LaFe0.5Co0.5O3光助-芬顿催化性能和催化机理

使用溶胶-凝胶法合成了LaFe0.5Co0.5O3催化剂,研究了其在pH=3和254 nm紫外光照射条件下催化H2O2降解橙Ⅱ的性能和催化机理。结果表明,橙Ⅱ经过60 min反应脱色率可达99.5%,其“第一段”脱色速率常数为0.078 min-1;经过180 min处理,体系TOC去除率为81.60%。循环实验和物化表征结果证明LaFe0.5Co0.5O3催化剂具备较好的催化性能和结构稳定性。通过自由基淬灭实验以及分析总铁离子、亚铁离子、羟基自由基和过氧化氢等浓度变化,证明LaFe0.5Co0.5O3光助-芬顿催化机理包括：光激发、空穴氧化、超氧自由基氧化、光生电子还原铁离子、亚铁离子释放、均相芬顿反应、铁离子再吸附等过程,体系中橙Ⅱ的降解由光助-芬顿反应和光催化反应协同完成。     

红外电荷转移器件

一、红外电荷转移器件的效能与红外焦平面阵列的发展红外电荷转移器件主要包括红外电荷耦合器件与红外电荷注入器件两大类型。现有红外电荷耦合器件可分别使用非本征硅或某些本征半导体光导探测器阵列、半导体p-n结探测器阵列、金属-半导体肖脱基势垒探     

QR_RLS算法的浮点脉动阵结构研究与FPGA实现

随着雷达信号处理技术的不断发展,对实时并行性和处理精度都提出了更高的要求,脉动阵结构是雷达信号处理中一种关键并行处理结构.文中介绍了一种基于QR_RLS算法的浮点脉动阵结构.为了提高运算速度,充分利用资源,引入了自定义浮点格式及该格式下的浮点运算单元的设计,并改进了平方根算法,提高了运算精度.在FPGA上实现了这种脉动阵结构,结果表明这种自定义浮点格式的脉动阵结构在提高了运算精度的同时,降低了相应的资源占用率,对实时信号处理的工程设计具有较高的参考价值.     

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响，利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟，近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势：β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)²+3,其中h为纳米导线的高度，ρ为纳米导线的半径，W是以R为自变量的函数，R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小，而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素：当R<R₀时，场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小；当R>R₀时，场发射增强因子基本不变，其中R₀为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势，但是随着阵列数目的增加，R₀会有一定程度的减小，场发射增强因子也会降低. 关键词： 纳米导线 场发射 增强因子 阵列数目     

高精度铂电阻温度测量新方法

铂电阻是工业测控系统中广泛使用的理想测温元件.常规的温度采集方法是通过测量电阻桥的不平衡电压来实现,其性能依赖于选取的模数转换器精度,高精度测量成本过高.提出一种新的高精度,低成本的铂电阻测温方法.先用RC振荡器将铂电阻变化调制为时变频率信号,再用SSP1492芯片测量该频率变化量,最后送入C8051F021单片机,用高阶多项式完成频率变化到温度变化的解算,实现高精度温度测量.实验结果表明,该方法的测量精度等级高于0.03%(F.S.).     

高效液相色谱法同时测定心可舒胶囊中齐墩果酸和熊果酸

建立高效液相色谱法同时测定心可舒胶囊中齐墩果酸和熊果酸的含量。采用HypersiL ODSC₁₈（4.6mm×250mm,5μm）色谱柱;流动相:甲醇-乙腈-水=79:5:16（V/V/V）;柱温:30℃;流速:1mL/min;检测波长:210nm。齐墩果酸在2.04—81.60μg/mL浓度范围内线性关系良好（r=0.9998）,熊果酸在5.00—80.00μg/mL浓度范围内线性关系良好（r=0.9998）,齐墩果酸的平均回收率为100.54%,RSD为1.56%,熊果酸的平均回收率为101.10%,RSD为1.13%。该法简单、准确、快捷,可用于心可舒胶囊中齐墩果酸和熊果酸的含量测定。     

5G信令网SCP引入策略及部署建议分析

信令网是移动通信的神经网络,随着5G网络部署网元规模的增加,现有网元通信模式出现局限性.本文通过分析SCP引入必要性及组网模式,结合网络特点,从业务需求、与周边网元对接、运维管理和网络演进等因素,给出初期组网模式、节点设置和网络架构建议.     

高多层埋铜块印制板制作技术研究

埋铜块印制板将铜块埋嵌在板内,在实现基本传输信号和支撑功能的同时,还可以起到散热和节省板面空间的作用.文章研究以一款应用于通信基站的整体18层,集高多层、埋嵌铜块、背钻、树脂塞孔等设计的高多层埋铜块印制板产品为例,就其结构设计、制作工艺、生产难点及改善等做了详细阐述.     

压电晶体半空间弹性波场的表面激发的分析(Ⅰ)——弹性波场表面激发的一般公式

本文发展了在压电晶体半空间,对于自由表面和金属化表面两种情况下,弹性波场表面激发的普适理论。可以证明广义弹性波场U是广义Green函数G和广义力T的卷积。 U=GT这里符号表示点乘卷积。 广义Green函数与激发条件无关,而只取决于材料参数和取向。 对于压电晶体,不仅表面力源,而且表面电源分布也能激发弹性波场。我们给出了对于力源和电源分布的广义力完整表示。特别对自由表面上电源分布,它可由表面法向电位移不连续,也可由切向电场不连续来构成。