低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟

本文在一维LPCVD计算机模拟算式的基础上,考虑到反应管中,径向浓度不均匀的影响,进一步提出三维LPCVD计算机模拟算式,以便同时解决片内和片间均匀性问题.在形式上,整个三维模拟算式可以分解为片内和片间两个独立的部分,但二者是相互影响的.计算结果同一些实验结果具有相同的结论.在三维LPCVD计算机模拟的指导下,我们在研制LPCVD工艺和设备中取得了片内、片间均匀性和批间重复性都极为良好的结果.     

超大规模集成电路中低介电常数SiOF薄膜研究

详细介绍了低介电常数的含氟氧化硅（SiOF）介质薄膜制备的工艺,并分析了试样的FTIR光谱,发现薄膜中大部分的氟以Si--F键形成存在。C-V特性测量表明薄膜介电常数随氟含量的增加而减小。本文还进一步讨论了介电常数与氟原子含量之间的内在联系。     

C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析

化学气相淀积金刚石薄膜过程中 ,CH3 和C2 H2 是金刚石生长的主要前驱基团。C2 H2 与CH3 浓度比 ( [C2 H2 ]/[CH3 ])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型计算了C H体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2 H2 浓度和CH3浓度随淀积条件的变化 ,并进一步获得了 [C2 H2 ]/[CH3 ]随衬底温度和CH4浓度的变化关系 ,从理论上探讨了金刚石薄膜 ( 1 1 1 )面和 ( 1 0 0 )面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中 ,[C2 H2 ]/[CH3 ]逐渐升高 ,导致金刚石薄膜的形貌从 ( 1 1 1 )晶面转为 ( 1 0 0 )晶面。     

人造金刚石低压气相生长的相图计算

用非平衡热力学耦合模型计算了由CH₄/H₂，CO/H₂和乙炔火焰等气相体系生长金刚石的相图．与经典平衡热力学理论计算结果不同的是这些相图都有一个金刚石生长区存在．相图中的金刚石生长区是实现金刚石气相生长的热力学基础，它的存在体现了超平衡氢原子等激活粒子对石墨的激活和对金刚石的稳定作用．计算的相图与报道的实验结果基本相符，因而对金刚石气相生长的理论和实验研究具有重要的指导意义 关键词：     

金刚石薄膜低压气相生长条件的理论预测

基于非平衡热力学耦合模型计算得到三元体系中生长金刚石的等温、等压及竖直截面相图.这些相图中的金刚石生长区的形状和大小随温度、压力及氧含量等条件的改变而变化.高温时,金刚石生长区变小直至消失;中等温度时生长区最大;低温时又变小.压力的升高促使金刚石生长区变大.氧的加入总是引起需要更多的碳并使金刚石生长区向温度降低的方向移动.     

Y(BO3,PO4):Ce,Tb,Gd的发光特性研究

用ＢＰＯ４和稀土氧化为原料,通过单片灼烧,首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷钇绿色荧光粉,利用发射光谱和激发光谱研究了基质中Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋、Ｇｄ＾３＋的发光以及它们之间的相互作用结果表明在铈、铽或钆、铽的双掺杂体系中存在Ｃｅ＾３＋→Ｔｂ＾３＋、Ｇｄ＾３＋→Ｔｂ＾３＋的能量传递,而在铈、钆双掺杂的体系中却观察到了Ｃｅ＾３＋和Ｇｄ＾３＋离子之间的竞争吸收和独自发射。在铈、铽共激活的硼磷民体系中掺     

Ln(BO_3,PO_4)[Ln=La,Y]基质中Ce~(3+)、Tb~(3+)、Gd~(3+)的光谱

研究了硼磷酸镧和硼磷酸钇基质中Ce3 +、Tb3+、Gd3+的发射光谱和激发光谱。结果表明 :La(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb体系中加入钆后 ,Ce3+的发射降低 ,Tb3+的发射增强 ;Y(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb体系中加入钆后 ,Ce3+和Tb3 +的发射均增强 ,且前者增加的幅度高于后者。因此在La(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb ,Gd体系中Gd3+离子起着能量传递中间体和敏化剂的作用 ;在Y(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd体系中Gd3 +离子只起敏化剂作用 ,并且阻碍Ce3+→Tb3+的能量传递。与Y(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd相比 ,La(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd对紫外吸收强 ,2 5 4nm激发下发出的光绿色纯度高 ,强度大 ,更适合做荧光灯中的绿粉     

不同压力下碳氢体系低压金刚石的非平衡定态系列相图

系统压力是低压金刚石薄膜生长实验中重要的实验参数，如果采用合理的计算方法定量化地预测出压力对金刚石薄膜生长条件的影响，则可以直接用于指导其实验研究。本文报道根据非平衡热力学耦合理论模型绘制了C-H体系金刚石生长投影相图，经与大量实验结果比较相一致，并系统地计算了压力变化的碳氢体系金刚石生长非平衡定态截面相图，得到了金刚石生长区随压力变化的规律。计算得到的相图与经典平衡相图有本质不同，均有金刚石生长区，因而可以合理解决金刚石低压下连续生长而石墨被腐蚀与经典平衡热力学之间的矛盾。本文的计算结果可以为金刚石生长实验提供定量化的压力条件的选择和优化实验条件。     

用于ULSI的低K氟化非晶碳膜研究

综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（a-C:F)的制备,化学键结构,介电常数与热稳定,填隙能力,粘附性,热导率等性能,为开发具有新型功能的低介电常数材料提供了指导。