC)研究了化合物1和2的液晶行为,结果表明:只有化合物1具有液晶性,其液晶行为表现为升温单变液晶,液晶相变温度始于77℃,相变区间为41℃.通过原子力显微镜(AFM)观察化合物1和2在硅基底上自组装薄膜的形貌,结果表明:化合物1的成膜性和有序性更好.利用密度泛函理论研究化合物1和2的优化几何构型与前线轨道分布,其结果与紫外可见光谱.DSC,AFM的结果一致. 相似文献
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本文在宽的基体变化范围内对波长为0.081 nm的连续散射X-射线进行了研究,表明质量衰减系数与连续散射强度之间不再遵守传统散射内标法所假定的反比例关系,而是呈一种幂函数关系.理论证明和实验结果一致.提出了用0.081 nm处的散射强度的函数校正基体效应的方法,并用于地质样品中微量锶的测定,结果显示,在较大的基体变动范围内,本法与传统散射内标法相比准确度提高近4倍,克服了传统方法适应基体变化范围小的缺点. 相似文献
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高精度非接触式锥光全息测量系统设计及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对常见的工业零部件尺寸,基于锥光全息测量原理,设计一套高精度非接触式锥光全息测量系统,并用于测量钱币表面的高度信息。首先记录钱币的锥光全息图,接着对全息图的干涉条纹进行中心线细化处理,用以计算条纹宽度变化量,进而得到被测钱币表面高度的变化。实验结果表明,当物镜焦距为50 mm时,该测量系统的精确探测范围达到5 mm,测量误差在0.28%之内,验证了该系统设计方案的可行性和准确性。 相似文献
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磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具已广泛应用于磁性薄膜的研究TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以获得较低的面内饱和场Hs。传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备ThFe薄膜可有效降低面内饱和场Hs。通过测量样品的磁滞回线可以发现,易磁化轴随着溅射角度的增加逐渐偏离样品的法线方向,而取向于平行膜面。本研究工作利用MFM研究了不同溅射角度得到的TbFe薄膜的磁畴结构。发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴,与磁滞回线测量得到的易磁化轴方向发生偏转的结果相吻合。 相似文献