用联合谱仪方法观察3S1态电子偶素在气凝硅胶中的湮没

用具有时间选择功能的Ge能谱仪(即联合谱仪)观察了气凝硅胶中³S₁电子偶素(o-P_s)的产额和湮没辐射的能谱, 认为电子偶素在气凝硅胶超细微粒中的产生和湮没基本上符合扩散模型, 但微粒表面的作用也不可忽略; 比较正电子在微粒中的自由湮没和长寿命oPs的曳离(pick-off)所产生的多普勒加宽谱, 表明后一过程具有较低的湮没动量.     

交联聚醚聚氨酯的表征及其聚集态转变和自由体积特性的正电子湮没研究

采用全反射红外光谱（ＡＴＲ－ＩＲ）对聚合物的结构进行了表征，证明其为交联聚醚聚氨酯（ＰＥＵ），且其碱金属盐络合物的导电性与其自由体积有关。在１１０～３５０Ｋ温度范围内测量了ＰＥＵ的正电子湮没寿命谱，结果表明正电子湮没寿命谱的温度关系可灵敏地反映聚合物的聚集态转变及其自由体积特性随温度的变化。得到了ＰＥＵ的次级转变、玻璃化转变及结晶相的熔融变化等方面的信息。并由实验测得的ｏ－Ｐｓ寿命计算出不同温度下ＰＥＵ中自由体积孔洞的尺寸。     

POSITRON ANNIHILATION STUDY OF YBa2(Cu1-xSnx)3Oy SUPERCONDUCTORS

The inelastic-tunneling model can be used to explain the linear conductance background observed in tun-neling in the high-T_c oxide super conductors. Introducing a parameter into the tunneling Hamiltanian to describe the strength of on-site Coulomb repulsion, we have derived an expression for the inelastic-tunneling conductance. We further discuss what form of the spin-fluctuation propagators in the inelastic-tunneling model can produce the linear tunneling conductance which would agree well with the experimental data.     

乙烯-辛烯共聚物微结构的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱（ Ｐ Ａ Ｌ Ｓ）研究了在１４０～３５０ Ｋ 温度范围内弹性体乙烯辛烯共聚物（ Ｐ Ｏ Ｅ） 在１４０～３５０ Ｋ 温度范围内的自由体积和结构转变特性,得到 Ｐ Ｏ Ｅ的玻璃化转变温度 Ｔｇ 和次级转变温度 Ｔβ分别为２２０、１７０ Ｋ,并分析了决定其正电子湮没参数和结构转变的化学结构因素     

电子偶素物理学

电子偶素（ｐｏｓｉｔｒｏｎｉｕｍ）,又称正电子素,其符号为Ｐｓ,是由电子及其反粒子──正电子组成的准束缚系统．自从Ｄｅｕｔｓｃｈ［１］在１９５１年发现Ｐｓ以来的三十年间,人们已对Ｐｓ的特性及其与物质的相互作用进行了广泛的研究．这不仅加深了人们对Ｐｓ本身的了解,也导致了它在原子物理学、化学及固体物理学等领域中获得广泛应用．然而,由于Ｐｓ是一个二体、纯轻子的电磁束缚体系,因而是研究量子电动力学的?...