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11.
硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法
总被引:1,自引:1,他引:0
王喆垚
刘建设
任天令
刘理天
李志坚
《半导体学报》
2002,23(8):830-834
介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.
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