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简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展.包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明.在原生半导体材料中存在各种缺陷.经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子、使载流子发生饱和. 相似文献
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Y沸石中组装CdSe纳米团簇的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用离子交换方法,在Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为5%和15%的cdse纳米团簇;样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实,该制备过程是成功可行的,并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料.采用正电子湮没寿命谱对上述两种样品、Y型沸石原粉和纯的Cdse粉末样品进行测量,得到了有关团簇生长过程及其微结构的有用信息. 相似文献
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用正电子湮没谱学研究了机械混合CuCl2与NaY中CuCl2在NaY沸石中的扩散.分别测量了不同质量比的CuCl2-NaY(0~0.03)沸石分子筛经140℃烘烤1h;CuCl2-NaY(0~0.05)经450℃烘烤4h;CuCl2-NaY(0.01)经不同温度烘烤1h以及经300℃下烘烤烘不同时间后的正电子寿命谱.所有谱中都出现了5(或4)个寿命分量,其第3,4,5寿命分量分别与β笼、超笼及沸石微粒界面空间的大小和数量相关.实验表明,正电子湮没谱学可敏感地探测出少量CuCl2在NaY沸石中的扩散变化.而对于只含少量氯化铜(0.01)的情况,虽经高温长时间烘烤,但仍有相当数量的氯化铜存在于NaY外表面. 相似文献
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应用正电子湮没等技术对AA 2037连铸铝合金热轧板不同温度退火下空位-溶质相互作用及沉淀相进行了研究, 研究表明:室温时效形成的主要是空位-铜复合体以及空位-镁-铜复合体;温度为200℃退火时由于过渡相的形成正电子平均寿命出现峰值,符合多普勒展宽谱的商谱中观察到锰信号的存在,表明形成了空位-镁-锰复合体或过渡相中可能存在锰;温度高于250℃时,随着过渡相变粗、溶解,锰信号消失,而铜信号增强,在350℃后铜信号达到饱和,温度为450℃左右时,稳定相形成.
关键词:
正电子湮没技术
空位-溶质复合体
沉淀
退火 相似文献
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用正电子湮没研究聚醚聚氨酯的自由体积特性王波,彭治林,李世清,王少阶,刘皓,谢洪泉(武汉大学物理学系,武汉,430072)(华中理工大学化学系)关键词正电子湮没,自由体积,高分子固体电解质中国法分类号O6.63高分子固体电解质的电导率,载流子的扩散及... 相似文献
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用正电子湮设方法研究了高分子固体电解质聚醚聚氨酯(PEU)在与LiClO4络合前后的结构变化及导电性能.实验结果表明,当PEU与LiClO4络合后,正电子素(o-Ps)的寿命及其强度均减少,而中间寿命分量的湮没参数基本不变.这表明Li杂质主要扩散在无序的非晶区.掺杂前后样品的温度实验表明,在玻璃化转变温度Tg之下,络合前后的自由体积分数的变化很小,这与自由体积理论预言的结果一致.在Tg之上,络合后的自由体积空洞的浓度和自由体积分数均减小.此外,PEU-LiClO4络合物的电导率随温度和Li杂质浓度的变化可以用自由体积理论解释.
关键词: 相似文献
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