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合成了N-氧化吡啶 -2-甲醛缩氨基硫脲的双核铜配合物。晶体结构的测定表明两Cu原子之间是通过两个单原子氧桥相联, 每个桥联氧原子既处于一个Cu原子为中心的四方锥底面, 又是另一个Cu原子四方锥的锥顶。晶体属单斜晶系, 空间群为Ce, 晶体结构参数为a=16.445,b=13.889,c=12.770A,β=122.82°。根据半经验MO法的计算结果, 指出了红外谱中N-O键和C=N 键特征峰朝不同方向位移的原因, 并对磁偶合常数作了估计。 相似文献
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合成了以双吡唑桥联的双核铜配合物的3个同系物。利用吡唑-3,5-二(N-甲基甲酰胺)合硝酸铜双聚物的粉末ESR谱计算了g∥和g⊥。变温磁化率的实验数据拟合表明了它们均为有较强反铁磁性的化合物,用半经验分子轨道方法分析了它们的磁交换途径。 相似文献
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针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准.实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力.基于改进后的0.18 μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景. 相似文献
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通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程.建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型,有助于开发由成品率驱动的版图设计工具,自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务. 相似文献
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测定了双臂套索冠醚双核铜(Ⅱ)配合物[Cu2L(OH)](ClO4)3Me2CO(L-N,N'-二(8-喹啉甲基)-1,4,10,13-四氧-7,16-二氮环八环)的变温磁化率(4 ̄300K),所加场强为5.0×10^5A/m,拟合了变温磁化率数据,得到J=-279.4cm^-2;加上分子场校正后,得J=-257.7cm^-1,Zj'=-30.1cm^-1。拟合结果表明,分子间存在反铁磁性交换作用 相似文献