首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15283篇
  免费   3012篇
  国内免费   2770篇
化学   4117篇
晶体学   222篇
力学   831篇
综合类   249篇
数学   1540篇
物理学   4804篇
无线电   9302篇
  2024年   137篇
  2023年   431篇
  2022年   572篇
  2021年   486篇
  2020年   384篇
  2019年   506篇
  2018年   449篇
  2017年   422篇
  2016年   473篇
  2015年   462篇
  2014年   1122篇
  2013年   781篇
  2012年   793篇
  2011年   771篇
  2010年   699篇
  2009年   761篇
  2008年   782篇
  2007年   834篇
  2006年   780篇
  2005年   706篇
  2004年   656篇
  2003年   589篇
  2002年   502篇
  2001年   489篇
  2000年   480篇
  1999年   538篇
  1998年   481篇
  1997年   555篇
  1996年   534篇
  1995年   446篇
  1994年   444篇
  1993年   364篇
  1992年   425篇
  1991年   359篇
  1990年   330篇
  1989年   279篇
  1988年   140篇
  1987年   151篇
  1986年   141篇
  1985年   141篇
  1984年   113篇
  1983年   93篇
  1982年   106篇
  1981年   95篇
  1980年   49篇
  1979年   32篇
  1974年   16篇
  1965年   14篇
  1964年   14篇
  1963年   13篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
两个非线性方程的准确解   总被引:3,自引:0,他引:3  
李志斌  王明亮 《数学进展》1997,26(2):129-132
借助于计算机代数系统Mathematica利用直接代数方法获得了两个有数学物理意义的非线性耗散-色散方程的准确解,这种方法也适用于高维非线性方程。  相似文献   
82.
用三维样边界元法分析水闸闸室结构。底板,闸墩和载水墙等为其子结构,交通桥,工作桥和胸墙等处理为内部支撑。地基和边载可以是任意的,只要能给定地表位移面力关系。在各种工况下,不论是设置平板门还是弧形门,是平底板是反拱底板,即使在稀疏剖分下也能给出高精度的位移场,应力场和地基反力场。  相似文献   
83.
84.
四、莫托罗拉C-QUAM制 1.C-QUAM制式的基本原理在调幅立体声广播的五种制式中,莫托罗拉制有三个明显的优点:一是优良的噪声特性,噪声电平几乎同单声道广播一样,仅增大1.5分贝;二是在大调幅时,能保持好的立体声特性,调幅度的最大限度跟调频调幅制、调相调幅制一样,都是-100%~125%范围内;三是以正交调幅制为基础,它具有与单声道接收机几乎同样的对天波效应的抗干扰性,它又能抑制中频滤波器或者失调而引起的边带不对称性。  相似文献   
85.
报导封离型可透同光路指示光的CO2激光器的研制,并给出了其电流—工作特性曲线。对需可见光作同光路指示的CO2激光应用整机的开发,开辟了一条新的途径。  相似文献   
86.
Voigt线型的微分消卷积   总被引:2,自引:1,他引:1  
通过频域内的近似处理得到了洛仑兹线型微分消卷积的实用算符。推广到高斯、洛仑兹线型的复合情形即Voigt线型,亦可得到它的消卷积算符。把所得算符应用于单峰、多峰情形,对各种不同的组合形式,分别得到了消卷积谱,其分辨率提高因子K与复合线型中洛仑兹成分的多少有关。  相似文献   
87.
本文叙述对混沌电路实现同步控制的实验研究之初步结果。所用的电路为蔡氏电路和锁相环电路。这项研究工作在通信系统中有应用前景。  相似文献   
88.
89.
Ru/REO催化剂催化1-庚烯氢甲酰化的考察李忠,张俊忠,阴丽华,王常有(太原工业大学煤化工研究所,太原030024)氢甲酰化反应是羰基合成的一个重要分支,是碳一化学研究的重要领域,工业上主要应用于合成醛醇等重要化合物,其催化剂的研究一直十分活跃。近...  相似文献   
90.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号