Growth and Chemical Thermodynamics Analysis of SiC Film on Si Substrate by Heating Polystyrene/Silica Bilayer Method

采用改进的PS/OCS/Si(111)叠层热解法,在石英高温管式炉中,常压流通Ar气氛下,于1300 o C制备出了无层错空洞缺陷的晶态SiC薄膜．采用红外、X射线衍射和扫描电镜等分析方法对薄膜样品进行了表征．并研究了这种方法制备SiC薄膜的化学热力学过程．通过对反应平衡常数和吉布斯自由能的计算,初步确定了生成SiC的主反应的发生顺序以及反应体系的平衡状态,并论证了流通的Ar气氛对于反应的持续进行是必须的．该方法制备的薄膜为SiO2/SiC/Si(111)结构,这种结构对于半导体MOS器件的应用是非常有利的．该SiO2层形成反应后期降温阶段,并且可以通过RCA清洗工艺(标准半导体清洗工艺)彻底清除．目前还没有发现用这种方法生长SiC薄膜的报道．     

Bergman空间上Toeplitz算子的迹理想刻划

本文给出了C~n内单位球的加权Bergman空间上,以测度为符号的Toeplitz算子属于Schatten p-类(0相似文献   

采用“积木”函数位移法设计声表面波电视中频滤波器

<正> 一、引言一个横向的声表面波滤波器(SAWF)的频率响应可以通过它的脉冲响应的付氏逆变换来求得。通过控制滤波器的叉指换能器(IDT)的指条位置和重叠长度即可控制IDT的脉冲响应,从而控制IDT的频率响应。关于对称频响的SAWF的设计,已有许多文献作了详细的报道。对于象电视中频SAWF这样既非偶对称,亦非奇对称的频响,其脉冲响应是一个复数,     

我校的自动化专业人才培养改革

本文介绍了我校在自动化专业人才培养方面的一些改革措施,主要包括减少全部课程和必修课程的总学时、推行本科双语教学、施行三小时课堂教学、开没专题研讨课、推行本科生全程导师制等。另外,本文对我校自动化专业人才培养仍旧存在的一些问题进行了思考,并提出TSH应的解决方案。     

LiNbO3和LiTaO3单晶体中亚晶界位错结构的研究

本文应用透射法和超显微法对用金缀饰后的LiNbO₃和LiTaO₃单晶体进行了直接观测,观察到两种晶体中亚晶界的三维面貌,对亚晶界进行了极图分析,并进一步用Frank公式进行了定量验证。通过对位错网及三叉亚晶界的分析,表明该类晶体中存在的位错的Burgers矢量是:最短点阵平移矢量——六角晶胞的基矢<1210>,次短点阵平移矢量——菱胞基矢1/3<0111>,以及再次短点阵平移矢量——菱胞短体对角线分1/3<2021>。 关键词：