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911.
新疆生态景观格局演变及其与气候的相互作用 总被引:8,自引:0,他引:8
应用1982~1993年12年的NOAA气象卫星遥感数据(分辨率为8km×8km),本文借助FVC(Frac-tionalvegetationcoverdata)植被指数分析新疆维吾尔自治区境内的生态景观格局.分析结果指出,全区12年绿洲(自然和人工)的平均面积占整个区域面积的18.48%,荒漠为37.2%,典型草原占10.27%,山地森林草原为3.39%,沙漠裸地占30.31%,湖泊占0.348%.与30年气候平均值相比,12年中年降水量全区增加了23.6mm,温度增加了0.28℃.有意义的是降水量增加最多的地区不是山区,而是在南疆西北部绿洲集中分布的地区.这表明了一个重要的事实,即在一定尺度的气候背景条件下,绿洲的植被覆盖对调节区域气候有着积极的作用,当下垫面的植被覆盖面积达到一定程度时,植被和气候之间的相互作用十分明显.同时,在降水量增加和温度升高的条件下,典型草原的面积呈扩大趋势.总的来说,从20世纪80年代以来至90年代初期的10余年间,新疆的气候趋向好转,植被覆盖状况有所改善,未发现有大范围沙漠化现象. 相似文献
912.
用高温固相反应法合成了铌酸根 Nb O3- 4 和 Eu3+共掺杂的正钽酸盐化合物 Y1 - x Eux Ta1 - y Nby O4,研究了该体系在紫外光和 X射线激发下的发光性能 .研究表明 ,在紫外光激发下 ,YTa O4∶ Nb,Eu是一种比较有效的红色发光材料 .激发能可以通过 Nb O3- 4 离子传递给 Eu3+离子 .随钽酸盐中 Nb O3- 4 基团浓度的增加 ,化合物的结构从 M′型 YTa O4变成褐钇铌型 YNb O4结构 ,它的发光性质也随之改变 . 相似文献
913.
SrB4O7:Pr^3+中Pr^3+的发光性质 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究报道Pr^3+在SrB4O7中的发光性质,在SrB4O7中Pr^3+离子的4f5d能态高于1^S0能级,因此,在207nmUV光激发下,Pr^3+能够把所吸收的一个高能量的UV光子转换为两个可见光子的发射(光子倍增);在此氧化物基质中的光子倍增主要是由于阳离子处于弱的晶体场格位之中;由于与稀土离子弱联结相关的声子振动频率低(hωmax~1200cm^-1),因此还能观察到从3^P0能级向低能级的跃迁。第一个光子的发射由1^S0→1^G4(313nm),1^S0→1^D2(338nm)和1^S0→1^I6(405nm)的辐射跃迁组成;第二个光子的发射由3^P0和1^D2能级向低能级的辐射跃迁组成[3^P0→(3^HJ,3^FJ)和1^D2→(3^H4,3^H5)]。 相似文献
914.
以酿酒酵母耐热菌株HU-TY-1和亲株LK为材料,通过SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳等技术,对它们在热休克应答前后的耐热性及蛋白图谱进行了分析,发现两个菌株经温和高温(37 ℃)诱导后可大幅提高对致死温度(53 ℃)的耐受力,同时伴随着分子量为72 kD和84 kD的热击蛋白(HSP)的合成,其中耐热株HU-TY-1在常态时就有这两种热击蛋白的少量表达.由此表明:耐热酵母菌株HU-TY-1的高耐热性与HSP72和HSP84的组成性合成密切相关. 相似文献
915.
Eu^3+和Eu^3+在LnBaB~9O~16是的紫外和真空卜外发光性质 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Tb^3+和En^3+在LnBaB~9O~16(Lu=La,Gd,Y,Lu)中的卜外和真空紫外光谱性质。X射线粉未衍射数据脂标化结果表明,LnBaB~9O~16(Lu=La,Gd,Y,Lu)系列化合物属于三方晶系。Eu^3+的荧光光谱结果表明,LnBaB~9O~16和GdBaB~9O~16中稀土离子占据非是心对称的格位,Eu^3+在其中的特征发射5D0→7F2电偶极跃迁为主;而在YBaB9O16和LuBaB9O16中稀土离子占据中心对称性的格位,Eu3^+在其中的特征发射以5D0→7F1磁偶极跃迁为主. 相似文献
916.
917.
非制冷红外焦平面阵列BST铁电薄膜的制备及性能研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用改进的溶胶-凝胶方法,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上成功地制备出不同组分,具有钙钛矿型结构的BST铁电薄膜。BST5、BST10和BST15铁电薄膜的介电系数εr,分别为375、400和425,介电损耗tgδ分别为0.041、0.024和0.010,剩余极化强度Pt分别为2μc/cm^2、2.5/μc/cm^2和1.7μc/cm^2,矫顽场Ec分别为40kV/cm、50kV/cm和35kV/cm,是制备非制冷红外焦平面阵列的优选材料。 相似文献
918.
ZnO陶瓷薄膜的制备及其低压压敏性质 总被引:7,自引:1,他引:6
利用新型Sol-Gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO陶瓷薄膜,先驱体溶液由Bi2O3、Sb2O3掺杂的ZnO纳米粉体均匀分散于含有Zn(CH3COO)2、Bi(NO3)3及Sb2O3的溶胶中制成,薄膜由甩胶法制备,并由400℃预烧、750℃退火。制得的陶瓷薄膜ZnO结晶良好,并存在β-Bi2O3、Zn2Sb3Bi3O14及Zn7Sb2O12相,表现出良好的低压压敏性质,厚约为3μm为ZnO陶瓷薄膜非线性系数α为6.2、压敏电压为5V,漏电流为8μA。 相似文献
919.
920.
考虑具有零理想边界的非紧镶边Riemann曲面Ω=Ω∪ Ω及其上的Dirichlet积分有限的非负局部Holder连续的二重共变量P.用F表示方程上Δu=Pu在 Ω取极限值0的非负连续解全体.本文讨论拟Picard原理成立的充要条件并证明:若Ω的每一理想边界点都有端邻域满足广义Heins条件,则Martin函数全体所成之集是F中的极小正解全体所支撑的子半线性空间P的一个Hamel基,而且F可表示为与P相关的直和形式. 相似文献