对称多項式

“对称”,原来是几何中的概念。意思是說两个几何图形相对而相称。从一定的角度看去,这两个图形所处的地位是相同的。建筑图案以及某些艺术品往往由于具有一定的对称性而更觉美观。在解决几何問題时,对称性也往往起重要作用。代数中也有对称。一元n次方程的每一个根所处的地位也都彼此相同,把这个根或那个根叫做x_1是无关重要的。我們从这里得到了启发,要研究一元n次方程,就不能不考虑到它的根的对称性。这样,就很自然地产生了对称多項式的理論。以下我們将要初步地接触到这些理論,和它的簡单应用。一、对称多項式两个变量x_1,x_2的多項式F(x_1,x_2),如果把x_1換做x_2,把x_2換作x_1以后,得出多項式和原来的完全一样,也就是說,如果F(x_1,x_2)=F(x_2,x_1),就把F(x_1,x_2)     

分析填充非均匀介质矩形波导的一种新方法

用已提出的新的分析任意截面槽波导的傅立叶展开-差分法对填充非均匀介质的矩形波导进行了分析,验证了其正确性,并对一种填充具有周期分布介质的矩形波导的截止特性和色散特性进行了数值计算和分析。该方法可以便捷地解决波导在微波毫米波应用中的实际工程问题,对研究其它非均匀波导问题有一定的参考价值。     

3G数字基站射频拉远CPRI规范的实现

射频拉远技术可以为运营商降低成本并提高组网效率,基带处理和射频拉远两部分设备之间的标准化接口是有效实现控制与数据传输的保证.文章介绍了标准化接口之一的公共无线接口(CPRI)规范,讨论了基于软件和硬件上的设计.     

小型数字系统中控制电路设计方法小议

南京工学院李士雄等同志编写的《数字集成电路基础》一书的最后一章里,介绍了小型数字系统中控制电路设计的两种方法。一种控制电路由计数单元和译码电路组成。另一种控制电路由触发器级联而成,触发器级数等于控制电路所需状态数。在带领学员进行课程设计时,发现用第二种方法设计的电路存在着两个问题:一是控制信号S_1始终加在数据通道上,即数据通道始终处于开态。二是组成控制器的触发器中有一级没有作用。如果将设计的出发点稍加改动,即     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

12C+28Si反应全熔合激发函数测量

我们用ΔE-E计数器望远镜系统测量了入射能E_Lab在43MeV—70.5MeV范围内¹²C+²⁸Si全熔合反应的激发函数. 实验激发函数显示出某种宽振荡结构, 宽度约为2—3MeV. 对其平均行为分别用Glas-Mosel模型和势模型进行了理论拟合. 在E_cm=35—50MeV范围内, 临界距离模型和统计Yrast线模型满意地复现了实验数据.     

Anqu E1测试中的告警和差错

在E1测试中发生的事件按其影响程度可分为告警(Alarm)和差错(Error)。本文对AnquE1 测试中的告警和差错进行了详细介绍。     

合成GaN粗晶体棒的研究

利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。